TC Wafer晶圓測(cè)溫系統(tǒng)是一種專為半導(dǎo)體制造工藝設(shè)計(jì)的溫度測(cè)量設(shè)備,通過利用自主研發(fā)的核心技術(shù)將高精度耐高溫的熱電偶傳感器嵌入晶圓表面,實(shí)現(xiàn)對(duì)晶圓特定位置及整體溫度分布的實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè),記錄晶圓在制程過程中的溫度變化數(shù)據(jù),為半導(dǎo)體制造過程提供一種高效可靠的方式來監(jiān)測(cè)和優(yōu)化關(guān)鍵的工藝參數(shù)。

【核心技術(shù)】
防脫落專利技術(shù):TC Wafer晶圓測(cè)溫系統(tǒng)在高溫、真空或強(qiáng)振動(dòng)環(huán)境中易出現(xiàn)測(cè)溫點(diǎn)脫落問題,影響數(shù)據(jù)可靠性。瑞樂半導(dǎo)體通過自主研發(fā)的防脫落專利技術(shù)徹底解決傳統(tǒng)測(cè)溫點(diǎn)易脫落的痛點(diǎn),優(yōu)化工藝穩(wěn)定性、提升良率,延長(zhǎng)產(chǎn)品使用壽命,降低生產(chǎn)成本。
【應(yīng)用范圍】
物理氣相沉積 (PVD)、原子層沉積 (ALD)、化學(xué)氣相沉積 (CVD)、退火爐、去膠設(shè)備、晶圓臨時(shí)鍵合、涂膠顯影 TRACK 設(shè)備、 加熱板、加熱盤

【產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)】
1. 1200℃耐高溫測(cè)量:熱電偶傳感器能夠承受1200℃的溫度,TC Wafer適合用于監(jiān)控在極端溫度條件下進(jìn)行的半導(dǎo)體制造過程。
2. 溫度精確實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè):TC Wafer可提供晶圓上特定位置的準(zhǔn)確溫度數(shù)據(jù)。
3. 詳細(xì)溫度分布圖:通過在晶圓上布置多個(gè)點(diǎn)來收集溫度數(shù)據(jù),TC Wafer能夠提供整個(gè)晶圓的溫度分布情況,幫助識(shí)別不均勻加熱或冷卻的問題。
4. 瞬態(tài)溫度跟蹤:TC Wafer能夠捕捉到快速變化的溫度動(dòng)態(tài),如升溫、降溫、恒溫過程以及延遲時(shí)間等關(guān)鍵參數(shù)的變化,為工藝優(yōu)化提供數(shù)據(jù)支持。
5. 支持過程控制與優(yōu)化:持續(xù)監(jiān)控晶圓在熱處理過程中的溫度變化有助于工程師調(diào)整工藝參數(shù),提高生產(chǎn)效率并確保產(chǎn)品質(zhì)量。
6. 適用于多種晶圓尺寸:TC Wafer的設(shè)計(jì)使其能夠適用于不同直徑的晶圓,包括2英寸和大至12英寸的晶圓,滿足各種制造需求。
【參數(shù)配置】
Wafer尺寸 | 2”、3”、4”、6”、8”、12” | 晶圓材質(zhì) | 硅片 / 藍(lán)寶石等 |
測(cè)溫點(diǎn)數(shù) | 1-34 | 線長(zhǎng) | L1- 腔體內(nèi)部;L2- 倉門過渡段;L3- 腔體外部 |
測(cè)溫元件 | TC | 采樣頻率 | 1Hz |
TC 線徑 | 0.127mm/0.254mm | 配套主機(jī) | 測(cè)溫系統(tǒng)配套主機(jī) |
溫度范圍 | K型:RT~1200℃;R/S型:RT~1200℃;T型:RT~350℃;TR高精度型:-40-250℃ /-40-350℃ | ||
溫度精度 | K 型:±1.1℃ /0.4%;R/S 型:±0.6℃ /0.1%;T 型:±0.5℃;TR 高精度型:±0.1℃ /±0.5℃ | ||
測(cè)溫軟件 | 測(cè)溫專用軟件,實(shí)時(shí)顯示溫度場(chǎng)剖面圖及實(shí)時(shí)升溫曲線圖 |
TC Wafer晶圓測(cè)溫系統(tǒng)通過防脫落專利技術(shù)、耐高溫材料及多點(diǎn)測(cè)溫設(shè)計(jì),成為半導(dǎo)體制造中溫度監(jiān)控的關(guān)鍵工具。其在高至1200℃的環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定性和精度,為工藝優(yōu)化、良率提升提供了可靠的數(shù)據(jù)支撐。未來,隨著無線傳輸與智能化分析的進(jìn)一步融合,TC Wafer晶圓測(cè)溫系統(tǒng)將在半導(dǎo)體精密制造中發(fā)揮更大作用。
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TC Wafer晶圓測(cè)溫系統(tǒng)當(dāng)前面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)與應(yīng)對(duì)方案


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