在正常工作期間，檢測(cè)到的電流輸出（或在檢測(cè)電阻兩端檢測(cè)到的電壓）與負(fù)載電流成比例。對(duì)于大小合理的檢測(cè)電阻，標(biāo)稱負(fù)載下的檢測(cè)電壓低于故障狀態(tài)檢測(cè)電壓，以明確無(wú)誤地識(shí)別故障狀況。NCV84012A 等器件在飽和過(guò)載檢測(cè)電流范圍內(nèi)具有電流檢測(cè)故障電平，這些器件的檢測(cè)故障電平顯示在關(guān)斷狀態(tài)下，并下文中說(shuō)明。圖 56 所示的時(shí)序圖提到了切換標(biāo)稱負(fù)載時(shí)的重要電流檢測(cè)時(shí)序參數(shù)。

除非另有說(shuō)明，參考使能/禁用信號(hào)的CS時(shí)序參數(shù)稱為 t_{CS_High1}/t_{CS_Low1}；參考輸入命令的參數(shù)稱為 t_{CS_High2}/t_{CS_Low2}。圖56所示的波形集還描繪了電流檢測(cè)信號(hào)對(duì)負(fù)載電流變化的響應(yīng)。信號(hào)DS指的是診斷選擇：對(duì)于多通道器件，它選擇要檢測(cè)的通道。這些時(shí)序參數(shù)的典型值和范圍在相應(yīng)的產(chǎn)品數(shù)據(jù)表中說(shuō)明。對(duì)于任何PWM操作，除了器件導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)序外，還需要考慮電流檢測(cè)時(shí)序。PWM工作頻率不得超過(guò)CS開(kāi)關(guān)能力，以確保電流檢測(cè)和診斷可靠。

圖56：標(biāo)稱負(fù)載切換的電流檢測(cè)時(shí)序

在關(guān)斷狀態(tài)的正常情況下，當(dāng)輸入命令為L(zhǎng)o時(shí)，負(fù)載應(yīng)將輸出下拉至GND。如果失去與負(fù)載的連接，或者負(fù)載本身磨損成高阻抗級(jí)（例如，串聯(lián)LED燈串陣列斷裂），則會(huì)出現(xiàn)開(kāi)路負(fù)載狀況。器件會(huì)檢測(cè)到這種情況，并將其標(biāo)記為故障。發(fā)生這種事件時(shí)，模擬電流檢測(cè)引腳將輸出故障狀態(tài)電流（通常高于正常工作時(shí)檢測(cè)到的電流），在檢測(cè)電阻兩端將檢測(cè)到高故障狀態(tài)檢測(cè)電壓。圖57解釋了關(guān)斷狀態(tài)開(kāi)路負(fù)載檢測(cè)機(jī)制。

圖57：關(guān)斷狀態(tài)開(kāi)路負(fù)載診斷原理

在汽車(chē)環(huán)境中，“絕對(duì)開(kāi)路負(fù)載”狀況幾乎永遠(yuǎn)不會(huì)存在，也就是即使負(fù)載開(kāi)路，也總會(huì)有一些通向GND的漏電路徑（歸因于溫度、濕度、系統(tǒng)寄生效應(yīng)等）。上圖中的R_LEAK即表示此阻抗。因此，輸出節(jié)點(diǎn)處會(huì)產(chǎn)生一個(gè)電位，然后由比較器檢測(cè)該電位，并將其與閾值電壓進(jìn)行比較。建議將一個(gè)外部上拉電阻R_PU連接到輸出端子，在負(fù)載開(kāi)路的情況下，輸出節(jié)點(diǎn)電壓被上拉至電池電壓，確保檢測(cè)到負(fù)載開(kāi)路情況。此電阻通常有一個(gè)配套開(kāi)關(guān)S_PU，當(dāng)不需要開(kāi)路負(fù)載檢測(cè)時(shí)，開(kāi)關(guān)斷開(kāi)，以免不良漏電流通過(guò)R_PU。

R_PU值的選擇需要考慮典型應(yīng)用負(fù)載、系統(tǒng)寄生效應(yīng)和關(guān)斷狀態(tài)下的漏電流 (R_LEAK)。其大小應(yīng)使得輸出節(jié)點(diǎn)（或由R_LEAK和R_PU形成的分壓器）處的電壓足以指示負(fù)載開(kāi)路故障。對(duì)于這種方法，R_PU有一個(gè)最大限值。此外，該電阻應(yīng)能夠處理功耗，因此R_PU有一個(gè)最小值。

