Nexperia | MOSFET 如何輕松應(yīng)對傳導(dǎo)損耗
有四個(gè)主要元件可滿足電池反向保護(hù)，分別是恢復(fù)整流二極管、肖特基整流二極管、P 溝道 MOSFET 和 N 溝道 MOSFET。
在今天的演示中，我們將展示每種方法的實(shí)際應(yīng)用，您可以詳細(xì)了解 N 溝道和 P 溝道 MOSFET 如何處理應(yīng)用中的傳導(dǎo)損耗。
本演示使用的功率 MOSFET 和整流二極管來自符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)且適用于汽車應(yīng)用的產(chǎn)品組合。40V 功率 MOSFET 采用 LFPAK 5x6 銅夾片封裝，二者均來自于 Nexperia（安世半導(dǎo)體）的廣泛 N 和 P 溝道版本產(chǎn)品組合，在關(guān)鍵測試參數(shù)中，它們超出 AEC-Q101 測試兩倍以上。
本演示還包含來自銅夾片 FlatPower 封裝中的整流器—— CFP5 和 CFP15，憑借數(shù)十年開發(fā)高性能封裝解決方案所積累的專業(yè)知識，我們能夠提供一系列具有出色熱效率和電氣效率的封裝，從而支持要求最嚴(yán)苛的應(yīng)用。
LFPAK 和 CFP 的獨(dú)特銅夾片結(jié)構(gòu)提供出色的穩(wěn)健性和可靠性。如果與更傳統(tǒng)的替代方案相比，還能夠節(jié)省空間。經(jīng)過測試的器件電流額定值使得封裝非常適合要求最嚴(yán)苛的應(yīng)用。
審核編輯 黃宇
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