關于非易失性MRAM應用
作為一種磁性技術，MRAM本質(zhì)上是抗輻射的。這使得獨立版本在航空航天應用中很受歡迎，而且這些應用對價格的敏感度也較低。它相對較大，在內(nèi)存領域，尺寸意味著成本。
MRAM還在企業(yè)存儲中找到了一席之地，例如IBM的閃存核心模塊，其中Everspin的MRAM用作意外斷電時的緩沖區(qū)。
此外，MRAM還用于工業(yè)應用。例如，如何通過保持正確的手臂位置來防止精心設計的工業(yè)機器人在斷電后重新啟動時相互碰撞。
使用傳感器的汽車應用可以受益于MRAM。由于傳感器連續(xù)地寫入數(shù)據(jù)，因此閃存難以保持這種數(shù)據(jù)流。新的安全氣囊系統(tǒng)還具有傳感器，用于檢測和記錄乘客的體重，與車輛上其他安全裝置的相互作用以及碰撞的影響。
MRAM在軍事上的使用也獲得了廣泛的認可。許多系統(tǒng)使用電池供電的SRAM，并且在電池使用方面存在固有的可靠性問題。
其中一些應用程序需要具有非?？斓膶懭肽芰Γ⑶倚枰欠且资缘?。MRAM能同時滿足計算機內(nèi)存四項要求:非易失性、隨機存取速率高、數(shù)據(jù)存儲密度高以及耗電功率低的最佳器件。
英尚微代理的MRAM產(chǎn)品線品牌有Everspi代理和NETSOL，MRAM具有非易失性、幾乎無限的耐久性和快速寫入特性。它們適用于工業(yè)設計中的代碼存儲、數(shù)據(jù)記錄、備份存儲器和工作存儲器，并可以取代具有相同功能和非易失性的Flash、FeRAM或nvSRAM。
審核編輯：湯梓紅
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
存儲器
+關注
關注
38文章
7648瀏覽量
167302 -
sram
+關注
關注
6文章
784瀏覽量
115923 -
MRAM
+關注
關注
1文章
236瀏覽量
32282
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
半導體存儲芯片核心解析
/FeRAM (阻變/鐵電) 等，目標是結(jié)合DRAM的速度和Flash的非易失性（存儲級內(nèi)存），部分已在特定領域應用（如MRAM做緩存），是
發(fā)表于 06-24 09:09
DS4510 CPU監(jiān)控電路，具有非易失存儲器和可編程輸入/輸出技術手冊
DS4510是CPU監(jiān)控電路，具有內(nèi)部集成的64字節(jié)EEPROM存儲器和四個可編程的非易失性(NV) I/O引腳。它配備了工業(yè)標準I2C接口，使用快速模式(400kbps)或標準模式(
DS4550 I2C和JTAG、非易失、9位、輸入/輸出擴展器與存儲器技術手冊
DS4550是9位，非易失(NV) I/O擴展器，具有I2C兼容串行接口或IEEE? 1149.1 JTAG端口控制的64字節(jié)NV用戶存儲器。DS4550采用數(shù)字編程替代硬件跳線和機械開關，實現(xiàn)對數(shù)
DS3911具有溫度控制的非易失、四通道、I2C接口DAC技術手冊
DS3911是一款4通道、10位Σ-Δ輸出、非易失(NV)控制器，內(nèi)置溫度傳感器和相應的模/數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)。集成溫度傳感器提供分辨率為2°C的NV查找表(LUT)索引，溫度范圍為-40°C至
昂科燒錄器支持Zbit恒爍半導體的非易失性閃存ZB25VQ16CS
芯片燒錄領導者昂科技術近期宣布了其燒錄軟件的最新迭代，并公布了一系列新增兼容芯片型號。在此次更新中，恒爍半導體（Zbit）推出的非易失性閃存ZB25VQ16CS已被昂科燒錄程序芯片燒錄
DS1557 4M非易失、Y2K兼容時鐘RAM技術手冊
DS1557是一款全功能、符合-2000年標準(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)，具有RTC警報、看門狗定時器、上電復位、電池監(jiān)控器和512k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對DS
DS1554 256k非易失、Y2K兼容時鐘RAM技術手冊
DS1554是一款全功能、符合2000年標準(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)，具有RTC警報、看門狗定時器、上電復位、電池監(jiān)控器和32k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對DS15
DS1265AB 8M非易失SRAM技術手冊
DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、1,04
DS1249AB 2048k非易失SRAM技術手冊
DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)非易失SRAM，按
STT-MRAM新型非易失性磁隨機存儲器
發(fā)表于 02-14 13:49
昂科燒錄器支持Zbit恒爍半導體的非易失性閃存ZB25VQ32DS
在此次更新中，恒爍半導體（Zbit）推出的非易失性閃存ZB25VQ32DS已被昂科的程序燒錄專業(yè)芯片燒錄設備AP8000所支持。昂科技術自主研發(fā)的AP8000萬用燒錄器，支持包括一拖一
TPL1401數(shù)字電位器易失性和非易失性的區(qū)別是什么？
數(shù)字電位器存儲類型標注具有“易失性”，他的意思是不是說，假設當前已經(jīng)調(diào)節(jié)好電位器處于3.5kΩ這個位置，那么斷電再上電后，電位器就回到初始狀態(tài)位置，不再是3.5kΩ這個位置了?！?b class='flag-5'>非
發(fā)表于 11-21 07:15
新思科技助力優(yōu)化MRAM與RRAM的開發(fā)流程
嵌入式閃存及其對應的離片NOR閃存，在非易失性內(nèi)存領域（即用于持久性或長期數(shù)據(jù)存儲）多年來占據(jù)著標準地位。然而，隨著工藝技術尺寸縮小至28n
工商網(wǎng)監(jiān)
評論