一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線(xiàn)課程
  • 觀(guān)看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

半導(dǎo)體氧化擴(kuò)散測(cè)溫

上海明策科技 ? 2022-07-26 15:45 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

要解決的問(wèn)題

  • 測(cè)溫設(shè)備集成于設(shè)備內(nèi)部,對(duì)準(zhǔn)目標(biāo)有些許困難
  • 需透視窗測(cè)溫,需考慮測(cè)溫儀響應(yīng)波段

一、產(chǎn)品描述

1.產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

IGA 6-TV

  • 為近紅外測(cè)溫波段,對(duì)于石英視窗有更高的透射率;對(duì)于金屬被測(cè)物有更高的測(cè)溫精度
  • 寬測(cè)溫量程(250-2500℃)
  • 極快響應(yīng)速度(120μs)
  • 更好的重復(fù)性(0.15%+1℃)
  • 可變焦鏡頭,可調(diào)節(jié)測(cè)距(可從210至2000mm內(nèi)測(cè)溫)
  • 設(shè)定內(nèi)可調(diào)多種參數(shù),滿(mǎn)足多種環(huán)境需求
  • 具有直觀(guān)的視頻模式,且接線(xiàn)簡(jiǎn)單

2.技術(shù)規(guī)格

名稱(chēng)參數(shù)
型號(hào)IGA 6-TV
測(cè)溫范圍250...2500℃
測(cè)量波段1.45...1.8μm
分辨率數(shù)字接口:0.1℃
模擬輸出<溫度范圍的0.0015%
響應(yīng)時(shí)間120μs
測(cè)量精度讀數(shù)的0.3%±2℃(<1500℃)
讀數(shù)的0.6%(>1500℃)

二、場(chǎng)景特點(diǎn)

- 需要維持在高溫狀態(tài)(氧化爐≥1050℃,擴(kuò)散爐≥850℃)
- 反應(yīng)速率較快,對(duì)測(cè)溫儀響應(yīng)時(shí)間有要求

示例:

三、產(chǎn)品圖展示

poYBAGLfmouAcJcEAALxKX0nH_A669.pngIMPAC IGA 6-TV 紅外 測(cè)溫儀?


總結(jié)

以上就是今天要講的內(nèi)容,我們提供了大量方案產(chǎn)品,歡迎聯(lián)系,感謝您的關(guān)注。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀(guān)點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    功率半導(dǎo)體器件——理論及應(yīng)用

    本書(shū)較全面地講述了現(xiàn)有各類(lèi)重要功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)、基本原理、設(shè)計(jì)原則和應(yīng)用特性,有機(jī)地將功率器件的設(shè)計(jì)、器件中的物理過(guò)程和器件的應(yīng)用特性聯(lián)系起來(lái)。 書(shū)中內(nèi)容由淺入深,從半導(dǎo)體的性質(zhì)、基本的半導(dǎo)體
    發(fā)表于 07-11 14:49

    瑞樂(lè)半導(dǎo)體——TC Wafer晶圓測(cè)溫系統(tǒng)在半導(dǎo)體行業(yè)的應(yīng)用場(chǎng)景

    TCWafer晶圓測(cè)溫系統(tǒng)憑借其卓越的性能指標(biāo)和靈活的配置特性,已在半導(dǎo)體制造全流程中展現(xiàn)出不可替代的價(jià)值。其應(yīng)用覆蓋從前端制程到后端封裝測(cè)試的多個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié),成為工藝開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)監(jiān)控的重要工具。熱處理
    的頭像 發(fā)表于 07-01 21:31 ?116次閱讀
    瑞樂(lè)<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>——TC Wafer晶圓<b class='flag-5'>測(cè)溫</b>系統(tǒng)在<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>行業(yè)的應(yīng)用場(chǎng)景

    半導(dǎo)體中載流子的運(yùn)動(dòng)

