11月30日，中汽創(chuàng)智首批自主研發(fā)的1200V 20mΩ SiC MOSFET在積塔工廠正式下線。本款芯片采用平面柵型結(jié)構(gòu)，具有獨(dú)立自主的知識(shí)產(chǎn)權(quán)、自主設(shè)計(jì)的新型終端結(jié)構(gòu)具有更高的工藝可靠性，在同等耐壓水平下，體積更小，可應(yīng)用于新能源汽車主驅(qū)逆變器等車載電源系統(tǒng)。

中汽創(chuàng)智CEO李豐軍、硬件系統(tǒng)開發(fā)部總經(jīng)理林湖，積塔半導(dǎo)體執(zhí)行董事李晉湘、總經(jīng)理周華、副總經(jīng)理劉建華，長(zhǎng)沙金維信息技術(shù)有限公司董事長(zhǎng)劉彥，西南集成電路設(shè)計(jì)有限公司副總經(jīng)理陳隆章等出席了下線儀式，共同見證了中汽創(chuàng)智和積塔半導(dǎo)體的戰(zhàn)略合作簽約。

李豐軍表示，中汽創(chuàng)智承擔(dān)著國(guó)家自主創(chuàng)新的歷史使命，而第三代半導(dǎo)體SiC技術(shù)則是新能源汽車的關(guān)鍵核心領(lǐng)域。此次成功流片是實(shí)現(xiàn)芯片能力自主突破的里程碑事件，也預(yù)示著雙方密切合作的良好開端。實(shí)現(xiàn)***的能力自主必將充滿艱難與挑戰(zhàn)，中汽創(chuàng)智愿與上下游產(chǎn)業(yè)鏈通力合作，逐步樹立起芯片自主能力落地的標(biāo)桿，成為產(chǎn)業(yè)合作的優(yōu)秀典范。

首批自主研發(fā)的1200V 20mΩ SiC MOSFET成功下線，標(biāo)志著中汽創(chuàng)智“中國(guó)芯”戰(zhàn)略邁上新臺(tái)階。中汽創(chuàng)智通過以SiC模塊為切入點(diǎn)，快速形成SiC功率模塊封裝、測(cè)試能力和基于SiC技術(shù)的車載集成電源系統(tǒng)開發(fā)能力，逐步建立起從上游芯片設(shè)計(jì)、模塊封裝，到下游應(yīng)用支持的“一站式” 能力。此次與積塔半導(dǎo)體正式簽署戰(zhàn)略合作，進(jìn)一步拉通了第三代半導(dǎo)體上下游資源，為中汽創(chuàng)智穩(wěn)步實(shí)施虛擬IDM戰(zhàn)略，實(shí)現(xiàn)車規(guī)級(jí)芯片自主研發(fā)和制造奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

未來，中汽創(chuàng)智自主研發(fā)的1200V 40mΩ及80mΩ SiC MOSFET等產(chǎn)品將陸續(xù)與積塔半導(dǎo)體進(jìn)行深度合作。中汽創(chuàng)智與積塔半導(dǎo)體等汽車芯片產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)質(zhì)資源將始終堅(jiān)持強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合、優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)，以追求、引領(lǐng)行業(yè)趨勢(shì)為發(fā)展方向，加速實(shí)現(xiàn)***的戰(zhàn)略目標(biāo)。