1873年，科學(xué)家約瑟·美(Joseph May)及偉洛比·史密夫(WilloughbySmith)就發(fā)現(xiàn)了硒元素結(jié)晶體感光后能產(chǎn)生電流，由此，電子影像發(fā)展開(kāi)始，隨著技術(shù)演進(jìn)，圖像傳感器性能逐步提升。1.20世紀(jì)50年代——光學(xué)倍增管(Photo Multiplier Tube，簡(jiǎn)稱(chēng)PMT)出現(xiàn)。2.1965年-1970年，IBM、Fairchild等企業(yè)開(kāi)發(fā)光電以及雙極二極管陣列。3.1970年，CCD圖像傳感器在Bell實(shí)驗(yàn)室發(fā)明，依靠其高量子效率、高靈敏度、低暗電流、高一致性、低噪音等性能，成為圖像傳感器市場(chǎng)的主導(dǎo)。4.90年代末，步入CMOS時(shí)代。

圖像傳感器的歷史沿革——PMT1.光電倍增管（簡(jiǎn)稱(chēng)光電倍增管或PMT），真空光電管的一種。工作原理是：由光電效應(yīng)引起，在PMT入射窗處撞擊光電陰極的光子產(chǎn)生電子，然后由高壓場(chǎng)加速，并在二次加工過(guò)程中在倍增電極鏈中倍增發(fā)射。2.光電倍增管是一種極其靈敏的光檢測(cè)器，可探測(cè)電磁波譜紫外，可見(jiàn)和近紅外范圍內(nèi)光源，提供與光強(qiáng)度成比例的電流輸出，廣泛應(yīng)用于驗(yàn)血，醫(yī)學(xué)成像，電影膠片掃描（電視電影），雷達(dá)干擾和高端圖像掃描儀鼓掃描儀中。

圖像傳感器的歷史沿革——CCD

1.數(shù)字成像始于1969年，由Willard Boyle和George E. Smith于AT＆T貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明。

2.最初致力于內(nèi)存→“充電'氣泡'設(shè)備”，可以被用作移位寄存器和區(qū)域成像設(shè)備。

3.CCD是電子設(shè)備，CCD在硅芯片（IC）中進(jìn)行光信號(hào)與電信號(hào)之間的轉(zhuǎn)換，從而實(shí)現(xiàn)數(shù)字化，并存儲(chǔ) 為計(jì)算機(jī)上的圖像文件。

4.2009年， Willard Boyle和George E. Smith獲得諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)。

國(guó)際空間站使用CCD相機(jī)

1.1997年，卡西尼國(guó)際空間站使用CCD相機(jī)（廣角和窄角）

2.美國(guó)宇航局局長(zhǎng)丹尼爾戈?duì)柖》Q(chēng)贊CCD相機(jī)“更快，更好，更便宜”；聲稱(chēng)在未來(lái)的航天器上減少質(zhì)量，功率，成本，都需要小型化相機(jī)。而電子集成便是小型化的良好途徑，而基于MOS的圖像傳感器便擁有無(wú)源像素和有源像素（3T）的配置。

圖像傳感器的歷史沿革——CMOS圖像傳感器

1.CMOS圖像傳感器使得“芯片相機(jī)”成為可能，相機(jī)小型化趨勢(shì)明顯。

2.2007年，Siimpel AF相機(jī)模型的出現(xiàn)標(biāo)志著相機(jī)小型化重大突破。

3.芯片相機(jī)的崛起為多個(gè)領(lǐng)域（車(chē)載，軍工航天、醫(yī)療、工業(yè)制造、移動(dòng)攝影、安防）等領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新提供了新機(jī)遇。公眾號(hào)《機(jī)械工程文萃》，工程師的加油站！

CMOS圖像傳感器走向商業(yè)化

1.1995年2月，Photobit公司成立，將CMOS圖像傳感器技術(shù)實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。

