瞬態(tài)響應(yīng)試驗

瞬態(tài)響應(yīng)試驗不僅是對POL電源來說是個重要特性，對于電源來說也是十分重要的一個特性。特別是對于連接到低壓CPU與FPGA等的POL電源尤其重要。

POL電源的瞬態(tài)響應(yīng)試驗一般是確認當(dāng)脈沖狀的電流產(chǎn)生時所發(fā)生的電壓變化，可以參考下圖。

通過瞬態(tài)響應(yīng)試驗，可以確認CPU與PFGA在快速輸入電流變動時，POL電源的恒壓能力。

菊水產(chǎn)品應(yīng)用

在瞬態(tài)響應(yīng)試驗中，要求對POL電源進行各種試驗要求。在進行各類試驗時，雖然可以通過測試多個CPU與FPGA來驗證，但是由于需要根據(jù)每個試驗條件去改變這些設(shè)備的連接，或者是為改變處理的設(shè)定而每次進行調(diào)整等，所以并不是十分現(xiàn)實。

在此類情況下，電子負載裝置可以通過在任意時間間隔內(nèi)改變輸入電流來進行模擬。其操作不僅可以直接在前面板進行，還可在PC上進行遠程操作。所以十分適合瞬態(tài)響應(yīng)試驗。

而作為菊水的電子負載裝置產(chǎn)品，PLZ-5W系列的開關(guān)功能正是可以對應(yīng)瞬態(tài)響應(yīng)試驗的功能。

PLZ-5W單機的低電壓運作

一般的電子負載在低壓部分有衰減流動電流的區(qū)域，在POL電源這類的低電壓電源的試驗中使用時會產(chǎn)生問題。下圖為一般電子負載的簡易輸入電路。

通過功率器件、運算放大器與電流檢測電阻實現(xiàn)恒流電路，并通過控制該恒流電路實現(xiàn)恒流模式、恒壓模式、恒阻模式等。

MOS-FET通常是電子負載的首選功率器件。擁有一個ON電阻，ON電阻是可實現(xiàn)MOS-FET的Min電阻值。也就是電子負載的輸入電路的Min電阻值是MOS-FET的ON電阻與電流感應(yīng)電阻的和。

因此，即使在負載端子的電壓非常低但想要流過大電流時，會由于輸入電路的電阻值有下限，而導(dǎo)致超過一定數(shù)值的電流無法流過。下圖右側(cè)的圖標與公式表示了這一點，在低電壓下，負載電流與施加的電流成比例關(guān)系。

另外，需要注意的是，即使動力裝置使用的不是MOS-FET而是雙極晶體管，在低電壓時也會有像恒阻一樣的動作區(qū)域，因此會引起可流動Max電流的衰減。

在下圖中顯示的區(qū)域被稱為飽和區(qū)域，在這個區(qū)域中，晶體管會呈現(xiàn)恒壓運作，因此會引起低電壓時可流動Max電流的衰減。