    半導(dǎo)體中電子和空穴運(yùn)動(dòng)方式有很多種,比如熱運(yùn)動(dòng)引起的布朗運(yùn)動(dòng)、電場(chǎng)作用下的漂移運(yùn)動(dòng)和由濃度梯度引起的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)等等。它們都對(duì)半導(dǎo)體的導(dǎo)電性造成不同的影響,但最終在半導(dǎo)體中產(chǎn)生電流的只有漂
    的頭像 發(fā)表于 06-23 16:41 ?529次閱讀
    <b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>中載流子的運(yùn)動(dòng)

    半導(dǎo)體制造中的高溫氧化工藝介紹

    ISSG(In-Situ Steam Generation,原位水蒸汽生成)是半導(dǎo)體制造中的一種高溫氧化工藝,核心原理是利用氫氣(H?)與氧氣(O?)在反應(yīng)腔內(nèi)直接合成高活性水蒸氣,并解離生成原子氧(O*),實(shí)現(xiàn)對(duì)硅表面的精準(zhǔn)氧化
    的頭像 發(fā)表于 06-07 09:23 ?686次閱讀
    <b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>制造中的高溫<b class='flag-5'>氧化</b>工藝介紹

    半導(dǎo)體硅表面氧化處理:必要性、原理與應(yīng)用

    半導(dǎo)體硅作為現(xiàn)代電子工業(yè)的核心材料,其表面性質(zhì)對(duì)器件性能有著決定性影響。表面氧化處理作為半導(dǎo)體制造工藝中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),通過(guò)在硅表面形成高質(zhì)量的二氧化硅(SiO?)層,顯著改善了硅材料的電
    的頭像 發(fā)表于 05-30 11:09 ?484次閱讀
    <b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>硅表面<b class='flag-5'>氧化</b>處理:必要性、原理與應(yīng)用

    瑞樂(lè)半導(dǎo)體——TC Wafer晶圓測(cè)溫系統(tǒng)持久防脫專(zhuān)利解決測(cè)溫點(diǎn)脫落的難題

    TCWafer晶圓測(cè)溫系統(tǒng)是一種專(zhuān)為半導(dǎo)體制造工藝設(shè)計(jì)的溫度測(cè)量設(shè)備,通過(guò)利用自主研發(fā)的核心技術(shù)將高精度耐高溫的熱電偶傳感器嵌入晶圓表面,實(shí)現(xiàn)對(duì)晶圓特定位置及整體溫度分布的實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè),記錄晶圓在制程
    的頭像 發(fā)表于 05-12 22:23 ?336次閱讀
    瑞樂(lè)<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>——TC Wafer晶圓<b class='flag-5'>測(cè)溫</b>系統(tǒng)持久防脫專(zhuān)利解決<b class='flag-5'>測(cè)溫</b>點(diǎn)脫落的難題

    半導(dǎo)體boe刻蝕技術(shù)介紹

    半導(dǎo)體BOE(Buffered Oxide Etchant,緩沖氧化物蝕刻液)刻蝕技術(shù)是半導(dǎo)體制造中用于去除晶圓表面氧化層的關(guān)鍵工藝,尤其在微結(jié)構(gòu)加工、硅基發(fā)光器件制作及氮化硅/二
    的頭像 發(fā)表于 04-28 17:17 ?1285次閱讀

    晶圓擴(kuò)散清洗方法

    晶圓擴(kuò)散前的清洗是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵步驟,旨在去除表面污染物(如顆粒、有機(jī)物、金屬離子等),確保擴(kuò)散工藝的均勻性和器件性能。以下是晶圓擴(kuò)散清洗的主要方法及工藝要點(diǎn): 一、RCA清洗工藝
    的頭像 發(fā)表于 04-22 09:01 ?372次閱讀

    最全最詳盡的半導(dǎo)體制造技術(shù)資料,涵蓋晶圓工藝到后端封測(cè)

    資料介紹 此文檔是最詳盡最完整介紹半導(dǎo)體前端工藝和后端制程的書(shū)籍,作者是美國(guó)人Michael Quirk??赐晗嘈拍銓?duì)整個(gè)芯片制造流程會(huì)非常清晰地了解。從硅片制造,到晶圓廠(chǎng)芯片工藝的四大基本類(lèi)
    發(fā)表于 04-15 13:52

