我們常說IGBT是由BJT（雙極型晶體管）和MOSFET（金屬氧化物半導體場效應管）所構成，IGBT中的BJT(Bipolar Junction Transistor)實際上就是由本章前文所述的一對PN結和PIN結所組成，如圖所示，其工作過程中的IV特性同樣可以通過穩(wěn)定狀態(tài)下的連續(xù)性方程和載流子濃度分布來推導得出，因過程較為繁瑣，這里不贅述詳細的推導過程，僅僅把推導邏輯做一個梳理，感興趣的讀者可以根據這個邏輯，并參考前面關于PN結和PIN結的推導過程來嘗試推演一下。

回顧之前對于PN結構和PIN結構的分析，穩(wěn)態(tài)下BJT內部的電荷分布（少子）大致可以描繪如圖中曲線所示。

在N-base區(qū)，摻雜濃度足夠低，電子濃度和空穴濃度處處相等，擴散電流和復合電流同時存在；在集電區(qū)和發(fā)射區(qū)的P+區(qū)域，摻雜濃度足夠高，少子迅速被復合，少子復合電流遠大擴散電流。