2.1995-2001年間，Photobit增長(zhǎng)到約135人，主要包括：私營(yíng)企業(yè)自籌資金的定制設(shè)計(jì)合同、SBIR計(jì)劃的重要支持（NASA/DoD）、戰(zhàn)略業(yè)務(wù)合作伙伴的投資，這期間共提交了100多項(xiàng)新專(zhuān)利申請(qǐng)。

3.CMOS圖像傳感器經(jīng)商業(yè)化后，發(fā)展迅猛，應(yīng)用前景廣闊，逐步取代CCD成為新潮流。

CMOS圖像傳感器的廣泛應(yīng)用

2001年11月，Photobit被美光科技公司收購(gòu)并獲得許可回歸加州理工學(xué)院。與此同時(shí)，到2001年，已有數(shù)十家競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手嶄露頭角，例如Toshiba，STMicro，Omnivision，CMOS圖像傳感器業(yè)務(wù)部分歸功于早期的努力促進(jìn)技術(shù)成果轉(zhuǎn)化。后來(lái)，索尼和三星分別成為了現(xiàn)在全球市場(chǎng)排名第一，第二。后來(lái)，Micron剝離了Aptina，Aptina被ON Semi收購(gòu)，目前排名第4。CMOS傳感器逐漸成為攝影領(lǐng)域主流，并廣泛應(yīng)用于多種場(chǎng)合。

CMOS圖像傳感器發(fā)展歷程

70年代：Fairchild

80年代：Hitachi

80年代初期：Sony

1971年：發(fā)明FDA&CDS技術(shù)

80年中葉：在消費(fèi)市場(chǎng)上實(shí)現(xiàn)重大突破；

1990年：NHK/Olympus,放大MOS成像儀(AMI)，即CIS

1993年：JPL,CMOS有源像素傳感器，

1998年：?jiǎn)涡酒鄼C(jī)，2005年后：CMOS圖像傳感器成為主流。

CMOS圖像傳感器技術(shù)簡(jiǎn)介

CMOS圖像傳感器

CMOS圖像傳感器（CIS）是模擬電路和數(shù)字電路的集成。主要由四個(gè)組件構(gòu)成：微透鏡、彩色濾光片 （CF）、光電二極管（PD）、像素設(shè)計(jì)。

1.微透鏡：具有球形表面和網(wǎng)狀透鏡；光通過(guò)微透鏡時(shí)，CIS的非活性部分負(fù)責(zé)將光收集起來(lái)并將其聚焦到彩色濾光片。

2.彩色濾光片（CF）：拆分反射光中的紅、綠、藍(lán) （RGB）成分，并通過(guò)感光元件形成拜爾陣列濾鏡。

3.光電二極管（PD）：作為光電轉(zhuǎn)換器件，捕捉光并轉(zhuǎn)換成電流；一般采用PIN二極管或PN結(jié)器件制成。

4.像素設(shè)計(jì)：通過(guò)CIS上裝配的有源像素傳感器(APS)實(shí)現(xiàn)。APS常由3至6個(gè)晶體管構(gòu)成，可從大型電容陣列中獲得或緩沖像素，并在像素內(nèi)部將光電流轉(zhuǎn)換成電壓，具有較完美的靈敏度水平和的噪聲指標(biāo)。

Bayer陣列濾鏡與像素

1.感光元件上的每個(gè)方塊代表一個(gè)像素塊，上方附著著一層彩色濾光片（CF），CF拆分完反射光中的RGB成分后，通過(guò)感光元件形成拜爾陣列濾鏡。經(jīng)典的Bayer陣列是以2x2共四格分散RGB的方式成像，Quad Bayer陣列擴(kuò)大到了4x4，并且以2x2的方式將RGB相鄰排列。公眾號(hào)《機(jī)械工程文萃》，工程師的加油站！

2.像素，即亮光或暗光條件下的像素點(diǎn)數(shù)量，是數(shù)碼顯示的基本單位，其實(shí)質(zhì)是一個(gè)抽象的取樣，我們用彩色方塊來(lái)表示。

