本次與大家分享的是世健和ADI聯(lián)合舉辦的《在ADI電源產(chǎn)品的花園里“挖呀挖”》主題活動的一等獎文章：《LTC7891的GaN 400W電源模塊》及作者獲獎感言。

獲獎感言

LTC7891的GaN 400W電源模塊

非常感謝世紀電源網(wǎng)與世健組織的這次ADI產(chǎn)品應用與技術分享活動。在本次中得到一等獎在驚喜之余又感覺特別幸運。

在本次分享的活動中，我結合了自己第一次做GaN電源過程中遇到的一些問題和心得進行分享，希望大家能參與進來，互相交流和探討，共同進步，再次感謝世健和ADI，以后將會持續(xù)關注。

作者：feiyangziwo

所在行業(yè)：消費類電源

應用領域：機器人

應用案例名稱：GaN的400W電源模塊

ADI電源產(chǎn)品類型：開關穩(wěn)壓器

ADI電源產(chǎn)品型號：LTC7891

前言

各位工程師們，大家好。本次給大家分享的產(chǎn)品是ADI專門給GaN設計的LTC7891控制器。

LTC7891是一款高性能、降壓DC/DC開關穩(wěn)壓器控制器，通過高達100 V的輸入電壓驅動所有N通道同步氮化鎵(GaN)場效應晶體管(FET)功率級。作為此產(chǎn)品的控制核心配合GaN EFT的 EPC2306的BUCK降壓的模塊，具有寬壓輸入、高功率密度、體積小等特點。

現(xiàn)在市面上的電源模塊尺寸都比較大，成熟的隔離型400W電源模塊的尺寸多為1/4磚甚者更大，對于需要大功率電源模塊供電但對體積和散熱環(huán)境要求苛刻的機器人內部是一個很大的挑戰(zhàn)，成品在售的非隔離型的400W模塊市場上更加少了。

GaN FET 它有著它獨特在高頻上和高功率密度的優(yōu)勢，可以通過提高電源開關頻率從而減小后端的功率電感L和濾波電容C的體積，而且轉換效率也能做到比較高。本次介紹產(chǎn)品的輸入電壓為：DC 36~75V，輸出電壓為：12V@33A。尺寸是：1/8磚，主控IC為：LTC7891。

01

原理圖和PCB設計

接下來我們看一下本次電源產(chǎn)品的原理圖：

再來看一下產(chǎn)品模塊和測試板的尺寸和布局示意圖：

接著是PCB制版圖。

以及物料BOM。

02

調試測試

這是板子回來焊接好的樣子，看著還不錯。但是板子在調試中拉滿載的時候還是發(fā)現(xiàn)了一些問題：

在重載的時候SW過沖有點嚴重，而且已經(jīng)接近MOS的上限了，發(fā)熱也有點嚴重。大家可以看一下SW位置的測試圖：

波形展開細節(jié)，有多次過沖和震蕩。可以考慮用RC吸收電路來消除過沖。

接下來我測量了震蕩的頻率，通過頻率來計算吸收的R和C的值，R設置為10R-0.5W。

通過吸收脈沖，雖然在重載的時候效率損失了0.1%左右，但是還是屬于可以接受的范圍內了。

03

經(jīng)驗總結

接下我將為大家來總結一下通過本次實驗過程遇到的問題以及產(chǎn)品的特點，以及分享一些經(jīng)驗技巧：

1.ADI的LTC7891柵極驅動電壓可精確調節(jié)4V至5.5V，以優(yōu)化性能，來實現(xiàn)不同GaN FET甚至低邏輯電平的MOSFET，還可以通過配置死區(qū)時間，適配不同開關頻率下的最優(yōu)的效率設計。

2.GaN的驅動電壓只有5V左右，而且開關頻率高（可以設計>1Mhz），所以驅動環(huán)路在PCB layout的時候尤其需要注意，盡量走線最短和加粗，減少驅動環(huán)路的寄生電感，要不Vg就很容易過沖或者下沖，一般的GaN的Vg最大值也只有6~7V，很容易導致Vg過壓損壞。

3.輸出的功率回路環(huán)路也需要特別注意，由于采用外部采樣電阻，所以功率回路會比較長，要注意高頻電容的擺放，使得環(huán)路最小，減少SW過沖。

4.再有就是需要根據(jù)GaN參數(shù)配置合適的開關頻率，雖然GaN支持高速開關，但是pcb的環(huán)路做不好只能減小降頻來使用了。再有就是GaN做的比一般MOS管小，散熱設計也是非常需要注意的。現(xiàn)在有一些GaN FET支持TOP和BOTTOM都進行散熱，感覺這樣會是一個不錯的思路。

本次分享到此結束，感謝大家的閱讀。