眾所周知，華為是全球備受矚目的“專利大戶”，從5G/6G到通信設備，再到手機芯片、操作系統(tǒng)、自動駕駛、EVS等均有涉及。而最近，華為又新增了多條專利信息，其中一項便是關于芯片封裝和制備方法的，這將有利于提高芯片的性能。

根據(jù)企查查公開的信息顯示，這項新專利的名稱為“一種芯片封裝以及芯片封裝的制備方法”，申請日期為2020年12月16日，申請公布日為2023年8月4日，申請公開號為CN116547791A。

▲圖片來源：企查查

據(jù)悉，這是一種用于簡化芯片堆疊結構及其形成方法的制造技術。

根據(jù)專利摘要顯示，該芯片封裝包括基板、裸芯片、第一保護結構和阻隔結構；該裸芯片、該第一保護結構和該阻隔結構均被設置在該基板的第一表面上；該第一保護結構包裹該裸芯片的側面，該阻隔結構包裹該第一保護結構背離該裸芯片的表面，且該裸芯片的第一表面、該第一保護結構的第一表面和該阻隔結構的第一表面齊平。

其中，該裸芯片的第一表面為該裸芯片背離該基板的表面，該第一保護結構的第一表面為該第一保護結構背離該基板的表面，該阻隔結構的第一表面為該阻隔結構背離該基板的表面。

通過這種芯片堆疊結構的設計，旨在簡化芯片堆疊結構的制備工藝，并有利于提高生產(chǎn)效率。該專利對于芯片封裝行業(yè)具有重要意義，可以加快芯片制造的速度、降低生產(chǎn)成本，并提高芯片的性能和可靠性。

▲專利原理示意圖

該專利一經(jīng)曝光，立即引起了網(wǎng)友的廣泛關注和討論，例如“華為可以將兩塊14nm制程芯片堆疊在一起，實現(xiàn)與7nm制程芯片相似的性能和功耗”的說法也隨之流傳開來。

不過，華為官方已經(jīng)多次證實這是謠傳。因為“通過芯片疊加工藝讓兩塊14nm芯片達到7nm水平”這樣的說法本身就是錯誤的，芯片堆疊技術方案難題包含了熱管理、電氣互聯(lián)、封裝和測試、制造技術等多個方面，要想完成這些并非易事。

此外，兩塊14nm芯片堆疊在一起，還要功耗跟7nm相當，暫且說可以組合，但這樣實現(xiàn)后也是通過降頻。要知道，14nm芯片達到7nm的性能水平就必須功耗翻倍，同時還得進一步擴大芯片面積才能塞下更多的晶體管，這顯然脫離了芯片發(fā)展規(guī)律。

雖然這項新專利實現(xiàn)不了7nm工藝，但卻展現(xiàn)了華為在芯片領域的研發(fā)實力和創(chuàng)新能力，也為全球芯片行業(yè)的發(fā)展提供了更多新的可能。

據(jù)統(tǒng)計，截至2022年，華為持有超過12萬項有效授權專利，是中國國家知識產(chǎn)權局和歐洲專利局2021/2022年度專利授權量排名第一的公司，也是2022年中國PCT國際專利申請量全球第一的公司。在研發(fā)方面，華為2022年研發(fā)支出超過1600億元，近十年研發(fā)支持超過9700億元。正是這些大手筆研發(fā)投入，讓華為在各領域都能遙遙領先，為消費者帶來不斷迭代的新功能、新技術。

未來，隨著研發(fā)投入的持續(xù)積淀，以及最新芯片堆疊封裝專利技術的普及與應用，我們可以期待華為將在芯片領域取得更多的技術突破，為中國芯片的發(fā)展注入更多新的動力。