3.圖示像素用R（紅）G（綠）B（藍(lán)）三原色填充，每個(gè)小像素塊的長(zhǎng)度指的是像素尺寸，圖示尺寸為0.8μm。

Bayer陣列濾鏡與像素

濾鏡上每個(gè)小方塊與感光元件的像素塊對(duì)應(yīng)，也就是在每個(gè)像素前覆蓋了一個(gè)特定的顏色濾鏡。比如紅色濾鏡塊，只允許紅色光線投到感光元件上，那么對(duì)應(yīng)的這個(gè)像素塊就只反映紅色光線的信息。隨后還需要后期色彩還原去猜色，最后形成一張完整的彩色照片。感光元件→Bayer濾鏡→色彩還原，這一整套流程，就叫做Bayer陣列。

前照式（FSI）與背照式（BSI）

早期的CIS采用的是前面照度技術(shù)FSI（FRONT-SIDE ILLUMINATED），拜爾陣列濾鏡與光電二極管（PD）間夾雜著金屬（鋁，銅）區(qū)，大量金屬連線的存在對(duì)進(jìn)入傳感器表面的光線存在較大的干擾，阻礙了相當(dāng)一部分光線進(jìn)入到下一層的光電二極管（PD），信噪比較低。技術(shù)改進(jìn)后，在背面照度技術(shù)BSI（FRONT-SIDE ILLUMINATED）的結(jié)構(gòu)下，金屬（鋁，銅）區(qū)轉(zhuǎn)移到光電二極管（PD）的背面，意味著經(jīng)拜爾陣列濾鏡收集的光線不再眾多金屬連線阻擋，光線得以直接進(jìn)入光電二極管；BSI不僅可大幅度提高信噪比，且可配合更復(fù)雜、更大規(guī)模電路來(lái)提升傳感器讀取速度。

CIS參數(shù)——幀率

幀率（Frame rate）：以幀為單位的位圖圖像連續(xù)出現(xiàn)在顯示器上的頻率，即每秒能顯示多少?gòu)垐D片。而想要實(shí)現(xiàn)高像素CIS的設(shè)計(jì)，很重要的一點(diǎn)就是Analog電路設(shè)計(jì)，像素上去了，沒(méi)有匹配的高速讀出和處理電路，便無(wú)辦法以高幀率輸出出來(lái)。

索尼早于2007年chuan'gan發(fā)布了首款Exmor傳感器。Exmor傳感器在每列像素下方布有獨(dú)立的ADC模數(shù)轉(zhuǎn)換器，這意味著在CIS芯片上即可完成模數(shù)轉(zhuǎn)換，有效減少了噪聲，大大提高了讀取速度，也簡(jiǎn)化了PCB設(shè)計(jì)。

CMOS圖像傳感器的應(yīng)用

CMOS圖像傳感器全球市場(chǎng)規(guī)模

2017年為CMOS圖像傳感器高增長(zhǎng)點(diǎn)，同比增長(zhǎng)達(dá)到20%。2018年，全球CIS市場(chǎng)規(guī)模155億美元，預(yù)計(jì)2019年同比增長(zhǎng)10%，達(dá)到170億美元。

目前，CIS市場(chǎng)正處于穩(wěn)定增長(zhǎng)期，預(yù)計(jì)2024年市場(chǎng)逐漸飽和，市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到240億美元。

CIS應(yīng)用——車(chē)載領(lǐng)域

1.車(chē)載領(lǐng)域的CIS應(yīng)用包括：后視攝像(RVC)，全方位視圖系統(tǒng)(SVS)，攝像機(jī)監(jiān)控系統(tǒng)（CMS），F(xiàn)V/MV，DMS/IMS系統(tǒng)。

