從電子設(shè)備到智能電子的使用，設(shè)備的增加固然是提升人們生活的便捷性。但對于能源的使用效率來提升產(chǎn)品質(zhì)量以及降低能效始終是電子工程師在追求的事宜。比如同步整流的技術(shù)就是可以將產(chǎn)品的效率提高，從而降低功耗。

在實際的同步整流電路的研發(fā)生產(chǎn)中，值得我們注意的是，MOS管作為其中核心電子元器件，我們一定要選擇優(yōu)質(zhì)的MOS管才能進一步脫穎而出。

在市場中IPT015N10N5作為之前常用的國外型號，在國內(nèi)已經(jīng)有比較好的國產(chǎn)替代，它就是飛虹半導(dǎo)體的FHL385N1F1A型號場效應(yīng)管。

為何？因為FHL385N1F1A型號場效應(yīng)管具備以下特點：

1、低導(dǎo)通內(nèi)阻：使產(chǎn)品支持更小的阻抗和更大的峰值電流。

2、100% EAS測試，使產(chǎn)品可靠性有數(shù)據(jù)參考

3、100% DVDS熱阻測試（更低的熱阻，帶來優(yōu)異的溫升表現(xiàn)）

4、100% Rg測試，驗證產(chǎn)品的穩(wěn)定性

5、工業(yè)級的可靠性能：封裝電感小，帶來出色的EMI特性和可靠性。

場效應(yīng)管需要安全、穩(wěn)定、可靠，不僅僅說性能，對于供貨也是非常重要的。這一款工業(yè)級的385A、100V電流、電壓的FHL385N1F1A場效應(yīng)管型號參數(shù)是很適合使用在同步整流電路中。

使用過飛虹這一款MOS管的電子研發(fā)工程師都了解這款優(yōu)質(zhì)FHL385N1F1A國產(chǎn)場效應(yīng)管的詳細參數(shù)：其具有385A、100V的電流、電壓， RDS(on) = 1.5mΩ(MAX) @VGS = 10 V，RDS(on) =1.3mΩ(TYP) @VGS = 10 V，最高柵源電壓@VGS =±20 V。

FHL385N1F1A是一款N溝道增強型場效應(yīng)晶體管，F(xiàn)HL系列產(chǎn)品采用TOLL-8L封裝外形，其封裝產(chǎn)品具有低熱阻、低寄生電感、低封裝內(nèi)阻、小體積等特點。

FHL385N1F1A的具體參數(shù)值為：Vgs（±V）：20；VGS（th）：2.0-4.0V；ID（A）：385A；BVdss（V）：100V。

反向傳輸電容：940pF、靜態(tài)導(dǎo)通電阻（typ）：1.3mΩ、最大脈沖漏極電流（IDM ）：1540（A）。

越智能化的時代，需要性價比高的場效應(yīng)管。在國產(chǎn)化MOS管替代產(chǎn)品建議可以選擇優(yōu)質(zhì)的FHL385N1F1A場效應(yīng)管代換IPT015N10N5參數(shù)型號用于同步整流電路。

100V、385A 的MOS管代換使用，選對型號很重要。飛虹半導(dǎo)體的MOS管不僅廣泛應(yīng)用于同步整流電路中，還可用于新能源電動車、音響功放、UPS等終端應(yīng)用場景。為國內(nèi)的電子產(chǎn)品廠家提供了優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品以及配套服務(wù)。除提供免費試樣外，更可根據(jù)客戶需求進行量身定制MOS管產(chǎn)品。

審核編輯：湯梓紅