上述比較器網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)將一個(gè)高輸入阻抗級(jí)與輸出節(jié)點(diǎn)接口，以減少與開(kāi)路負(fù)載檢測(cè)電路相關(guān)的漏電流。安森美高邊 SmartFET 的典型關(guān)斷狀態(tài)開(kāi)路負(fù)載漏電流小于±10μA。還應(yīng)注意的是，該電路中的輸出電壓與以V_BATT為基準(zhǔn)的閾值進(jìn)行比較。換句話說(shuō)，此閾值將與電池電壓成比例，并且總是比電池電壓低一定的電壓。例如，NCV84012A的典型輸出閾值電壓（用于開(kāi)路負(fù)載檢測(cè)）比V_BATT低1.3V至2.3V。此設(shè)計(jì)拓?fù)淇赡懿⒉贿m用于所有安森美高邊SmartFET。例如，NCV84160的輸出閾值電壓以地為基準(zhǔn)，通常在2V~4V范圍內(nèi)，與電池電壓無(wú)關(guān)（只要V_BATT在推薦工作范圍內(nèi)即可）。對(duì)于此類器件，圖57中比較器負(fù)輸入端的電壓以GND為基準(zhǔn)。負(fù)載開(kāi)路故障情況下的電流檢測(cè)輸出電流一般類似于導(dǎo)通狀態(tài)故障情況下的電流檢測(cè)輸出電流（例如在限流情況下）。有些器件（如NCV84012A）以不同CS輸出電流水平——對(duì)應(yīng)于不同應(yīng)用故障模式——來(lái)區(qū)分不同故障。產(chǎn)品數(shù)據(jù)表說(shuō)明了不同故障下CS輸出電流的范圍。有關(guān)開(kāi)路負(fù)載檢測(cè)的具體信息，參見(jiàn)產(chǎn)品數(shù)據(jù)表。

一旦檢測(cè)到負(fù)載開(kāi)路，故障狀態(tài)電流源（圖57）就會(huì)覆蓋CS輸出。在電流檢測(cè)輸出被標(biāo)記為高電平之前，總有一段有限的延遲時(shí)間，如圖58中的理想化波形集所示。關(guān)斷狀態(tài)開(kāi)路負(fù)載時(shí)序和控制邏輯規(guī)格因器件而異。例如，NCV84160的典型延遲時(shí)序規(guī)格為350 μs，而NCV84012A的典型延遲時(shí)序規(guī)格為70μs。此外，后一器件集成了基于計(jì)數(shù)器的機(jī)制來(lái)區(qū)分關(guān)斷狀態(tài)下的故障?；谟?jì)數(shù)器的重試方法在重試策略部分中說(shuō)明。如果在外部禁用器件（V_IN：Hi→Lo）時(shí)計(jì)數(shù)器值不為零，則意味著先前的開(kāi)關(guān)導(dǎo)通周期中存在過(guò)載/過(guò)溫形式的故障。在這種情況下，在滿足計(jì)數(shù)器復(fù)位條件（如產(chǎn)品數(shù)據(jù)表所述）之前，相應(yīng)的導(dǎo)通狀態(tài)故障輸出優(yōu)先于關(guān)斷狀態(tài)故障輸出。這樣做是為了向處于關(guān)斷狀態(tài)的微控制器提供故障信息，然后微控制器再次嘗試使能SmartFET，例如在PWM操作中。關(guān)斷狀態(tài)故障雖然對(duì)診斷至關(guān)重要，但對(duì)器件的危害不如重復(fù)性過(guò)載/過(guò)溫狀況，因此優(yōu)先級(jí)低于導(dǎo)通狀態(tài)故障。如果計(jì)數(shù)器在關(guān)斷狀態(tài)下為零，則CS輸出僅由OSOL故障存在與否決定。

圖58：關(guān)斷狀態(tài)開(kāi)路負(fù)載延遲時(shí)序

當(dāng)器件收到的輸入命令為高電平時(shí)，輸出被上拉至接近V_BATT。如上所述，如果無(wú)負(fù)載，則僅有極小漏電流（通常 <50mA）流過(guò)器件。檢測(cè)電流以及由此在R_CS兩端檢測(cè)到的電壓也很小，圖58中的理想化波形集將其近似為零。如此低的檢測(cè)電流使得欠載和開(kāi)路負(fù)載狀況很難區(qū)分。此外，當(dāng)驅(qū)動(dòng)LED負(fù)載時(shí)，LED的驅(qū)動(dòng)電流可能在毫安級(jí)，要明確區(qū)分開(kāi)路負(fù)載和標(biāo)稱LED負(fù)載同樣很困難。在這些小負(fù)載電流下，偏離標(biāo)稱檢測(cè)比的情況也增加了在導(dǎo)通狀態(tài)下檢測(cè)開(kāi)路負(fù)載的難度。

