場效應(yīng)管特點
1.場效應(yīng)管是電壓控制器件，柵極基本不取電流,而晶體管是電流控制器件,基極必須取一定的電流,應(yīng)此對于信號源額定電流極小的情況下，常選用場效應(yīng)管。
2.場效應(yīng)管是多子導(dǎo)電,晶體管是兩種載流子參與導(dǎo)電。但少子受環(huán)境影響明顯。
3.場效應(yīng)管FET和晶體管BJT一樣具有放大作用，而且這兩種放大元件間存在著電極對應(yīng)關(guān)系G-b，S-e，D-c。因此根據(jù)BJT電路，即可得到與之對應(yīng)的FET放大電路。但不能簡單地加以替換，否則有時電路不能正常工作。場效應(yīng)除作放大器件及可控開關(guān)外還可作壓控可變線性電阻使用。
4.場效應(yīng)管S極和D極是對稱的，可以互換使用，耗盡型MOS管柵源電壓可正可負(fù)使用比晶體三極管靈活。
5.場效應(yīng)管組成放大電路時與晶體管一樣，必須選擇合適的靜態(tài)工作點，柵極必須有合適的偏壓，但不出現(xiàn)偏流，對不同類型場效應(yīng)管對偏壓的極性要求不同，特列如下：
|
類型 |
VGS |
VDS |
類型 |
VGS |
VDS |
|
N溝道JFET |
負(fù) |
正 |
P溝道JFET |
正 |
負(fù) |
|
N溝道EMOS |
正 |
正 |
P溝道EMOS |
負(fù) |
負(fù) |
|
N溝道DMOS |
正/負(fù) |
正 |
P溝道DMOS |
正/負(fù) |
負(fù) |
注：JFET表示結(jié)型場效應(yīng)管，DMOS表示耗盡型場效應(yīng)管；EMOS表示增強型場效應(yīng)管。
自給偏壓電路
如圖，為自給偏壓電路。電容對Rs起旁路作用——源極旁路電容。
?
自給偏壓電路
注：增強型場效應(yīng)管（MOSFET）只有G—S間電壓先達(dá)到某個開啟電壓VT時才有ID，所以自偏壓不適用于增強型MOSFET。
分析：當(dāng)Is流過Rs時產(chǎn)生Vs壓降對地是負(fù)值。所以，VGS=VG-VS=-ISRS=-IDRS
問題是：VGS決定于ID而ID又隨VGS變化而變化，如何能確定ID、VGS之值呢？下面內(nèi)容介紹兩種解法。
圖解法
步驟：
（1）作直流負(fù)載線（從輸出回手）
直流負(fù)載線于輸出特性曲線的不同VGS的交點，即管子內(nèi)部方程與輸出回路方程的聯(lián)立解，表明電路中ID，VDS，VGS的數(shù)值必在這些交點上。
(2)利用直流負(fù)載線上的點作轉(zhuǎn)移特性曲線。
?。?）定靜態(tài)工作點Q（從G極回路入手）因Q還應(yīng)滿足輸入回路，所以作輸入回路的直流負(fù)載線VGS=-IDRS，如圖。
（4）代入數(shù)據(jù)，得Q：VGS，VDS，ID
注：增強型場效應(yīng)管（MOSFET）只有G—S間電壓先達(dá)到某個開啟電壓VT時才有ID，所以自偏壓不適用于增強型MOSFET。
分析：當(dāng)Is流過Rs時產(chǎn)生Vs壓降對地是負(fù)值。所以，VGS=VG-VS=-ISRS=-IDRS
問題是：VGS決定于ID而ID又隨VGS變化而變化，如何能確定ID、VGS之值呢？下面內(nèi)容介紹兩種解法。
圖解法
步驟：
（1）作直流負(fù)載線（從輸出回手）
直流負(fù)載線于輸出特性曲線的不同VGS的交點，即管子內(nèi)部方程與輸出回路方程的聯(lián)立解，表明電路中ID，VDS，VGS的數(shù)值必在這些交點上。
(2)利用直流負(fù)載線上的點作轉(zhuǎn)移特性曲線。
?。?）定靜態(tài)工作點Q（從G極回路入手）因Q還應(yīng)滿足輸入回路，所以作輸入回路的直流負(fù)載線VGS=-IDRS，如圖。
（4）代入數(shù)據(jù)，得Q：VGS，VDS，ID
?
計算法
計算法采用下列公式求解:
式子的IDSS稱為飽和電流，即為VGS=0時ID的值；VP稱為夾斷電壓，當(dāng)VGS=VP時，漏極電流ID為0。
讓我們來看一個例子,電路如圖.
已知:VP=-4V ，IDSS=2mA。代入上述兩個公式得：
求解此兩方程,解得：ID1=0.82mA,ID2=0.30mA
因為-ID1RS< VP，因而ID1=0.82mA不合題意，舍去，故靜態(tài)漏極電流IDQ為
IDQ=0.30mA；
靜態(tài)管壓降VGSQ、VDSQ分別為
?
計算法采用下列公式求解:
式子的IDSS稱為飽和電流，即為VGS=0時ID的值；VP稱為夾斷電壓，當(dāng)VGS=VP時，漏極電流ID為0。
讓我們來看一個例子,電路如圖.
已知:VP=-4V ，IDSS=2mA。代入上述兩個公式得：
求解此兩方程,解得：ID1=0.82mA,ID2=0.30mA
因為-ID1RS< VP，因而ID1=0.82mA不合題意，舍去，故靜態(tài)漏極電流IDQ為
IDQ=0.30mA；
靜態(tài)管壓降VGSQ、VDSQ分別為
?
| ? |
JFET |
MOSFET | |
| N
溝 ?
道 |
|
|
|
| P
溝 道 |
|
|
|
