在集成電路中，光刻工藝是非常核心及重要的加工環(huán)節(jié)，而光刻膠雖然只占芯片制程成本6%，卻是光刻工藝中的核心材料之一，其純度和質(zhì)量直接決定了芯片的良品率。“如果缺少了光刻膠, 那么***將成為廢鐵。”

“光刻膠

除了半導體制程工藝，印刷電路板（PCB）和顯示面板產(chǎn)業(yè)也需要使用光刻膠。光刻膠在半導體應用中根據(jù)不同制程的***需要使用不同種類的光刻膠，光刻膠主要根據(jù)曝光光源波長不同來分類，包括紫外全譜（300～450nm）、G線（436nm）、I線（365nm）、深紫外（DUV，包括248nm和193nm）和極紫外（EUV）。其中，半導體用光刻膠主要分為5個種類：g線光刻膠、i線光刻膠、KrF光刻膠、ArF光刻膠和EUV光刻膠。

對于光刻膠來說，除了需要具備正確的配方研發(fā)，更重要的是要嚴格控制金屬雜質(zhì)的含量。越高級的光刻膠對金屬雜質(zhì)的含量要求越嚴格。

為了生產(chǎn)高純度、高質(zhì)量的光刻膠，需要高純度的配方原料，例如光刻樹脂，溶劑PGMEA…此外，生產(chǎn)過程中的反應釜鍍膜和金屬析出污染監(jiān)測也是至關(guān)重要的控制環(huán)節(jié)。例如，2019年，某家半導體制造公司由于光刻膠受到光阻原料的污染，導致上萬片12吋晶圓報廢，直接損失達5.5億美元。由此可見光刻膠質(zhì)量控制的重要性。

隨著技術(shù)進步和制程線寬越來越細，對于光刻膠的市場使用需求也將不斷增加，然而，更嚴苛的光刻工藝意味著需要更高端、更高純度、更高質(zhì)量的光刻膠。

SGS半導體超痕量分析實驗室，擁有業(yè)界尖端的分析設備與環(huán)境，為半導體產(chǎn)業(yè)及其供應鏈提供專業(yè)的光刻膠與光刻膠上游原材料的純度、微量金屬雜質(zhì)及其他雜質(zhì)分析服務。