輸出端至V_BATT短路的情況也可由上述用于關(guān)斷狀態(tài)開(kāi)路負(fù)載診斷的電路來(lái)檢測(cè)，只需外加一個(gè)下拉電阻R_PD，如圖59所示。

該下拉電阻可區(qū)分關(guān)斷狀態(tài)開(kāi)路負(fù)載（在這種情況下，輸出節(jié)點(diǎn)電壓由 R_PU-RPD分壓器產(chǎn)生）和V_BATT短路情況（輸出節(jié)點(diǎn)電壓等于V_BATT，假設(shè)為理想短路）。無(wú)論哪種情況，比較器都會(huì)檢測(cè)到故障，輸出端檢測(cè)到的電壓可用于鑒別分析。此外，在輸出節(jié)點(diǎn)浮空的情況下，該電阻還提供一條通向GND的路徑。在導(dǎo)通狀態(tài)下，負(fù)載電流將為零（在理想短路的情況下）或極?。ㄔ陔娮柚罺_BATT短路的情況下）。因此，檢測(cè)電流將很小，這同樣存在與導(dǎo)通狀態(tài)下的開(kāi)路負(fù)載檢測(cè)類似的挑戰(zhàn)。

圖59：V_BATT短路檢測(cè)

如OUT至GND短路——限流部分所述，所有安森美高邊SmartFET都配有限流器電路，在過(guò)載情況下它會(huì)限制流經(jīng)器件的最大電流，從而保護(hù)器件。過(guò)載情況會(huì)被器件檢測(cè)為故障狀況，檢測(cè)電壓相應(yīng)地被標(biāo)記為高電平。圖60中的電路原理圖描述了其工作原理。

圖60：限流——工作原理

I_LIM電路模塊包括一個(gè)饋送至比較器的檢測(cè)FET（其不同于常規(guī)電流檢測(cè)FET）。當(dāng)負(fù)載電流達(dá)到某一閾值I_LIM（這里以特性電壓V_REF表示）時(shí)，柵極電壓被拉低，如上所示。I_LIM電路模塊將覆蓋電荷泵。器件將不再以 R_DS(ON) 模式運(yùn)行，并將輸出最大飽和電流。另一個(gè)用于限流的獨(dú)立檢測(cè)器件將CS輸出與該模塊隔離，從而提供穩(wěn)定的電流檢測(cè)輸出。I_LIM工作原理與去飽和機(jī)制非常相似。前者在過(guò)載時(shí)激活，后者在輕載時(shí)發(fā)揮作用。正如在OUT至GND短路——限流部分中討論的，有些器件具有基于峰值檢測(cè)的限流保護(hù)和基于定時(shí)器/計(jì)數(shù)器的重試策略。這些器件的故障診斷與采用線性限流調(diào)節(jié)的器件沒(méi)有什么不同。然而，正如下一節(jié)所強(qiáng)調(diào)的，它們之間存在一些細(xì)微差異。過(guò)載情況下的電流檢測(cè)響應(yīng)顯示在下一部分關(guān)于GND短路事件的理想化波形集中。

在接地短路事件中，輸出電流受上述限流器機(jī)制的限制。當(dāng)芯片的差分溫度超過(guò)設(shè)定閾值時(shí)，器件關(guān)斷，然后切換，直到短路條件持續(xù)存在和/或輸入命令為高電平。電流檢測(cè)輸出如下：

