這種簡(jiǎn)單的MOSFET控制的無(wú)變壓器電源電路可用于提供0至300V的連續(xù)可變直流輸出和100 mA至1 A的電流控制。

為了防止我的高壓研究項(xiàng)目永久化為煙霧，我開(kāi)發(fā)了一個(gè)簡(jiǎn)單的電路，能夠提供 0 到 330 伏的可變電壓電源。

但請(qǐng)注意，電路不是與電源電位隔離的，因此會(huì)造成致命的電擊。

電源具有短路保護(hù)功能：電流限制在大約 100mA 以?xún)?nèi)。

警告：上述所有電路都帶有致命的電源電壓，因此非常危險(xiǎn)。如果在通電狀態(tài)下觸摸電路上的任何地方，它可以殺死任何人。遵守適當(dāng)?shù)念A(yù)防措施以避免任何事故。

電路操作

該設(shè)計(jì)不需要變壓器，而是在輸入端引入一個(gè) 100 瓦的燈泡，以便在發(fā)生短路或組件故障時(shí)提供終極安全性。

通過(guò)燈后的電源電壓由橋接 D1 （1Amp / 500V） 和 C1 整流。

T1配置為源跟隨器：T1的源極符合R3游標(biāo)的電壓。D2投保，以保障T1的登機(jī)口。

T2和分流電阻R2建立限流器。每當(dāng)輸出電流過(guò)大時(shí)，T2 就會(huì)迅速對(duì) T1 的柵極放電。

這樣可以阻止電流進(jìn)一步增加。R3的值基本上是通過(guò)實(shí)驗(yàn)確定的;但是，它實(shí)際上取決于 T2 的 Hfe，這意味著您可能需要適當(dāng)調(diào)整 R2 的值。

請(qǐng)記住，T1 需要一個(gè)大的散熱器：在最?lèi)毫拥那闆r下，T1 可能會(huì)分散 330V x 100mA = 33Watt！

您可以嘗試 MOSFET，例如 BUZ 326 （400V/10.5Amp），也可以使用 IRF740 （400V/10Amp）。

電源的輸出阻抗根據(jù)T1的β而變化，因此MOSFET越大，輸出阻抗越小！

電路圖

如下圖所示，上述設(shè)計(jì)可以大大簡(jiǎn)化。取消了橋式整流器，大大降低了MOSFET上的應(yīng)力水平。但是，由于半波整流而產(chǎn)生的紋波可能會(huì)明顯更高。輸出的10uF濾波電容有助于在一定程度上減少這種情況。該電容器的值可以提高到更高的水平，以提高直流質(zhì)量。

可以添加輸入串聯(lián)燈，但由于設(shè)計(jì)中存在電流控制級(jí)，因此可能不需要這樣做。但是，為了提高安全性，可以添加與輸入線串聯(lián)的保險(xiǎn)絲。

輸出負(fù)載規(guī)格不得超過(guò) 100 mA

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該電源可用于獲得穩(wěn)定的功率輸出，最大電壓范圍為 300 至 《》 伏。所有設(shè)備都應(yīng)安裝在散熱器上。

使用 BJT 和 MOSFET 的組合

電路操作

接下來(lái)的無(wú)變壓器0-300V可變電源電路圖可以用以下幾點(diǎn)來(lái)理解：如圖所示，高壓晶體管BF458作為主要的負(fù)載處理器件。

其基極偏置由另一個(gè)高壓晶體管BF337控制，其發(fā)射極被鉗位至穩(wěn)定的24伏。FET用于通過(guò)337M的電位器選擇晶體管BF1的基極電流。

此設(shè)置調(diào)整BF337的基極電流，從而限制主晶體管BF458的電壓和電流流向輸出。

電路的輸入可以直接來(lái)自電源交流電，經(jīng)過(guò)適當(dāng)?shù)恼骱褪褂脴蚪泳W(wǎng)絡(luò)和10u/400V電容器進(jìn)行濾波。

整個(gè)電路觸摸起來(lái)非常危險(xiǎn)，在制作和測(cè)試該電路時(shí)應(yīng)保持應(yīng)有的注意。