    無(wú)線(xiàn)測(cè)溫+數(shù)字孿生:半導(dǎo)體工廠(chǎng)的下一代安全運(yùn)維體系

    還會(huì)進(jìn)一步提升。安全可靠的電力供應(yīng)是安全生產(chǎn)的基本保障。本文針對(duì)半導(dǎo)體生產(chǎn)的供配電系統(tǒng)工程項(xiàng)目,按照具體要求,合理選擇無(wú)線(xiàn)測(cè)溫裝置實(shí)現(xiàn)對(duì)變電站內(nèi)的設(shè)備進(jìn)行溫度檢測(cè),防止設(shè)備局部溫度過(guò)高而發(fā)生火災(zāi),并采用無(wú)線(xiàn)測(cè)溫
    的頭像 發(fā)表于 04-03 14:42 ?300次閱讀
    無(wú)線(xiàn)<b class='flag-5'>測(cè)溫</b>+數(shù)字孿生:<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>工廠(chǎng)的下一代安全運(yùn)維體系

    我國(guó)首發(fā)8英寸氧化鎵單晶,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎新突破!

    2025年3月5日,杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“鎵仁半導(dǎo)體”)宣布,成功發(fā)布全球首顆第四代半導(dǎo)體氧化鎵8英寸單晶。這一重大突破不僅標(biāo)志著我國(guó)在超寬禁帶
    的頭像 發(fā)表于 03-07 11:43 ?1487次閱讀
    我國(guó)首發(fā)8英寸<b class='flag-5'>氧化</b>鎵單晶,<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>產(chǎn)業(yè)迎新突破!

    第四代半導(dǎo)體新進(jìn)展:4英寸氧化鎵單晶導(dǎo)電型摻雜

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 最近氧化鎵領(lǐng)域又有了新的進(jìn)展。今年1月,鎵仁半導(dǎo)體宣布基于自主研發(fā)的氧化鎵專(zhuān)用晶體生長(zhǎng)設(shè)備進(jìn)行工藝優(yōu)化,采用垂直布里奇曼(VB)法成功實(shí)現(xiàn)4英寸氧化鎵單晶的導(dǎo)電型
    發(fā)表于 02-17 09:13 ?971次閱讀

    鎵仁半導(dǎo)體成功實(shí)現(xiàn)VB法4英寸氧化鎵單晶導(dǎo)電摻雜

    VB法4英寸氧化鎵單晶導(dǎo)電型摻雜 2025年1月,杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“鎵仁半導(dǎo)體”)基于自主研發(fā)的氧化鎵專(zhuān)用晶體生長(zhǎng)設(shè)備進(jìn)行工藝優(yōu)化,采用垂直布里奇曼(VB)法成功實(shí)現(xiàn)4
    的頭像 發(fā)表于 02-14 10:52 ?480次閱讀
    鎵仁<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>成功實(shí)現(xiàn)VB法4英寸<b class='flag-5'>氧化</b>鎵單晶導(dǎo)電摻雜

    【「大話(huà)芯片制造」閱讀體驗(yàn)】+跟著本書(shū)”參觀(guān)“半導(dǎo)體工廠(chǎng)

    還提到了占用空間比較大的居然是停車(chē)場(chǎng)。 然后介紹了擴(kuò)擴(kuò)散工藝,提到了無(wú)塵室是半導(dǎo)體工廠(chǎng)的心臟。 接著介紹了晶圓檢驗(yàn)工藝 接著介紹了封裝和檢驗(yàn)工藝 屬于后道工序制造 然后介紹了
    發(fā)表于 12-16 22:47

    中國(guó)半導(dǎo)體的鏡鑒之路

    今天非常高興能在這里圍繞我跟蓋添怡女士的一本半導(dǎo)體專(zhuān)業(yè)著作《芯鏡》來(lái)展開(kāi)介紹日本半導(dǎo)體的得失,以及對(duì)咱們中國(guó)半導(dǎo)體發(fā)展的啟發(fā)。 一芯片強(qiáng)國(guó)的初、興、盛、衰 首先,大家可以先了解一下日本半導(dǎo)體
    發(fā)表于 11-04 12:00