一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

碳化硅MOS/超結(jié)MOS在直流充電樁上的應(yīng)用

瑞森半導(dǎo)體 ? 2023-12-08 11:50 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

一、前言

直流充電樁新能源汽車直流充電樁的簡稱,一般也被叫做“快充”。直流充電樁一般與交流電網(wǎng)連接,可作為非車載電動(dòng)汽車的動(dòng)力補(bǔ)充,是一種直流工作電源的電源控制裝置,可以提供充足的電量,輸出電壓和電流可以連續(xù)調(diào)節(jié),可有效實(shí)現(xiàn)快速充電的要求。

據(jù)中國充電聯(lián)盟發(fā)布的《2021 中國電動(dòng)汽車用戶充電行為白皮書》,直流充電樁已成為 99.3%用戶的首選,因此直流充電樁面臨較大的需求缺口,未來有望提速發(fā)展。

二、產(chǎn)品組成及應(yīng)用場所

直流充電樁通常由充電機(jī)主機(jī)、電源部分、充電接口、顯示屏、輔助設(shè)備這五部分組成。一般來說,直流充電樁可分為分體式一體式兩種類型。

直流充電樁是直接輸出直流電給車載電池進(jìn)行充電,充電效率高、時(shí)間短、功率較大( 60kW、120kW、200kW 甚至更高),故一般安裝在公共充電站、停車場等公共場所。

三、典型應(yīng)用拓?fù)鋱D

wKgaomVykf-AXkbCAAehUMtnvYM979.png

四、應(yīng)用線路及選型

如上圖所示:通過Vienna線路(三相PFC功率校正)對(duì)工頻三相交流電進(jìn)行整流(輸出:400-800V),推薦使用瑞森半導(dǎo)體600V/650V的超結(jié)MOS系列:采用多層外延工藝,優(yōu)化了元胞結(jié)構(gòu),可靠性高,一致性好,對(duì)標(biāo)英飛凌C3、 P6、 P7系列產(chǎn)品,產(chǎn)品選型如下:

wKgZomVykgeAJUYrAAsuFqh3s7g707.png

PFC功率校正整流后再通過DC/DC線路(三電平全橋)LLC諧振變換器(輸出400-750V)對(duì)電池進(jìn)行充電,推薦使用瑞森半導(dǎo)體650V/1200V的碳化硅(SiC) MOS系列:極低的門電荷(QG)、極低反向恢復(fù)的快速本征體二極管、可最大限度減少傳導(dǎo)損失,提供卓越的開關(guān)性能和強(qiáng)大的雪崩能力;器件參數(shù)一致性好;高頻率的運(yùn)行、能讓被動(dòng)元器件做得更小,產(chǎn)品選型如下:

wKgaomVykguAClGKAA8IZzYgGaU210.png
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • MOS
    MOS
    +關(guān)注

    關(guān)注

    32

    文章

    1358

    瀏覽量

    96939
  • 超結(jié)器件
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    11

    瀏覽量

    5750
  • 直流充電樁
    +關(guān)注

    關(guān)注

    5

    文章

    113

    瀏覽量

    7263
  • 碳化硅MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    43

    瀏覽量

    4628
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREE

    EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE科銳)生產(chǎn)的1200V、450A全碳化硅半橋功率模塊,致力于高功率、高效化技術(shù)應(yīng)用打造
    發(fā)表于 06-25 09:13

    碳化硅MOS驅(qū)動(dòng)電壓如何選擇

    碳化硅MOS驅(qū)動(dòng)電壓選擇15V還是18V,是電力電子設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵權(quán)衡問題。這兩種電壓對(duì)器件的導(dǎo)通損耗、開關(guān)特性、熱管理和系統(tǒng)可靠性有顯著影響。
    的頭像 發(fā)表于 06-04 09:22 ?505次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOS</b>驅(qū)動(dòng)電壓如何選擇

    伯恩半導(dǎo)體新品推薦 | 結(jié)MOSTV電視的應(yīng)用

    推薦結(jié)MOSTV電視的應(yīng)用結(jié)
    的頭像 發(fā)表于 05-07 14:36 ?246次閱讀
    伯恩半導(dǎo)體新品推薦 | <b class='flag-5'>超</b><b class='flag-5'>結(jié)</b><b class='flag-5'>MOS</b>管<b class='flag-5'>在</b>TV電視<b class='flag-5'>上</b>的應(yīng)用

