國星光電前瞻布局戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)，牽頭承擔的Micro LED全彩顯示屏研發(fā)項目分別獲批國家重點研發(fā)計劃、廣東省重點領域研發(fā)計劃等科研項目?；谧灾鞔罱ǖ腗icro LED創(chuàng)新研發(fā)平臺，國星光電全力推進Micro LED新型顯示項目開發(fā)，按下關鍵技術攻堅進程的“加速鍵”。

近日，國星光電Micro LED超高清顯示研發(fā)項目迎來關鍵里程碑式進展，成功點亮1.84英寸Micro LED全彩顯示屏——nStar Ⅲ，該屏采用LTPS-TFT玻璃基驅(qū)動背板，像素間距縮小到0.078mm，分辨率360*480，采用全倒裝無襯底LED像素發(fā)光單元，可實現(xiàn)屏幕峰值亮度＞1500nits，強光照射下仍可保持高清顯示畫面，相關技術成果未來有望在Micro LED手表等智能穿戴產(chǎn)品領域廣泛應用。

國星光電 nStar Ⅲ技術優(yōu)勢：

▌高精度轉(zhuǎn)移

采用國星光電自主研發(fā)的巨量轉(zhuǎn)移技術路線，實現(xiàn)＞50多萬顆Micro LED芯片高密度集成，R/G/B三色芯片落位精度＜2um，轉(zhuǎn)移良率＞99.9%。此外，國星Micro LED研發(fā)平臺未來還可支持12寸以內(nèi)基板上芯片多次拼接鍵合。

▌高集成封裝

采用國星光電自主研發(fā)的Micro LED玻璃基封裝專利技術，外形厚度更薄，平整度更高，可兼顧散熱與顯示一致性。

至此，國星光電已實現(xiàn)像素間距從P0.X至P0.0X等多樣化場景應用的“未來國星屏”矩陣。接下來，公司將繼續(xù)深耕Micro LED微顯示賽道，開發(fā)硅基AR顯示技術，打造更全面、更多元化的Micro LED應用領域布局，同時建立產(chǎn)品、技術及解決方案多元化平臺體系，期待與客戶聯(lián)合創(chuàng)新，推進新產(chǎn)品、新技術的商業(yè)化應用，合力構筑更美好的未來視界。

審核編輯：劉清