今年以來800V車型密集發(fā)布,而碳化硅則是800V高壓快充的標(biāo)配,已有小鵬G6、極氪X、智己LS6等多款20-25萬元價(jià)格段的標(biāo)配碳化硅車型上市。
第三代半導(dǎo)體碳化硅憑借高效率、高功率密度等優(yōu)異特性,為應(yīng)用系統(tǒng)“降本+增效”。
以新能源汽車主驅(qū)為例,根據(jù) ST 測(cè)算,碳化硅逆變器效率比 IGBT 逆變器高 3.4%,可以有效提升續(xù)航、節(jié)省電池成本。
此外,由于碳化硅逆變器體積較小,還可搭載成本更低的冷卻系統(tǒng),從而降低整車成本。因此新能源汽車主驅(qū)逆變器、車載 OBC、DC/DC 轉(zhuǎn)換器已率先開啟 SiC SBD、SiC MOS 的滲透。
相關(guān)上市公司及ETF梳理
天岳先進(jìn):公司是一家國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的寬禁帶半導(dǎo)體(第三代半導(dǎo)體)襯底材料生產(chǎn)商。目前,公司主要產(chǎn)品包括半絕緣型和導(dǎo)電型碳化硅襯底。公司自主研發(fā)出半絕緣型碳化硅襯底產(chǎn)品,實(shí)現(xiàn)我國(guó)核心戰(zhàn)略材料的自主可控。產(chǎn)品已批量供應(yīng)至國(guó)內(nèi)碳化硅半導(dǎo)體行業(yè)的下游核心客戶,同時(shí)已被國(guó)外知名的半導(dǎo)體公司使用。
露笑科技:公司引進(jìn)資深科研團(tuán)隊(duì)布局碳化硅襯底。公司碳化硅業(yè)務(wù)主要通過控股子公司合肥露笑半導(dǎo)體材料有限公司實(shí)施。
東尼電子:公司募投項(xiàng)目切入碳化硅襯底業(yè)務(wù)。2021年11月,公司以“年產(chǎn) 12 萬片碳化硅半導(dǎo)體材料項(xiàng)目”為募投項(xiàng)目的非公開發(fā)行股票發(fā)行完成,其中募集資金3.3億元將投資于該項(xiàng)目,為項(xiàng)目后續(xù)發(fā)展提供有效的保障,預(yù)計(jì)將于2023年11月達(dá)產(chǎn)。目前公司已拿到碳化硅下游優(yōu)質(zhì)外延片生產(chǎn)廠商的來料、成品等檢測(cè)結(jié)果,反饋良好。
斯達(dá)半導(dǎo):國(guó)內(nèi)碳化硅器件龍頭,碳化硅器件已批量供應(yīng)新勢(shì)力頭部廠商,另有10余款新車型定點(diǎn),多個(gè)SiC-MOSFET模塊項(xiàng)目定點(diǎn)。公司布局寬禁帶功率半導(dǎo)體器件。在機(jī)車牽引輔助供電系統(tǒng)、新能源汽車行業(yè)控制器、光伏行業(yè)推出的各類SiC模塊得到進(jìn)一步的推廣應(yīng)用。在新能源汽車領(lǐng)域,公司新增多個(gè)使用全SiC MOSFET模塊的800V系統(tǒng)的主電機(jī)控制器項(xiàng)目定點(diǎn)。
揚(yáng)杰科技:在互動(dòng)平臺(tái)回復(fù)稱,公司持續(xù)增強(qiáng)對(duì)第三代半導(dǎo)體的研發(fā)力度,其中碳化硅系列二極管、MOSFET等系列產(chǎn)品均已經(jīng)得到多領(lǐng)域國(guó)內(nèi)top客戶認(rèn)可,并實(shí)現(xiàn)批量出貨。碳化硅晶圓項(xiàng)目廠房建設(shè)已經(jīng)封頂,設(shè)備已在陸續(xù)進(jìn)場(chǎng)中,相關(guān)產(chǎn)品研發(fā)也在持續(xù)推進(jìn),預(yù)計(jì)2024年可通線量產(chǎn)。
-
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
335文章
28909瀏覽量
237817 -
功率半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
23文章
1310瀏覽量
44135 -
碳化硅
+關(guān)注
關(guān)注
25文章
3066瀏覽量
50465
原文標(biāo)題:碳化硅半導(dǎo)體:4家上市公司情況介紹
文章出處:【微信號(hào):DT-Semiconductor,微信公眾號(hào):DT半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
博世上海碳化硅功率半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室介紹
基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用

國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu)
基本半導(dǎo)體碳化硅(SiC)MOSFET低關(guān)斷損耗(Eoff)特性的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

SiC碳化硅二極管公司成為國(guó)產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對(duì)象
Wolfspeed第4代碳化硅技術(shù)解析

碳化硅薄膜沉積技術(shù)介紹

評(píng)論