韓國三星電子與Naver聯(lián)手展出AI半導(dǎo)體，效率超越英偉達約8倍
韓國科技部在12月19日舉辦的“第四次AI半導(dǎo)體高層戰(zhàn)略對話”中，重點展示了韓國企業(yè)在AI半導(dǎo)體領(lǐng)域取得的成就。其中，三星電子與Naver聯(lián)手研發(fā)的高效AI半導(dǎo)體——現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA）尤為引人注目，它被視為Naver的超級AI模型 HyperCLOVA X 的核心配套硬件。
據(jù)Naver介紹，此款A(yù)I半導(dǎo)體的能效比NVIDIA等競爭對手的同類產(chǎn)品大幅提升8倍之多。其秘訣在于采用低功耗且體積小巧的雙倍數(shù)據(jù)速率（LPDDR）DRAM進行整合。較高的能效使得達成同等計算性能所需電量大幅度降低，有助于實現(xiàn)大規(guī)模計算任務(wù)的低成本運作。
值得一提的是，三星電子與Naver早在2022年已經(jīng)簽署協(xié)議，共同開發(fā)AI半導(dǎo)體解決方案。雙方還設(shè)立了專門的工作小組進行合作推動。
韓國政府為推動本土AI半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，預(yù)計到2030年將分三步走。第一階段的目標是將國產(chǎn)神經(jīng)處理器單元（NPU）推廣普及至各大數(shù)據(jù)中心，同時提供云端AI服務(wù)。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
335文章
28919瀏覽量
238019 -
三星電子
+關(guān)注
關(guān)注
34文章
15888瀏覽量
182354 -
NVIDIA
+關(guān)注
關(guān)注
14文章
5309瀏覽量
106417
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
三星與英偉達高層會晤，商討HBM3E供應(yīng)
近期，三星電子設(shè)備解決方案(DS)部門負責人兼副董事長全永鉉(Jun Young-hyun)與英偉達公司CEO黃仁勛，在加利福尼亞州桑尼維爾的英偉
三星登頂全球最大半導(dǎo)體廠商 或得益于內(nèi)存價格大幅回升
回升三星坐穩(wěn)頭把交椅。?而英特爾則排名第二，英偉達在AI輔助下，大幅上升排在第三名。 在2024年三星
三星電子Q4利潤增長預(yù)計放緩，受英偉達AI芯片需求影響
據(jù)外媒最新報道，三星電子預(yù)計其第四季度的利潤增長將呈現(xiàn)放緩趨勢，主要原因在于難以滿足英偉達對人工智能(AI)芯片的強勁市場需求。
英偉達加速認證三星新型AI存儲芯片
正在積極考慮從三星采購8層和12層的HBM3E存儲芯片。這一新型存儲芯片以其卓越的性能和高效的能源利用，備受業(yè)界矚目。英偉達若能夠成功引入這款芯片，無疑將為其
英偉達加速認證三星AI內(nèi)存芯片
近日，英偉達公司正在積極推進對三星AI內(nèi)存芯片的認證工作。據(jù)英偉達CEO透露，他們正在不遺余力地
三星電子或向英偉達供應(yīng)先進HBM
近日，韓國三星電子公司透露了一個引人矚目的消息，有可能在不久的將來向美國的人工智能巨頭英偉達提供其先進的高帶寬存儲器(HBM)。這一消息無疑為科技界帶來了新的期待。 值得一提的是，
三星或重獲英偉達游戲芯片訂單
據(jù)外媒最新報道，三星電子有望重新獲得英偉達的未來新款游戲芯片（GPU）制造訂單，這一消息為三星的市場前景注入了新的活力。
三星電子調(diào)整HBM內(nèi)存產(chǎn)能規(guī)劃，應(yīng)對英偉達供應(yīng)延遲
近日，三星電子因向英偉達供應(yīng)HBM3E內(nèi)存的延遲，對其HBM內(nèi)存的產(chǎn)能規(guī)劃進行了調(diào)整。據(jù)韓媒報道，三星已將2025年底的產(chǎn)能預(yù)估下調(diào)至每月1
三星首度引入AMD MI300X，緩解AI GPU短缺
三星電子近日斥資約270億韓元（約合1.42億元人民幣），購買了AMD Instinct MI300X加速器。這一舉措標志著三星
三星電子HBM3E內(nèi)存獲英偉達認證，加速AI GPU市場布局
近日，知名市場研究機構(gòu)TrendForce在最新發(fā)布的報告中宣布了一項重要進展：三星電子的HBM3E內(nèi)存產(chǎn)品已成功通過英偉達驗證，并正式開啟出貨流程。具體而言，
TrendForce:三星HBM3E內(nèi)存通過英偉達驗證,8Hi版本正式出貨
9月4日最新資訊，據(jù)TrendForce集邦咨詢的最新報告透露，三星電子已成功完成其HBM3E內(nèi)存產(chǎn)品的驗證流程，并正式啟動了HBM3E 8Hi（即24GB容量版本）的出貨，該產(chǎn)品主要面向英偉
三星HBM3E內(nèi)存挑戰(zhàn)英偉達訂單,SK海力士霸主地位受撼動
進入八月，市場傳言四起，韓國存儲芯片巨頭三星電子（簡稱“三星”）的8層HBM3E內(nèi)存（新一代高帶寬內(nèi)存產(chǎn)品）已順利通過
三星否認HBM3E芯片通過英偉達測試
近日，有關(guān)三星的8層HBM3E芯片已通過英偉達測試的報道引起了廣泛關(guān)注。然而，三星電子迅速對此傳
消息稱三星電子與Naver將結(jié)束AI加速芯片開發(fā)合作
據(jù)韓國媒體最新報道，三星電子與韓國互聯(lián)網(wǎng)巨頭Naver在AI加速器開發(fā)領(lǐng)域的合作關(guān)系即將迎來重大
三星電子與Naver停止AI半導(dǎo)體聯(lián)合開發(fā),走向獨立發(fā)展
隨著“MACH1”研發(fā)工作的順利收官，三星電子與Naver在人工智能（AI）半導(dǎo)體領(lǐng)域的緊密合作正式告一段落。這一消息引發(fā)了業(yè)界廣泛關(guān)注，因
工商網(wǎng)監(jiān)
評論