2.汽車(chē)圖像傳感器全球銷(xiāo)量呈逐年增長(zhǎng)趨勢(shì)。

3.后視攝像(RVC)是銷(xiāo)量主力軍，呈穩(wěn)定增長(zhǎng)趨勢(shì)，2016年全球銷(xiāo)量為5100萬(wàn)臺(tái)，2018年為6000萬(wàn)臺(tái)，2019年達(dá)到6500萬(wàn)臺(tái)，2020年超過(guò)7000萬(wàn)臺(tái)。

4.FV/MV全球銷(xiāo)量增長(zhǎng)迅速，2016年為1000萬(wàn)臺(tái)，2018年為3000萬(wàn)臺(tái)，此后，預(yù)計(jì)FV/MV將依舊保持迅速增長(zhǎng)趨勢(shì)，019年銷(xiāo)量4000萬(wàn)臺(tái)，2021達(dá)7500萬(wàn)臺(tái)，直逼RVC全球銷(xiāo)量。

車(chē)載領(lǐng)域——HDR技術(shù)方法

1.HDR解決方案，即高動(dòng)態(tài)范圍成像，是用來(lái)實(shí)現(xiàn)比普通數(shù)位圖像技術(shù)更大曝光動(dòng)態(tài)范圍。

2.時(shí)間復(fù)用。相同的像素陣列通過(guò)使用多個(gè)卷簾（交錯(cuò)HDR）來(lái)描繪多個(gè)邊框。好處：HDR方案是與傳統(tǒng)傳感 器兼容的最簡(jiǎn)單的像素技術(shù)。缺點(diǎn)：不同時(shí)間發(fā)生的捕獲導(dǎo)致產(chǎn)生運(yùn)動(dòng)偽影。

3.空間復(fù)用。單個(gè)像素陣列幀被分解為多個(gè)，通過(guò)不同的方法捕獲：1.像素或行級(jí)別的獨(dú)立曝光控制。優(yōu)點(diǎn)：?jiǎn)螏械倪\(yùn)動(dòng)偽影比交錯(cuò)的運(yùn)動(dòng)偽影少。缺點(diǎn)：分辨率損失，且運(yùn)動(dòng)偽影仍然存在邊緣。2.每個(gè)像素共用同一微透鏡的多個(gè)光電二極管。優(yōu)點(diǎn)：在單個(gè)多捕獲幀中沒(méi)有運(yùn)動(dòng)偽影；缺點(diǎn)：從等效像素區(qū)域降低靈敏度。

4.非常大的全井產(chǎn)能。

全攝像頭芯片CMOS圖像傳感器行業(yè)報(bào)告！

導(dǎo)讀：CMOS圖像傳感器（CIS）是模擬電路和數(shù)字電路的集成。主要由四個(gè)組件構(gòu)成：微透鏡、 彩色濾光片（CF）、光電二極管（PD）、像素設(shè)計(jì)。

豪威發(fā)明了嵌入式CMOS圖像傳感器芯片，12%的研發(fā)投入，900人的研發(fā)團(tuán)隊(duì)，300人硅谷原創(chuàng)性研發(fā)人員，是世界級(jí)的硬科技核心資產(chǎn)：

1、最好的賽道：全球三大芯片產(chǎn)品之一（存儲(chǔ)，CPU，圖像傳感器），2018年圖像傳感器市場(chǎng)規(guī)模130億美元，預(yù)計(jì)2023年會(huì)成長(zhǎng)到200億美元市場(chǎng)。

2、競(jìng)爭(zhēng)格局優(yōu)：索尼開(kāi)始走定制化只專(zhuān)注于高端產(chǎn)品系列，三星重心在存儲(chǔ)器，其他同業(yè)參與者只做低像素的標(biāo)準(zhǔn)品，豪威是全產(chǎn)品系列全應(yīng)用領(lǐng)域覆蓋。

3、高成長(zhǎng)增速：隨著公司不斷搶占份額以及新產(chǎn)品推出，公司未來(lái)5年會(huì)成為增速國(guó)內(nèi)僅次于華為海思的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司。

