Trench工藝通過其深且窄的溝槽結(jié)構(gòu)、高精度刻蝕與填充、垂直結(jié)構(gòu)集成、兼容性強等特點，能夠滿足大多數(shù)電子設(shè)備對高性能、高密度和高可靠性的需求，廣泛應(yīng)用于逆變器、同步整流、電機控制等領(lǐng)域。

2025年飛虹半導體首發(fā)新品FHP160N06V型號MOS管，正是擁有上述特點，而且還擁有極低導通電阻，讓其可以無縫代換HY3606P、IRFB3306PbF型號場效應(yīng)管。

FHP160N06V作為N溝道增強型場效應(yīng)晶體管，它采用先進的trench技術(shù)，在降低了導通損耗的同時，還提高了雪崩能量和開關(guān)性能。

該晶體管可用于各種功率開關(guān)電路，產(chǎn)品外形是TO-220封裝，符合JEDEC標準，在環(huán)保上符合RoHS和REACH標準、無鹵環(huán)保。

下述將圍繞FHP160N06V場效應(yīng)管的產(chǎn)品特點、友商參數(shù)對比、推薦應(yīng)用范圍、部分典型特性曲線來介紹：

一、產(chǎn)品特點

（1）100% EAS測試。

（2）100% Rg測試。

（3）100% DVDS瞬間熱阻測試。

（4）采用細化分檔Vth,進一步提高了產(chǎn)品的一致性高。

（5）通過采用特色的trench工藝，結(jié)合優(yōu)秀的封裝BOM材料，使產(chǎn)品擁有高可靠性，開關(guān)速度快。

（6）擁有極低的導通內(nèi)阻RDS(on)，優(yōu)秀的品質(zhì)因子FOM(RDS(on)*Qg)。

（7）雪崩耐量高，抗沖擊性能強。

二、友商參數(shù)對比

1、FHP160N06V對比HY3606P擁有更低的導通內(nèi)阻，降低了導通損耗，同時提高品質(zhì)因數(shù)FOM(RDSON*Qg)，讓MOS管的性能更優(yōu)。

2、FHP160N06V與IRFB3306PbF相比，降低了導通損耗，并且國產(chǎn)化在性能與價格的綜合方面更有優(yōu)勢。

三、推薦應(yīng)用范圍

1、適合全橋拓撲結(jié)構(gòu)的工頻逆變器應(yīng)用。

2、適合24-36V BLDC電機驅(qū)動控制器

3、適合24V蓄電池供電的UPS不間斷電源。

4、適合大功率高頻開關(guān)電源上的同步整流。

5、高頻逆變器應(yīng)用：12V蓄電池輸入的車載高頻逆變器中的DC/DC推挽拓撲升壓電路。

6、適合5串磷酸鐵鋰電池組搭配的戶外儲能電源，其逆變模塊中的DC-DC推挽拓撲升壓電路上使用。

四、部分典型特性曲線

對于常需要用于逆變器、同步整流、電機控制等領(lǐng)域的產(chǎn)品建議可以多看看這一款優(yōu)質(zhì)的國產(chǎn)化MOS管。FHP160N06V新產(chǎn)品的發(fā)布為電子廠商提供更低導通電阻的產(chǎn)品選擇，也提供更高性價比的場效應(yīng)管。

飛虹半導體致力于大功率分立器件、集成電路、功率器件的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售，給廠家提供可持續(xù)穩(wěn)定供貨。至今已經(jīng)有35年半導體行業(yè)經(jīng)驗以及20年研發(fā)、制造經(jīng)驗。除可提供免費試樣外，更可根據(jù)客戶需求進行量身定制MOS管產(chǎn)品。