過(guò)流保護(hù)電路種類繁多,電路的復(fù)雜性取決于保護(hù)電路在過(guò)流情況下的反應(yīng)速度。下面這個(gè)電路使用很常見(jiàn)的運(yùn)算放大器構(gòu)建一個(gè)簡(jiǎn)單的過(guò)流保護(hù)電路。
該電路將具有可調(diào)節(jié)的過(guò)流閾值,并且還將具有故障時(shí)自動(dòng)重啟功能。由于這是一個(gè)基于運(yùn)算放大器的過(guò)流保護(hù)電路,
1)LM35運(yùn)算放大器
這里使用了通用運(yùn)算放大器LM358,作為驅(qū)動(dòng)單元。在下圖中,顯示了 LM358 的引腳圖。
LM358 運(yùn)算放大器引腳圖
2)RF540N mos管
在本項(xiàng)目中,使用了N 溝道 MOSFET IRF540N,如果負(fù)載電流大于 500mA,建議使用合適的 MOSFET 散熱器。對(duì)于下面這個(gè)電路,MOSFET 沒(méi)有使用散熱器。下圖是 IRF540N 引腳圖 的表示。
RF540N mos管
3)LM7809 線性穩(wěn)壓器
為了給運(yùn)算放大器和電路供電,使用了LM7809 線性穩(wěn)壓器。這是一款具有寬輸入電壓額定值的 9V 1A 線性穩(wěn)壓器。引腳排列如下圖所示:
LM7809 線性穩(wěn)壓器
4)過(guò)流保護(hù)電路比較器元器件清單
面包板
電源 12V(最低)或根據(jù)電壓要求
LM358
100uF 25V
IRF540N
散熱器(根據(jù)應(yīng)用要求)
50k 裝飾鍋
1k 電阻,容差為 1%
1Meg 電阻
100k 電阻,容差為 1%。
1ohms電阻,2W(2W最大1.25A負(fù)載電流)
面包板電線
5)過(guò)流保護(hù)電路比較器
一個(gè)簡(jiǎn)單的過(guò)流保護(hù)電路可以通過(guò)使用運(yùn)算放大器來(lái)感應(yīng)過(guò)流來(lái)設(shè)計(jì),并根據(jù)結(jié)果,我們可以驅(qū)動(dòng) Mosfet 斷開(kāi)/連接負(fù)載與電源。相同的電路圖很簡(jiǎn)單,如下圖所示:
過(guò)流保護(hù)電路工作
6)過(guò)流保護(hù)電路比較器工作原理
從電路圖中可以看出,MOSFET IRF540N 用于在正常和過(guò)載情況下控制負(fù)載為 ON 或 OFF 。但在關(guān)閉負(fù)載之前,必須檢測(cè)負(fù)載電流。這是通過(guò)使用分流電阻 R1來(lái)完成的,它是一個(gè) 2 瓦額定值的 1 歐姆分流電阻,這種測(cè)量電流的方法稱為分流電阻電流感應(yīng)。
在 MOSFET 導(dǎo)通狀態(tài)期間,負(fù)載電流通過(guò) MOSFET 的漏極流向源極,最后通過(guò)分流電阻流向 GND。根據(jù)負(fù)載電流,分流電阻產(chǎn)生的電壓降可以使用歐姆定律計(jì)算。
因此,我們假設(shè),對(duì)于 1A 的電流(負(fù)載電流):
分流電阻上的電壓降為 1V,因?yàn)?V = I x R (V = 1A x 1 Ohm)。
因此,如果將此壓降與使用運(yùn)算放大器的預(yù)定義電壓進(jìn)行比較,我們可以檢測(cè)到過(guò)流并改變 MOSFET 的狀態(tài)以切斷負(fù)載。
在該電路中,運(yùn)算放大器 LM358 被配置為比較器。根據(jù)原理圖,比較器比較兩個(gè)值。第一個(gè)是分流電阻上的壓降,另一個(gè)是使用可變電阻或電位計(jì) RV1 的預(yù)定義電壓(參考電壓)。RV1 充當(dāng)分壓器。分流電阻上的壓降由比較器的反相端檢測(cè),并與連接在運(yùn)算放大器同相端的電壓基準(zhǔn)進(jìn)行比較。
因此,如果檢測(cè)到的電壓低于參考電壓,比較器將在輸出端產(chǎn)生一個(gè)接近比較器 VCC 的正電壓。但是,如果檢測(cè)到的電壓大于參考電壓,比較器將在輸出端產(chǎn)生負(fù)電源電壓(負(fù)電源連接到 GND,因此在這種情況下為 0V)。該電壓足以打開(kāi)或關(guān)閉 MOSFET。
編輯:黃飛
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