CMOS和CCD圖像傳感器有什么區(qū)別？9張動(dòng)畫(huà)來(lái)說(shuō)明

在智能制造，自動(dòng)化等設(shè)備中，離不開(kāi)機(jī)械視覺(jué)，而說(shuō)起機(jī)器視覺(jué)，一定少不了圖像傳感器。

幾十年來(lái)，CCD和CMOS技術(shù)，一直在爭(zhēng)奪圖像傳感器的優(yōu)勢(shì)。

那么這兩種傳感器有什么區(qū)別？

今天我們就來(lái)分享一下。

先給結(jié)果，再看圖說(shuō)話。

CCD VS CMOS

CMOS其實(shí)是Complementary Metal Oxide Semiconductor的簡(jiǎn)稱(chēng)，中文稱(chēng)為互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體。而CCD是Charge-Coupled Device的簡(jiǎn)稱(chēng)，含義是電荷耦合器件。

是不是覺(jué)得很拗口？

還是CMOS和CCD更順耳。

CCD傳感器的名稱(chēng)來(lái)源于捕獲圖像后如何讀取電荷。

利用特殊的制造工藝，傳感器能夠在不影響圖像質(zhì)量的情況下傳輸累積的電荷。

整個(gè)像素區(qū)域可以看著是個(gè)矩陣，每個(gè)矩陣單元就是一個(gè)像素。

01

CMOS和CCD的微觀結(jié)構(gòu)

CCD的基本感光單元，是金屬氧化物半導(dǎo)體電容器（MOS= Metal Oxide Semiconductor Capacity），它用作光電二極管和存儲(chǔ)設(shè)備。

典型的 CCD 器件有四層:（a）底部摻雜硼的硅襯底（Silicon Substrate）、（b）溝道停止層（Channel Stop）、（c）氧化層（Silicon Dioxide）和（d）用于控制的柵電極（Polysilicon Gate Electrode）。

當(dāng)柵極電壓高時(shí)，氧化層下方會(huì)產(chǎn)生勢(shì)能阱（Potential Well）。傳入的光子可以激發(fā)勢(shì)阱中的電子，這些電子可以被收集和引導(dǎo)，周?chē)膿诫s區(qū)可防止受激電子泄漏。

使用 CCD相機(jī)生成圖像，可分為四個(gè)主要階段或功能：通過(guò)光子與器件光敏區(qū)域相互作用產(chǎn)生電荷、收集和存儲(chǔ)釋放的電荷、電荷轉(zhuǎn)移和電荷測(cè)量。

①信號(hào)電荷的產(chǎn)生：CCD工作過(guò)程的第一步是電荷的產(chǎn)生。CCD可以將入射光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電荷輸出，依據(jù)的是半導(dǎo)體的內(nèi)光電效應(yīng)（光伏效應(yīng)）。

②信號(hào)電荷的存儲(chǔ)：CCD工作過(guò)程的第二步是信號(hào)電荷的收集，就是將入射光子激勵(lì)出的電荷收集起來(lái)成為信號(hào)電荷包的過(guò)程。

③信號(hào)電荷的傳輸（耦合）：CCD工作過(guò)程的第三步是信號(hào)電荷包的轉(zhuǎn)移，就是將所收集起來(lái)的電荷包從一個(gè)像元轉(zhuǎn)移到下一個(gè)像元，直到全部電荷包輸出完成的過(guò)程。

④信號(hào)電荷的檢測(cè)：CCD工作過(guò)程的第四步是電荷的檢測(cè)，就是將轉(zhuǎn)移到輸出級(jí)的電荷轉(zhuǎn)化為電流或者電壓的過(guò)程。