    國產(chǎn)碳化硅MOSFETOBC+DCDC及壁掛小直流中的應(yīng)用

    國產(chǎn)碳化硅MOSFETOBC+DCDC及壁掛小直流中的應(yīng)用
    發(fā)表于 04-02 11:40 ?0次下載

    長期工作的充電電源模塊中碳化硅MOSFET失效率越來越高的罪魁禍?zhǔn)祝簴叛蹩煽啃月窳舜罄?/a>

    罪魁禍?zhǔn)资遣糠謬a(chǎn)碳化硅MOSFET柵氧化層的可靠性埋了大雷:短期使用看不出問題,長期工作下來充電電源模塊失效率持續(xù)增加,尤其是高溫環(huán)境下長期服役的
    的頭像 發(fā)表于 03-24 10:44 ?363次閱讀
    長期工作的<b class='flag-5'>充電</b><b class='flag-5'>樁</b>電源模塊中<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET失效率越來越高的罪魁禍?zhǔn)祝簴叛蹩煽啃月窳舜罄? />    </a>
</div>                              <div   id=

    結(jié)MOSFET升級(jí)至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動(dòng)力分析

    隨著BASiC基本半導(dǎo)體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術(shù)升級(jí)疊加價(jià)格低于進(jìn)口結(jié)MOSFET,不少客戶已經(jīng)開始動(dòng)手用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET全面取代
    的頭像 發(fā)表于 03-01 08:53 ?505次閱讀
    <b class='flag-5'>超</b><b class='flag-5'>結(jié)</b>MOSFET升級(jí)至650V<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET的根本驅(qū)動(dòng)力分析

    橋式電路中碳化硅MOSFET替換結(jié)MOSFET技術(shù)注意事項(xiàng)

    橋式電路中,國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET(如BASiC基本股份)替換結(jié)(SJ)MOSFET具有顯著優(yōu)勢(shì),但也需注意技術(shù)細(xì)節(jié)。傾佳電子楊茜從性能優(yōu)勢(shì)和技術(shù)注意事項(xiàng)兩方面進(jìn)行深度分
    的頭像 發(fā)表于 02-11 22:27 ?335次閱讀
    橋式電路中<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET替換<b class='flag-5'>超</b><b class='flag-5'>結(jié)</b>MOSFET技術(shù)注意事項(xiàng)

    5G電源應(yīng)用碳化硅B3M040065Z替代結(jié)MOSFET

    傾佳電子楊茜以48V 3000W 5G電源應(yīng)用為例分析BASiC基本股份國產(chǎn)碳化硅MOSFET B3M040065Z替代結(jié)MOSFET的優(yōu)勢(shì),并做損耗仿真計(jì)算: 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國產(chǎn)SiC
    的頭像 發(fā)表于 02-10 09:37 ?396次閱讀
    5G電源應(yīng)用<b class='flag-5'>碳化硅</b>B3M040065Z替代<b class='flag-5'>超</b><b class='flag-5'>結(jié)</b>MOSFET

    6.6 KW雙向OBC碳化硅MOSFET替代結(jié)的仿真計(jì)算

    傾佳電子楊茜以6.6 KW雙向OBC(內(nèi)置3KW DC/DC )應(yīng)用為例做BASiC基本股份碳化硅MOSFET B3M040065和結(jié)MOSFET OSG60R033TT4ZF的工作結(jié)
    的頭像 發(fā)表于 02-10 09:36 ?515次閱讀
    6.6 KW雙向OBC<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET替代<b class='flag-5'>超</b><b class='flag-5'>結(jié)</b>的仿真計(jì)算

    為什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件?

    650V SiC碳化硅MOSFET全面取代結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
    的頭像 發(fā)表于 01-23 16:27 ?761次閱讀
    為什么650V SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET全面取代<b class='flag-5'>超</b><b class='flag-5'>結(jié)</b>MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件?

    40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!

    BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅M
    發(fā)表于 01-22 10:43

    為何基本碳化硅MOSFET充電電源單級(jí)拓?fù)鋵?shí)測(cè)效率高于進(jìn)口器件

    基本碳化硅MOSFET充電電源單級(jí)拓?fù)鋵?shí)測(cè)效率高于進(jìn)口器件
    的頭像 發(fā)表于 01-13 09:58 ?805次閱讀
    為何基本<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET<b class='flag-5'>在</b><b class='flag-5'>充電</b><b class='flag-5'>樁</b>電源單級(jí)拓?fù)鋵?shí)測(cè)效率高于進(jìn)口器件

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測(cè)試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    隨著電力電子技術(shù)的不斷進(jìn)步,碳化硅MOSFET因其高效的開關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化層對(duì)器件的整體性能和使用壽命
    發(fā)表于 01-04 12:37

    碳化硅SiC電動(dòng)車中的應(yīng)用

    碳化硅(SiC)電動(dòng)車中的應(yīng)用主要集中電力電子系統(tǒng)方面,以下是對(duì)其電動(dòng)車中具體應(yīng)用的分析: 一、電動(dòng)車充電設(shè)備
    的頭像 發(fā)表于 11-25 17:32 ?1532次閱讀