圖61：GND短路事件中的CS行為

CS時(shí)序參數(shù)與正常狀態(tài)運(yùn)行部分中討論的時(shí)序參數(shù)類似。這里的示例考慮一個(gè)在絕對(duì)熱關(guān)斷后具有折返電流的器件。不過(guò)，沒(méi)有折返電流的器件的電流檢測(cè)響應(yīng)是類似的。當(dāng)器件接著進(jìn)入熱關(guān)斷狀態(tài)，隨后是另一個(gè)I_LIM脈沖時(shí)，電流檢測(cè)不應(yīng)切換，CS引腳應(yīng)輸出穩(wěn)定的故障狀態(tài)電流/電壓。為此，電流檢測(cè)輸出的遲滯被設(shè)計(jì)為大于輸出電流的遲滯。此特性將利用下一節(jié)中顯示的波形進(jìn)行討論。實(shí)踐中，當(dāng)器件在短路事件中升溫時(shí)，電流檢測(cè)輸出的幅度可能會(huì)略有降低（因?yàn)闇囟认禂?shù)略呈負(fù)值）。此外，對(duì)于高電流脈沖，電池電壓可能會(huì)瞬時(shí)下降（取決于電源的串聯(lián)阻抗）。在這種情況下，電流檢測(cè)輸出將跟隨電池，可能短暫下降。在這兩種情況下，CS下降極小，不會(huì)影響微控制器的數(shù)字化電流檢測(cè)讀數(shù)（用于指示故障）。

在采用基于計(jì)數(shù)器的重試策略的器件（如NCV84012A）中，瞬時(shí)GND短路情況下的電流檢測(cè)轉(zhuǎn)換如圖62所示。當(dāng)檢測(cè)到短路時(shí)的限流峰值時(shí)，內(nèi)部計(jì)數(shù)器遞增，檢測(cè)輸出指示發(fā)生故障。當(dāng)消除短路故障并連接標(biāo)稱負(fù)載時(shí)，輸出轉(zhuǎn)換為I_NOM。然而，在一段時(shí)間（定義為消隱周期）內(nèi)，電流檢測(cè)保持故障電平。該特性在具有線性電流限值的器件中也存在，用于防止在間歇性GND短路（如物理導(dǎo)線去反彈）的情況下，電流檢測(cè)不斷從故障電平轉(zhuǎn)換到標(biāo)稱電平。應(yīng)注意的是，NCV84012A等SmartFET的電流檢測(cè)故障電平可能低于過(guò)載情況下的故障電平。一旦輸入命令被禁用，電流檢測(cè)便會(huì)再次顯示在上一個(gè)導(dǎo)通周期中遇到的限流故障。故障會(huì)一直顯示，直到強(qiáng)制執(zhí)行復(fù)位（即施加診斷使能脈沖）。重試策略部分介紹了另一種由輸入使能強(qiáng)制執(zhí)行的復(fù)位。如果出現(xiàn)負(fù)載開(kāi)路故障，則在計(jì)數(shù)器復(fù)位后，檢測(cè)輸出端將出現(xiàn)相應(yīng)的故障電平。

圖62：基于計(jì)數(shù)器的重試策略中的 CS 行為

如果芯片的差分溫度或絕對(duì)溫度超過(guò)設(shè)定閾值，器件將實(shí)施自我保護(hù)并進(jìn)入熱關(guān)斷狀態(tài)。在發(fā)生熱關(guān)斷事件時(shí)，電流檢測(cè)輸出故障狀態(tài)電流。下面使用一個(gè)示例性燈泡開(kāi)啟場(chǎng)景來(lái)描述這種情況下的操作。

圖63：燈泡開(kāi)啟期間的熱切換

假設(shè)環(huán)境溫度（t=0時(shí)）不足以觸發(fā)絕對(duì)熱關(guān)斷，則器件進(jìn)入限流工作模式，同時(shí)嘗試開(kāi)啟燈泡。電流檢測(cè)指示過(guò)載故障，器件隨后經(jīng)歷熱關(guān)斷，接著是另一個(gè)I_LIM脈沖，如此等等。電流檢測(cè)輸出保持高電平，表示故障狀態(tài)。當(dāng)燈泡點(diǎn)亮且器件轉(zhuǎn)入正常運(yùn)行狀態(tài)時(shí)，芯片溫度降低，電流檢測(cè)輸出遵循負(fù)載電流軌跡。時(shí)間t_{cs_Response}可被視為CS輸出的“熱遲滯”。換句話說(shuō)，在器件脫離故障狀態(tài)后，電流檢測(cè)輸出會(huì)在一段時(shí)間內(nèi)保持高電平。在I_LIM和熱關(guān)斷事件中，此遲滯可消除電流檢測(cè)輸出的不必要切換。該響應(yīng)時(shí)間僅用于診斷目的，與器件開(kāi)啟燈泡的能力無(wú)關(guān)。應(yīng)注意的是，CS輸出從標(biāo)稱狀態(tài)到故障狀態(tài)的轉(zhuǎn)換可能不像上面的理想化波形集所顯示的那樣“平滑”。此轉(zhuǎn)換涉及關(guān)斷故障狀態(tài)電流源并開(kāi)啟標(biāo)稱狀態(tài)CS電路（參見(jiàn)圖46），在此切換過(guò)程中可能會(huì)出現(xiàn)零星噪聲尖峰。盡管如此，這些高頻尖峰很容易由微控制器A/D級(jí)之前的RC網(wǎng)絡(luò)（圖49）濾除，因此不會(huì)影響數(shù)字化電流檢測(cè)輸出。