這個(gè)過(guò)程可以用下面的動(dòng)畫(huà)來(lái)表示。

CCD中電荷轉(zhuǎn)移示意圖

CCD中電荷轉(zhuǎn)移示意圖

CMOS微觀結(jié)構(gòu)示意圖。

CMOS微觀結(jié)構(gòu)：和CCD最大的區(qū)別在于電荷的傳輸方式不同，CMOS使用金屬導(dǎo)線傳遞。

CMOS像元工作示意圖。傳感器像素（一個(gè)反向偏置的二極管）連接到讀出芯片中的像素電子元件。

CMOS像元工作示意圖。

02

CMOS和CCD傳感器工作原理

先來(lái)兩張外觀圖，感覺(jué)一下CMOS和CCD長(zhǎng)什么樣。

CMOS外觀圖；包含像元，數(shù)字邏輯電路，信號(hào)處理器，時(shí)鐘控制器等。

CCD外觀圖：包含水平和垂直移位寄存器，以及用于水平和垂直移位寄存器的時(shí)鐘控制器， 還有輸出放大器等。

把這兩種傳感器抽象一下，有下面這兩張電路圖。

CCD傳感器電路圖：電壓轉(zhuǎn)換必須在電荷傳送到水平移位寄存器后。

CMOS傳感器示意圖：各個(gè)像元內(nèi)包含感光元件和電壓轉(zhuǎn)換器，可以在像元內(nèi)把光子轉(zhuǎn)換成電壓。

忽略電路板部分，只關(guān)注感光部分，有如下的示意圖。

CCD傳感器示意圖。CCD本質(zhì)上是一個(gè)大陣列的半導(dǎo)體“桶”，可以將傳入的光子轉(zhuǎn)換為電子并保持累積的電荷。這些電荷，可以被垂直移位寄存器，向下轉(zhuǎn)移到水平移位寄存器，水平移位寄存器以將電荷轉(zhuǎn)換為電壓并輸出。

CMOS傳感器示意圖?；パa(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體設(shè)計(jì)不是傳輸電荷桶，而是立即將電荷轉(zhuǎn)換為電壓，并在微線上輸出電壓。

CMOS圖像傳感器工作示意圖。CCD在過(guò)程結(jié)束時(shí)將電荷轉(zhuǎn)換為電壓，而CMOS傳感器則在開(kāi)始時(shí)執(zhí)行此轉(zhuǎn)換（因?yàn)楦飨裨獌?nèi)包含電壓轉(zhuǎn)換器）。然后可以通過(guò)緊湊、節(jié)能的微型電線輸出電壓。

CMOS圖像傳感器工作示意圖，每個(gè)像元獨(dú)立產(chǎn)生電壓，可迅速輸出。

CCD圖像傳感器工作示意圖：在各個(gè)光電傳感器中累積電荷后，它們會(huì)同時(shí)傳輸?shù)酱怪币莆患拇嫫髦?，在此寄存器中電荷向下垂直移?dòng)并穿過(guò)水平寄存器。最后，電荷被轉(zhuǎn)換為電壓并被放大。

全幅CCD圖像傳感器工作示意圖。全幅CCD是結(jié)構(gòu)最簡(jiǎn)單的傳感器，可以以非常高的分辨率生產(chǎn)。它們只有一個(gè)單線傳輸寄存器作為緩沖器，不能通過(guò)傳感器控制設(shè)置快門(mén)速度。因此，傳感器必須位于機(jī)械快門(mén)后面，因?yàn)楣饷魝鞲衅鞅砻嬷荒茉谄毓鈺r(shí)間內(nèi)暴露在光線下。全幅CCD主要用于科學(xué)和天文學(xué)中的攝影目的。

行間傳輸CCD圖像傳感器工作示意圖。在曝光時(shí)間結(jié)束時(shí)，來(lái)自傳感器單元的電荷同時(shí)傳輸?shù)剿邢袼氐闹虚g存儲(chǔ)器，并通過(guò)垂直和水平位移從那里讀出。行間傳輸CCD的優(yōu)勢(shì)在于它們可以快速、完全地從傳感器單元接收?qǐng)D像信息，中間存儲(chǔ)不需要機(jī)械鎖。這種設(shè)計(jì)的缺點(diǎn)是，傳感器的填充系數(shù)較低，這會(huì)導(dǎo)致對(duì)光的敏感度降低，或在低光下更容易產(chǎn)生噪音。

