文章來源：Tom聊芯片智造

原文作者：芯片智造

本文介紹了PMOS和NMOS的工作原理。

什么是PMOS與NMOS？

此處以增強(qiáng)型PMOS，NMOS為例，通常說的MOS管說的都是增強(qiáng)型MOS管。

上圖為PMOS的示意圖，襯底為N型半導(dǎo)體，源極 (Source) 和漏極 (Drain)摻雜了P型雜質(zhì) (如硼B(yǎng))，形成P+區(qū)。N型硅多電子。

上圖為NMOS的示意圖，襯底為P型硅，襯底源極 (Source) 和漏極 (Drain)摻雜了N型雜質(zhì) (如磷P)，形成 N+區(qū)。P型硅多空穴。

NMOS的工作原理

如上圖，當(dāng)柵極沒有施加電壓時(shí)，源極和漏極之間沒有電流通過，MOSFET處于關(guān)斷狀態(tài)。當(dāng)柵極施加一個(gè)正電壓時(shí)，該電場(chǎng)會(huì)將P型襯底中靠近柵氧的空穴排斥開，同時(shí)吸引電子到柵氧下方的區(qū)域，形成N型導(dǎo)電溝道。

在漏極 (Drain) 上施加正電壓，在源極和漏極之間形成電壓差。電子從源極經(jīng)過溝道流向漏極，形成漏極電流，電路導(dǎo)通。通過調(diào)節(jié)柵電壓，可以控制導(dǎo)電通道的寬度，從而調(diào)節(jié)源極和漏極之間的電流流動(dòng)。

PMOS的工作原理

PMOS晶體管中，當(dāng)柵極施加負(fù)電壓時(shí)，N型襯底中的電子被排斥，空穴 (Holes)被吸引到柵極下方。形成一個(gè)P型導(dǎo)電溝道，連接源極和漏極，實(shí)現(xiàn)空穴流動(dòng)。當(dāng)在源極和漏極之間施加電壓時(shí)，電流可以流動(dòng)。