電池短路和限流部分討論了對(duì)導(dǎo)通狀態(tài)期間的欠載狀況與開(kāi)路負(fù)載和/或 VBATT 短路狀況進(jìn)行辨別的難點(diǎn)。有些器件（如NCV84012A）通過(guò)強(qiáng)制檢測(cè)電流 Load/K_Nom（該負(fù)載對(duì)應(yīng)的標(biāo)稱檢測(cè)電流）低于針對(duì)欠載所定義的輸出電流閾值來(lái)辨識(shí)欠載情況。對(duì)于小負(fù)載電流，檢測(cè)比精度會(huì)下降，從而難以識(shí)別檢測(cè)電流的低電平是表示欠載狀況，還是檢測(cè)比的偏差——當(dāng)真實(shí)負(fù)載電流高于欠載閾值時(shí)，它會(huì)誤導(dǎo)對(duì)負(fù)載電流的估計(jì)。應(yīng)仔細(xì)設(shè)置欠載閾值，考慮開(kāi)路負(fù)載阻抗、預(yù)期應(yīng)用標(biāo)稱負(fù)載和器件漏電流。一方面，欠載閾值和負(fù)載開(kāi)路閾值之間應(yīng)該有足夠的裕量，以便可通過(guò)檢測(cè)電流來(lái)區(qū)分二者（以合理的CS精度）；另一方面，考慮到LED等負(fù)載需要較低標(biāo)稱驅(qū)動(dòng)電流，欠載閾值不能設(shè)置得太高。

雖然安森美高邊SmartFET致力于提供穩(wěn)定的檢測(cè)比，但由于模擬電路中的偏移以及隨溫度、應(yīng)力和負(fù)載電流的漂移，一定會(huì)出現(xiàn)一定的誤差。容差和漂移在相應(yīng)的產(chǎn)品數(shù)據(jù)表中均有提及。為了進(jìn)一步降低這些容差，ECU（微控制器）制造商可以在 EOL（生產(chǎn)線末端）測(cè)試時(shí)執(zhí)行方便的校準(zhǔn)方案。在討論校準(zhǔn)程序之前，“問(wèn)題陳述”和相關(guān)的挑戰(zhàn)說(shuō)明如下。

對(duì)于理想檢測(cè)比，檢測(cè)電流和輸出電流之間的關(guān)系為：

（公式12）

用圖形表示的話，

圖64：理想檢測(cè)比下的檢測(cè)電流與輸出電流的關(guān)系

直線的斜率就是檢測(cè)比。模擬電路的偏移（參見(jiàn)公式11，其來(lái)自輕載時(shí)的電流檢測(cè)精度改進(jìn)部分）表現(xiàn)為檢測(cè)偏移電流。換句話說(shuō)，當(dāng)負(fù)載/輸出電流基本為零時(shí)，也會(huì)有有限的檢測(cè)電流從 CS 引腳流出。這可以建模如下：

（公式13）

其中，I_OFF為偏移電流。此偏移因器件而異，并且還具有溫度依賴性。其圖形表示如圖65所示。紅色曲線包含偏移誤差。小負(fù)載電流下的曲率（曲線偏離直線方程）是去飽和或分離式FET控制電路帶來(lái)的改善。如果沒(méi)有精度改進(jìn)技術(shù)，檢測(cè)電流在低負(fù)載電流下會(huì)表現(xiàn)出較大的偏差。

當(dāng)負(fù)載電流進(jìn)一步降低時(shí)，偏差會(huì)上升，主要原因是功率FET和檢測(cè)FET之間的閾值變化。

圖65：使用偏移誤差和去飽和機(jī)制時(shí)檢測(cè)電流與輸出電流的關(guān)系

應(yīng)注意的是，從CS引腳流出的電流始終為正。因此，底部曲線不是表示負(fù)檢測(cè)偏移，而是表示在運(yùn)算放大器偏移為負(fù)的情況下，負(fù)載電流水平需要達(dá)到一定的程度，才能從CS引腳獲得有限檢測(cè)電流。

