一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

ChatGPT變聰明了嗎?如何計(jì)算IGBT器件的工作結(jié)溫Tvj

英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體 ? 2023-09-09 08:16 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

本期是和ChatGPT辯論的第二回合

本期我們投喂了以下問題:

Q

如何計(jì)算IGBT器件的工作結(jié)溫Tvj?

ChatGPT是這樣說的:


要計(jì)算IGBT器件的工作結(jié)溫Tvj,需要考慮以下幾個因素:

1

IGBT芯片的功率損耗。這個值可以通過IGBT芯片廠家提供的datasheet中查到。通常來說,功率損耗越大,工作結(jié)溫就越高。

2

IGBT芯片的封裝方式。不同的封裝方式會影響散熱效率。一般來說,背面帶有散熱片的封裝方式散熱效果較好。

3

外部散熱器的散熱能力。外部散熱器的散熱能力也會影響工作結(jié)溫。散熱器的大小、材料以及通風(fēng)情況都會影響散熱效果。

如果考慮了以上因素后,可以使用以下公式計(jì)算IGBT器件的工作結(jié)溫Tvj:

Tvj = Ta + Pd*Rthjc


其中, Ta是環(huán)境溫度,Pd是IGBT芯片的功率損耗,Rthjc是芯片與散熱器結(jié)合部的熱阻。

需要注意的是,這個公式只考慮了IGBT芯片本身的散熱情況,并沒有考慮整個系統(tǒng)的散熱能力。因此,在實(shí)際應(yīng)用中,還需要結(jié)合具體的系統(tǒng)情況來確定IGBT器件的工作結(jié)溫。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • IGBT
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1278

    文章

    4069

    瀏覽量

    254558
  • 器件
    +關(guān)注

    關(guān)注

    4

    文章

    337

    瀏覽量

    28353
  • ChatGPT
    +關(guān)注

    關(guān)注

    29

    文章

    1589

    瀏覽量

    9100
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    什么是快速試驗(yàn)?

    快速試驗(yàn)是一種重要的環(huán)境測試方法,它模擬產(chǎn)品在實(shí)際使用過程中可能遇到的極端溫度變化條件,以評估產(chǎn)品在這些條件下的性能和可靠性。這種測試通常涉及到將產(chǎn)品暴露在預(yù)設(shè)的高溫和低溫環(huán)境中,然后觀察其在
    的頭像 發(fā)表于 06-24 14:34 ?109次閱讀
    什么是快速<b class='flag-5'>溫</b><b class='flag-5'>變</b>試驗(yàn)?

    紅外熱像和電學(xué)法測得藍(lán)光LED芯片結(jié)比較

    升,從而得到工作狀態(tài)下的結(jié),是LED器件及應(yīng)用產(chǎn)品熱工參數(shù)測量中最常使用的方法。而紅外熱像法是紅外探測器通過光學(xué)成像物鏡接收被測目標(biāo)的紅外輻射能量,并把能量分布
    的頭像 發(fā)表于 06-20 23:01 ?158次閱讀
    紅外熱像和電學(xué)法測得藍(lán)光LED芯片<b class='flag-5'>結(jié)</b><b class='flag-5'>溫</b>比較

    SiC MOSFET模塊的損耗計(jì)算

    為了安全使用SiC模塊,需要計(jì)算工作條件下的功率損耗和結(jié),并在額定值范圍內(nèi)使用。MOSFET損耗計(jì)算
    的頭像 發(fā)表于 06-18 17:44 ?2324次閱讀
    SiC MOSFET模塊的損耗<b class='flag-5'>計(jì)算</b>

    雜散電感對IGBT開關(guān)過程的影響(1)

    IGBT的開關(guān)損耗特性研究對IGBT變流器設(shè)計(jì)具有重要的意義,在有結(jié)構(gòu)緊湊性要求或可靠性要求較高或散熱條件特殊的場合,都需要嚴(yán)格按器件損耗特性進(jìn)行大余量熱設(shè)計(jì)以保證IGBT
    的頭像 發(fā)表于 04-22 10:30 ?893次閱讀
    雜散電感對<b class='flag-5'>IGBT</b>開關(guān)過程的影響(1)

    6.6 KW雙向OBC碳化硅MOSFET替代超結(jié)的仿真計(jì)算

    傾佳電子楊茜以6.6 KW雙向OBC(內(nèi)置3KW DC/DC )應(yīng)用為例做BASiC基本股份碳化硅MOSFET B3M040065和超結(jié)MOSFET OSG60R033TT4ZF的工作結(jié)
    的頭像 發(fā)表于 02-10 09:36 ?528次閱讀
    6.6 KW雙向OBC碳化硅MOSFET替代超<b class='flag-5'>結(jié)</b>的仿真<b class='flag-5'>計(jì)算</b>

