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【科普小貼士】按結(jié)構(gòu)分類的MOSFET特性摘要

jf_pJlTbmA9 ? 來源:東芝半導(dǎo)體 ? 2023-12-13 14:15 ? 次閱讀
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基于各種MOSFET結(jié)構(gòu)的特性和主要應(yīng)用如表3-2所示。

耐受電壓:選擇目標(biāo)耐受電壓的最佳結(jié)構(gòu)。

低導(dǎo)通電阻:U-MOS適用于250V及以下產(chǎn)品,SJ-MOS(或DTMOS)適用于大于250V的產(chǎn)品。

高電流:與低導(dǎo)通電阻的趨勢相同。

高速:U-MOS由于柵極容量(Ciss)大,不利于高速開關(guān)。

根據(jù)產(chǎn)品的不同,利用低導(dǎo)通電阻特性,具有較小“Ron×Ciss”設(shè)計的高速開關(guān)也實現(xiàn)了商業(yè)化。

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文章來源:東芝半導(dǎo)體

審核編輯:湯梓紅

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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