《基于“礦板”低成本學(xué)習(xí)Zynq系列》之六-DDR測(cè)試
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《基于“礦板”低成本學(xué)習(xí)Zynq系列》之四-第一個(gè)工程HelloWorld一下 (qq.com)
一.前言
礦板，可能一些器件都不穩(wěn)定了，比如DDR，所以我們來(lái)測(cè)試下，做個(gè)壓力測(cè)試。
這一篇先測(cè)試DDR，后面再測(cè)試其他的。
Vitis打開之前的HelloWorld工程
參考https://mp.weixin.qq.com/s/eecigPSyHQGUIx8hwSoAtQ
二.創(chuàng)建工程
File->New->Application Project...
Next
選擇之前創(chuàng)建的平臺(tái)，Next
輸入工程名ddr，next
Next
三.編譯
從原理圖可以看出
DDR 256M 16位
EM6GD16EWKG-12H
所以
int bus_width = 32;
改為
int bus_width = 16;
右鍵點(diǎn)擊DDR工程，build project
四.仿真運(yùn)行
五.測(cè)試
運(yùn)行后打印如下
輸入4測(cè)試255M的大小
r測(cè)試讀眼圖
i測(cè)試寫眼圖
六.總結(jié)
以上測(cè)試，確認(rèn)DDR目前看還比較可靠，沒有問題。
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