    主驅(qū)逆變器應(yīng)用中不同 Zth 模型對分立 IGBT Tvj 計(jì)算的影響

    *本論文摘要由PCIM官方授權(quán)發(fā)布/摘要/在xEV應(yīng)用的主驅(qū)逆變器中,關(guān)于IGBT分立器件熱阻網(wǎng)絡(luò)建模和虛擬結(jié)計(jì)算的研究和論文相對較少。本
    的頭像 發(fā)表于 02-08 11:26 ?1257次閱讀
    主驅(qū)逆變器應(yīng)用中不同 Zth 模型對分立 <b class='flag-5'>IGBT</b> <b class='flag-5'>Tvj</b> <b class='flag-5'>計(jì)算</b>的影響

    森國科推出全新1200V/25A IGBT

    森國科推出的1200V/25A IGBT(選型:KG025N120LD-R)適用于逆焊機(jī)、不間斷電源和電磁加熱器等方面。新款IGBT的魯棒性和耐用性極強(qiáng),當(dāng)實(shí)際電流是標(biāo)準(zhǔn)電流的四倍時無閂鎖效應(yīng),短路時間極短,僅5μs,最大
    的頭像 發(fā)表于 12-04 16:16 ?725次閱讀
    森國科推出全新1200V/25A <b class='flag-5'>IGBT</b>

    功率模塊中的結(jié)估算技術(shù)

    結(jié)是判定IGBT是否處于安全運(yùn)行的重要條件,IGBT工作結(jié)
    的頭像 發(fā)表于 11-13 10:19 ?1610次閱讀
    功率模塊中的<b class='flag-5'>結(jié)</b><b class='flag-5'>溫</b>估算技術(shù)

    如何計(jì)算IGBT模塊的死區(qū)時間

    計(jì)算IGBT模塊死區(qū)時間 1 引言 在現(xiàn)代工業(yè)中,IGBT器件在電壓源逆變器中的使用越來越廣泛。為了確??煽康厥褂?b class='flag-5'>IGBT,必須避免出現(xiàn)橋臂
    的頭像 發(fā)表于 11-08 10:23 ?2933次閱讀
    如何<b class='flag-5'>計(jì)算</b><b class='flag-5'>IGBT</b>模塊的死區(qū)時間

    IGBT芯片/單管/模塊/器件的區(qū)別

    在電力電子技術(shù)的快速中,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)技術(shù)以其高效、可靠的性能,成為眾多領(lǐng)域的核心組件。從微小的IGBT芯片到復(fù)雜的IGBT器件,每一個組成部分都承載著推動電力電子技術(shù)
    的頭像 發(fā)表于 10-15 15:23 ?1746次閱讀

    MOSFET器件參數(shù):TJ、TA、TC到底講啥

    和壽命的關(guān)鍵因素。過高的溫度會導(dǎo)致器件性能下降,甚至損壞。因此,了解和計(jì)算這些溫度參數(shù)對于確保MOSFET器件的穩(wěn)定運(yùn)行至關(guān)重要。 2. 溫度參數(shù)定義TJ、TA、TC l TJ(結(jié)
    的頭像 發(fā)表于 08-15 17:00 ?5681次閱讀
    MOSFET<b class='flag-5'>器件</b>參數(shù):TJ、TA、TC到底講啥

    IGBT器件的基本結(jié)構(gòu)和作用

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),即絕緣柵雙極型晶體管,是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式開關(guān)功率半導(dǎo)體器件。它結(jié)合了雙極結(jié)型晶體管(BJT)和金屬氧化物
    的頭像 發(fā)表于 08-08 09:46 ?1503次閱讀

    igbt芯片vce與結(jié)的關(guān)系

    IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的半導(dǎo)體器件,具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、快速開關(guān)速度等特點(diǎn)。在IGBT的應(yīng)用過程中,VCE(集電極-發(fā)射極電壓)和結(jié)
    的頭像 發(fā)表于 08-08 09:13 ?3103次閱讀

    igbt模塊和igbt驅(qū)動有什么區(qū)別

    等級。 IGBT模塊工作原理 IGBT模塊的工作原理基于IGBT芯片的工作原理。
    的頭像 發(fā)表于 07-25 09:15 ?1927次閱讀

    IGBT功率器件功耗

    IGBT等功率電子器件工作中,由于自身的功率損耗,將引起IGBT溫度升高。引起功率器件發(fā)熱的原因主要有兩個,一是功率
    的頭像 發(fā)表于 07-19 11:21 ?1332次閱讀
    <b class='flag-5'>IGBT</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>功耗