近日，在廈門召開的第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）的“Mini/Micro-LED技術產(chǎn)業(yè)應用論壇”上， 廈門大學物理科學與技術學院副院長黃凱教授帶來了“顯示用Micro-LED 芯片與集成技術新進展”的主題報告，分享了Micro-LED 顯示技術關鍵瓶頸，以及顯示用Micro-LED芯片與集成技術新進展。

Micro-LED 顯示技術利用微型化的LED芯片作為顯示像素點，可應用在幾乎所有的主流顯示應用領域，結(jié)構簡單、無縫拼接，超高對比度、超高亮度等特點。Micro-LED顯示技術當前面臨的主要瓶頸，涉及外延均勻性提升與顆粒污染物控制；小尺寸芯片工作電流區(qū)間下量子效率提升；巨量轉(zhuǎn)移、修復效率與良率提升；面向微顯示的全彩化技術開發(fā);針對Micro-LED顯示的驅(qū)動技術開發(fā)。

Micro-LED芯片關鍵問題涉及尺寸效應和邊緣效應導致的量子效率低，刻蝕工藝引入大量表面缺陷，造成側(cè)壁損傷，使芯片邊緣形成“死區(qū)”。Micro-LED顯示集成關鍵問題，涉及面向平板顯示的玻璃基巨量轉(zhuǎn)移及檢測修復和面向微型顯示的硅基CMOS集成技術問題。

對于當前顯示用Micro-LED芯片與集成技術新進展，報告指出，Micro-LED 外延技術方面，開發(fā)基于人工智能的LED外延結(jié)構輔助設計方法，實現(xiàn)外延結(jié)構的超快速設計。不同應用場景下的Micro LED外延結(jié)構設計，以傳統(tǒng)尺寸LED外延結(jié)構AI模型作為遷移學習中的源域，可以提供更多與外延結(jié)構特征相關的先驗知識，從而提高目標域?qū)W習的效率和效果。

Micro-LED 芯片技術方面，開發(fā)Micro-LED芯片刻蝕及表/界面修復、鈍化全套新技術，極大提升芯片發(fā)光量子效率。Micro-LED 集成技術方面，面向特種顯示應用，成功開發(fā)并點亮Micro-LED微顯屏。藍光/綠光0.41”(像素尺寸~10um，pitch 11.1μm，PPI 2288）；綠光0.39 ”(像素尺寸~6.5μm，pitch 7.5μm，PPI 3387） 2A/cm2注入電流密度下，亮度超105 nits。

報告指出，研究實現(xiàn)高性能Micro-LED芯片量產(chǎn)，突破全彩模組技術，獲福建省科技進步一等獎。

審核編輯：劉清