除偏移誤差外，檢測(cè)比還可能在電源和負(fù)載電流范圍內(nèi)偏離其額定值，并且不同器件的檢測(cè)比也可能存在差異。用圖形來(lái)說(shuō)明的話，可以將其建模為與上述曲線相關(guān)的斜率誤差，這在高負(fù)載電流下更為明顯。圖66顯示了具有最大和最小斜率誤差的邊界條件曲線。

（公式14）

為包含斜率誤差的檢測(cè)比。

圖66：檢測(cè)電流與輸出電流的關(guān)系以及

偏移和斜率誤差邊界曲線（見(jiàn)虛線）

這兩種誤差都與溫度、負(fù)載電流和器件有關(guān)。此外，由于連續(xù)的溫度循環(huán)、功率循環(huán)和器件承壓，CS比率會(huì)隨著溫度和使用時(shí)間而“漂移”。這種漂移還與負(fù)載電流有關(guān)，通常由設(shè)計(jì)予以保證。產(chǎn)品數(shù)據(jù)表通常會(huì)定義并列出給定負(fù)載電流下的默認(rèn)最大和最小檢測(cè)比和/或檢測(cè)電流。此窗口包括偏移誤差和斜率誤差二者的貢獻(xiàn)，本質(zhì)上表示I_SENSE-I_OUT曲線，類似于圖6.19。出廠的任何器件的總體精度都在不同負(fù)載電流下指定的容差范圍內(nèi)。

為了了解這些誤差的含義，這里選擇輸出電流電平I_OUT1。

理想情況下，該負(fù)載下的檢測(cè)電流由I_SENSE1給出（參見(jiàn)圖 67）。然而，如上所述，由于檢測(cè)比的不準(zhǔn)確性，檢測(cè)的電流可能在邊界曲線之間的任何地方，這導(dǎo)致估計(jì)負(fù)載電流的誤差在 I_OUT1' 和 I_OUT1'' 之間。

圖67：檢測(cè)比不準(zhǔn)確的情況下估計(jì)負(fù)載電流的誤差

在低負(fù)載電流下，邊界條件會(huì)隨著斜率誤差正負(fù)的翻轉(zhuǎn)而變化（圖 68）。盡管如此，挑戰(zhàn)（負(fù)載電流的精確估計(jì)）與上面的討論是相似的。

圖68：輕載下檢測(cè)電流與輸出電流的關(guān)系以及

偏移和斜率誤差邊界曲線

在默認(rèn)電流檢測(cè)精度（如產(chǎn)品數(shù)據(jù)表所示）下，負(fù)載電流的估計(jì)可能涉及到很大的誤差系數(shù)。EOL 時(shí)的校準(zhǔn)程序有助于提高期望負(fù)載范圍內(nèi)的電流檢測(cè)精度。此過(guò)程包括測(cè)量?jī)蓚€(gè)已知輸出電流下的檢測(cè)電壓，然后將該數(shù)據(jù)記錄在微控制器的非易失性存儲(chǔ)器中。由于在最終應(yīng)用中，檢測(cè)電壓是“測(cè)量值”，負(fù)載電流是隨后的“估計(jì)值”，因此公式14 需要重新整理如下：

（公式15）

這可以用下面的直線方程來(lái)表示。

（公式16）

其中 并且

測(cè)量這條直線上的兩點(diǎn)即可得出特定器件的斜率和截距值。一旦器件的這些值已知，就可以通過(guò)測(cè)量檢測(cè)電壓并代入校準(zhǔn)的斜率和截距，以合理的精度估計(jì)任何其他負(fù)載下的輸出電流。校準(zhǔn)程序一般不在整個(gè)溫度范圍內(nèi)執(zhí)行（以節(jié)省測(cè)試時(shí)間、資源和微控制器存儲(chǔ)器開(kāi)銷(xiāo)），因此與檢測(cè)比相關(guān)的漂移誤差仍然存在。以 NCV84045 的電流檢測(cè)測(cè)量為例，電流檢測(cè)比指定如下：

