PMOS和NMOS為什么不能同時(shí)打開？PMOS可以背靠背使用，那NMOS呢？

PMOS和NMOS是兩種不同的MOSFET（MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。這兩種晶體管有著不同的電性質(zhì)和工作方式，因此不能同時(shí)打開。

首先，讓我們來了解一下MOSFET的基本工作原理。MOSFET由源、漏和柵電極組成。當(dāng)柵電極施加一定電壓時(shí)，會(huì)形成一個(gè)電場(chǎng)，控制源和漏之間的電阻。如果柵電極施加電壓使電場(chǎng)向源電極推進(jìn)，那么源和漏之間的電阻就會(huì)降低，電流也會(huì)增加。

在PMOS中，P型半導(dǎo)體為其基底，N型半導(dǎo)體為其源、漏，通常使用P型柵極。而在NMOS中，N型半導(dǎo)體為其基底，P型半導(dǎo)體為其源、漏，通常使用N型柵極。

PMOS和NMOS在工作方式上有所不同。在PMOS中，當(dāng)柵電極電壓為0時(shí)，由于P型半導(dǎo)體基底與N型半導(dǎo)體源、漏之間形成PN結(jié)，因此PMOS處于導(dǎo)通狀態(tài)，電流可以通過。但是當(dāng)柵電極施加正電壓時(shí)，P型半導(dǎo)體基底與柵電極之間形成反向電場(chǎng)，導(dǎo)致PN結(jié)被放大，PMOS處于截止?fàn)顟B(tài)，電流不能通過。

因此，當(dāng)PMOS的柵電極電壓為0時(shí)，PMOS可被打開，但是當(dāng)NMOS的柵電極電壓為0時(shí)，NMOS是不能被打開的。同樣地，當(dāng)NMOS柵電極施加正電壓時(shí)，NMOS可以被打開，但是PMOS則不能打開。

另一個(gè)問題是，為什么PMOS可以背靠背使用，但NMOS不能？這是因?yàn)镻MOS中，P型半導(dǎo)體基底和源漏區(qū)域之間形成了一個(gè)N型的互補(bǔ)區(qū)域，它可以很好地隔離不同PMOS晶體管的互相干擾。但是，在NMOS中，N型半導(dǎo)體基底和源漏區(qū)域之間沒有形成互補(bǔ)區(qū)域，因此無法背靠背使用。

總之，PMOS和NMOS由于其不同的電性質(zhì)和工作方式，不能同時(shí)打開。同時(shí)，在設(shè)計(jì)電路時(shí)，需要注意PMOS可背靠背使用，但是NMOS不可用這種方式。