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IGBT模塊封裝工藝流程 IGBT封裝技術(shù)的升級方向

芯長征科技 ? 來源:芯長征科技 ? 2023-11-21 15:49 ? 次閱讀

IGBT模塊的封裝技術(shù)難度高,高可靠性設(shè)計(jì)和封裝工藝控制是其技術(shù)難點(diǎn)。IGBT模塊具有使用時(shí)間長的特點(diǎn),汽車級模塊的使用時(shí)間可達(dá)15年。因此在封裝過程中,模塊對產(chǎn)品的可靠性和質(zhì)量穩(wěn)定性要求非常高。高可靠性設(shè)計(jì)需要考慮材料匹配、高效散熱、低寄生參數(shù)、高集成度。

封裝工藝控制包括低空洞率焊接/燒結(jié)、高可靠互連、ESD防護(hù)、老化篩選等,生產(chǎn)中一個(gè)看似簡單的環(huán)節(jié)往往需要長時(shí)間摸索才能熟練掌握,如鋁線鍵合,表面看只需把電路用鋁線連接起來,但鍵合點(diǎn)的選擇、鍵合的力度、時(shí)間及鍵合機(jī)的參數(shù)設(shè)置、鍵合過程中應(yīng)用的夾具設(shè)計(jì)、員工操作方式等等都會影響到產(chǎn)品的質(zhì)量和成品率。

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IGBT模塊封裝工藝流程

散熱效率是模塊封裝的關(guān)鍵指標(biāo),會直接影響IGBT的最高工作結(jié)溫,從而影響IGBT的功率密度。由于熱膨脹系數(shù)不匹配、熱機(jī)械應(yīng)力等原因,模組中不同材料的結(jié)合點(diǎn)在功率循環(huán)中容易脫落,造成模塊散熱失效。

主流方案 先進(jìn)方案
芯片間連接方式 鋁線鍵合 鋁帶鍵合、銅線鍵合
模組散熱結(jié)構(gòu) 單面直接水冷 雙面間接水冷、雙面直接水冷
DBC板/基板材料 DBC:Al2O3 DBC:AIN、Si3N4
基板:Cu 基板:AISiC
芯片與DBC基板的連接方式 SnAg焊接 SnSb焊接、銀燒結(jié)、銅燒結(jié)

IGBT封裝技術(shù)的升級方向

提高模組散熱性能的方法包括改進(jìn)芯片間連接方式、改進(jìn)散熱結(jié)構(gòu)、改進(jìn)DBC板/基板材料、改進(jìn)焊接/燒結(jié)工藝等。比如英飛凌的IGBT5應(yīng)用了先進(jìn)XT鍵合技術(shù),采用銅線代替鋁線鍵合、銀燒結(jié)工藝、高可靠性系統(tǒng)焊接,散熱效率得到大幅提升,但同時(shí)也面臨著成本增加的問題。

另外還有客戶壁壘:認(rèn)證周期長,先發(fā)企業(yè)優(yōu)勢明顯

IGBT產(chǎn)品取得客戶認(rèn)可的時(shí)間較長。由于其穩(wěn)定性、可靠性方面的高要求,客戶的認(rèn)證周期一般較長,態(tài)度偏向謹(jǐn)慎,在大批量采購前需要進(jìn)行多輪測試。新進(jìn)入者很難在短期內(nèi)獲得下游客戶認(rèn)可。

消費(fèi)類 工業(yè)級 汽車級
工況 不同行業(yè)有所不同 高溫&低溫、震動(dòng)
工作結(jié)溫 -20-70° -25-150°C -40-150°
濕度 根據(jù)工作環(huán)境確定 0-100%
失效率要求 3% <1% 0
使用時(shí)間 1-3年 3-10年 10-15年
認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn) JEDEC標(biāo)準(zhǔn)(器件) JEDEC標(biāo)準(zhǔn)(器件) AEC-Q101(器件)
IEC60747-15(模組) IEC60747-15(模組) AQG324(模組)
設(shè)計(jì)要點(diǎn) 防水 防水、防腐、防潮、防霉變 增強(qiáng)散熱效率、抗震設(shè)計(jì)

不同應(yīng)用場景對IGBT模塊的要求 以汽車級IGBT為例,認(rèn)證全周期可達(dá)2-3年。IGBT廠商進(jìn)入車載市場需要獲得AEC-Q100等車規(guī)級認(rèn)證,認(rèn)證時(shí)長約12-18個(gè)月。通過后,廠商還需與車廠或Tier 1供應(yīng)商進(jìn)行車型導(dǎo)入測試驗(yàn)證,這一過程可能持續(xù)2-3年。在測試驗(yàn)證完成后,供應(yīng)商通常會先以二供或者三供的身份供貨,再逐步提高量。而在需求穩(wěn)定的情況下,車廠出于供應(yīng)鏈安全考慮,更傾向于與現(xiàn)有供應(yīng)商保持合作,新IGBT供應(yīng)商可能無法得到驗(yàn)證機(jī)會。

文章來源:功率半導(dǎo)體生態(tài)圈







審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:IGBT模塊封裝壁壘:難點(diǎn)在于高可靠性

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