表2：電流檢測(cè)比規(guī)格 - NCV84045

現(xiàn)在，測(cè)量?jī)蓚€(gè)負(fù)載電流下的電流檢測(cè)電壓，例如0.5A和4.5A，然后將這些值代入下面的公式，便可計(jì)算出斜率和截距。

（公式17）

校準(zhǔn)程序要求將這些斜率和截距值存儲(chǔ)在微控制器的存儲(chǔ)器中。然后測(cè)量這些負(fù)載的檢測(cè)電壓，并使用該公式估計(jì)負(fù)載電流，從而消除斜率誤差和截距誤差。在使用壽命期間，溫度循環(huán)和應(yīng)力造成的電流檢測(cè)漂移仍然存在。下表總結(jié)了 NCV84045 的電流檢測(cè)漂移規(guī)格。該表表明，一旦校準(zhǔn)，使用壽命期間的功率和溫度循環(huán)所帶來(lái)的漂移便在規(guī)定容差范圍內(nèi)，這些容差相當(dāng)于根據(jù)測(cè)量的檢測(cè)電壓估算負(fù)載電流的相對(duì)誤差。

表3：NCV84045的電流檢測(cè)漂移規(guī)格

應(yīng)注意，這里沒(méi)有考慮檢測(cè)電阻的溫度可變性和容差，這會(huì)增加與估計(jì)負(fù)載電流相關(guān)的誤差系數(shù)。此外，偏移誤差的溫度漂移也被忽略了，不過(guò)它非常小。因此，校準(zhǔn)程序顯著改進(jìn)了負(fù)載電流估計(jì)。在某些情況下（需要減少 EOL 時(shí)的總測(cè)試時(shí)間的場(chǎng)合），也可以執(zhí)行單點(diǎn)校準(zhǔn)。這種技術(shù)“假設(shè)”公式 14 中的斜率（其與根據(jù) ISENSE - ILOAD 曲線估算的差分檢測(cè)比成反比）為典型值（由規(guī)格的中心 CS 比率定義），截距由具有典型斜率的單個(gè)測(cè)量點(diǎn)計(jì)算。但是，這種技術(shù)帶來(lái)的電流檢測(cè)改進(jìn)不如上面討論的兩點(diǎn)校準(zhǔn)法好。

研討會(huì)預(yù)告

近年來(lái)，汽車(chē)行業(yè)的發(fā)展迅速，車(chē)身電子技術(shù)在車(chē)輛安全、智慧駕駛等方面扮演著關(guān)鍵的角色。安森美憑借其創(chuàng)新的技術(shù)，為汽車(chē)制造商提供完備的車(chē)身電子與解決方案。

直播主題

安森美車(chē)身電子方案：SmartFET控制器，電感式傳感器及LED驅(qū)動(dòng)器創(chuàng)新應(yīng)用

直播時(shí)間

12月20日（周三）上午1000

直播介紹

本次研討會(huì)將重點(diǎn)介紹安森美的三項(xiàng)重要技術(shù)：SmartFET、電感式傳感器與LED。

SmartFET技術(shù)結(jié)合了功率MOSFET和eFuse保護(hù)組件的特點(diǎn)，在汽車(chē)車(chē)身電子系統(tǒng)中發(fā)揮著重要作用。我們將深入介紹SmartFET技術(shù)的原理和應(yīng)用案例，并展示其在車(chē)輛電源管理、電池管理和電動(dòng)車(chē)充電系統(tǒng)等方面的優(yōu)勢(shì)。

新一代電感式傳感器NCV77320是一款先進(jìn)的非接觸式感應(yīng)技術(shù)，用于車(chē)輛安全和駕駛輔助應(yīng)用。此次研討會(huì)將深入探討NCV77320傳感器的特點(diǎn)、應(yīng)用場(chǎng)景以及其在汽車(chē)行業(yè)的潛在影響。

此外，我們還將介紹汽車(chē)LED串像素驅(qū)動(dòng)控制器NCV78343。此控制器具有嵌入式開(kāi)關(guān)，可控制串聯(lián)LED燈串中的各個(gè)LED，專為汽車(chē)動(dòng)態(tài)照明應(yīng)用，特別是高電流LED而設(shè)計(jì)。

專家介紹

Qing Zhang

安森美產(chǎn)品營(yíng)銷(xiāo)經(jīng)理

Daniel Bu

安森美應(yīng)用工程師

Austin Shang

安森美應(yīng)用工程師

掃描

二維碼

免費(fèi)預(yù)約直播