憑借耐高壓、耐高溫和高頻等優(yōu)越的物理特性，SiC-MOSFET有望在新能源汽車800V高壓超充時(shí)代替代Si IGBT，并在主驅(qū)逆變器、充電樁、OBC、DC-DC等應(yīng)用場(chǎng)景中加速滲透。

隨著政策和技術(shù)發(fā)展的推動(dòng)，電動(dòng)汽車已經(jīng)越來越受到消費(fèi)者的青睞。據(jù)乘聯(lián)會(huì)數(shù)據(jù)，純電動(dòng)車型和插混車型8月份的銷量分別為14.56萬輛和12.85萬輛。不過還有一些消費(fèi)者對(duì)電動(dòng)汽車目前依然存在的充電速度慢和行駛里程短等問題抱有疑慮。

可見，續(xù)航能力問題已是電動(dòng)汽車能否廣泛推向市場(chǎng)的重要因素。其實(shí)目前已經(jīng)有不少成熟的技術(shù)能夠解決，800V高壓超充技術(shù)就是其中較為不錯(cuò)的解決方案。

從半導(dǎo)體器件的角度來看，SiC-MOSFET有望在新能源汽車800V高壓超充時(shí)代，憑借耐高壓、耐高溫和高頻等優(yōu)越的物理特性替代Si IGBT，并在主驅(qū)逆變器、充電樁、OBC、DC-DC等應(yīng)用場(chǎng)景中加速滲透。

因?yàn)橹鳈C(jī)廠可以通過應(yīng)用更高功率密度的1200V SiC-MOSFET，從而充分發(fā)揮800V高壓平臺(tái)和350KW直流超充的優(yōu)勢(shì)，大幅提高動(dòng)力系統(tǒng)效率，加速大功率超充普及，以解決普遍存在的“里程焦慮”和“充電焦慮”問題。在此期間，伴隨各主機(jī)廠800V高壓平臺(tái)車型的陸續(xù)量產(chǎn)， SiC產(chǎn)業(yè)鏈需求可能會(huì)得到快速增長(zhǎng)。

目前來看，受益于新能源汽車電動(dòng)化進(jìn)程加快和國(guó)內(nèi)主機(jī)廠加強(qiáng)供應(yīng)鏈自主可控的要求，車規(guī)級(jí)功率器件的國(guó)產(chǎn)替代趨勢(shì)正在快速形成。國(guó)內(nèi)多家SiC產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)已經(jīng)在主驅(qū)逆變器、OBC、DC-DC等應(yīng)用領(lǐng)域得到主機(jī)廠提供的產(chǎn)品驗(yàn)證機(jī)會(huì)，部分SiC企業(yè)更是已順利取得定點(diǎn)函進(jìn)入量產(chǎn)階段，成功導(dǎo)入了主機(jī)廠供應(yīng)體系。

根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)到2027年，SiC車規(guī)級(jí)市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到49.8億美元，其中主驅(qū)逆變器市場(chǎng)規(guī)模約為44.1億美元，約占據(jù)整個(gè)車規(guī)級(jí)市場(chǎng)的88.6%。國(guó)內(nèi)SiC產(chǎn)業(yè)鏈參與者有望充分受益于國(guó)內(nèi)自主品牌車企與造車新勢(shì)力崛起帶來的電動(dòng)汽車供應(yīng)鏈國(guó)產(chǎn)替代紅利，在高壓超充時(shí)代獲得更高市場(chǎng)份額。

當(dāng)前，國(guó)內(nèi)部分襯底制造企業(yè)和通過自建Foundry向IDM模式轉(zhuǎn)型的模塊封裝企業(yè)，已經(jīng)在產(chǎn)品研發(fā)和市場(chǎng)導(dǎo)入方面與海外龍頭并跑，更有望充分受益高壓超充帶來的歷史性機(jī)遇。

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審核編輯 黃宇