幀傳輸CCD工作示意圖。曝光后，存儲(chǔ)的圖像或單元中的電荷會(huì)非常迅速地轉(zhuǎn)移到轉(zhuǎn)移寄存器中。然后以與全幀 CCD相同的方式從傳輸寄存器讀取電荷。

幀間行傳輸CCD工作示意圖。結(jié)合了行間和全幅CCD原理。通過(guò)這種結(jié)構(gòu)，有源傳感器單元的電荷可以非?？焖俚貍鬏?shù)街虚g存儲(chǔ)單元，并從那里同樣快速地傳輸?shù)酵耆煌腹獾膫鬏敿拇嫫鳌?/p>

關(guān)于CCD工作原理，有一個(gè)經(jīng)典的區(qū)域雨水測(cè)量比喻。

CCD串行讀出方式，可以用桶旅測(cè)量區(qū)域雨量來(lái)示意。其中落在桶陣列上的降雨強(qiáng)度可能因地而異，與成像傳感器上的入射光子相似，如圖（a）。

這些桶在積分期間收集了不同數(shù)量的信號(hào)（水），桶在傳送帶上向代表串行寄存器（Serial Bucket Array）的一排空桶傳送。在圖（b），一整排存儲(chǔ)桶被并行移動(dòng)到串行寄存器的存儲(chǔ)庫(kù)中。串行移位和讀出操作如圖（c）所示，其中描繪了每個(gè)桶中累積的雨水被順序轉(zhuǎn)移到校準(zhǔn)的測(cè)量容器中，這類(lèi)似于CCD輸出放大器。當(dāng)串行傳送帶上所有容器的內(nèi)容物按順序測(cè)量完畢后，另一列并行班次（Parallel Register Shift）將下一行收集桶的內(nèi)容物轉(zhuǎn)移到串行記錄容器中，重復(fù)該過(guò)程，直到每個(gè)桶（像素）的內(nèi)容物都測(cè)量完畢。

下面這個(gè)動(dòng)畫(huà)，示意這個(gè)有趣的過(guò)程，注意，實(shí)際是一桶一桶地測(cè)量。

CCD雨量比喻示意圖。

03

結(jié)論

有了前面的了解，我們就直接給出結(jié)論了。

CCD和CMOS傳感器之間的主要區(qū)別在于處理每個(gè)像素的方式：CCD將光生電荷從一個(gè)像素移動(dòng)到另一個(gè)像素，并在輸出節(jié)點(diǎn)將其轉(zhuǎn)換為電壓。CMOS成像器，在每個(gè)像素上使用多個(gè)晶體管，將每個(gè)像素內(nèi)的電荷轉(zhuǎn)換為電壓，以使用更傳統(tǒng)的導(dǎo)線放大和移動(dòng)電荷。

CCD和CMOS傳感器的區(qū)別：CCD像元產(chǎn)生的電荷，需要先寄存在垂直寄存器中，然后分行傳送到水平寄存器，最后單獨(dú)依次測(cè)量每個(gè)像元的電荷并放大輸出信號(hào)。而CMOS傳感器，則可以在每個(gè)像元中產(chǎn)生電壓，然后通過(guò)金屬線，傳送到放大器輸出，速度更快。

CCD將光生電荷從一個(gè)像素移動(dòng)到另一個(gè)像素，并在輸出節(jié)點(diǎn)將其轉(zhuǎn)換為電壓。CMOS成像器，在每個(gè)像素上使用多個(gè)晶體管，將每個(gè)像素內(nèi)的電荷轉(zhuǎn)換為電壓，以使用更傳統(tǒng)的導(dǎo)線放大和移動(dòng)電荷。

CMOS VS CCD

CCD VS CMOS。

CMOS比CCD有一些明顯的優(yōu)勢(shì)：

CMOS 傳感器具有比 CCD 更快的數(shù)據(jù)檢索速度。在 CMOS中，每個(gè)像素都單獨(dú)放大，而不是在 CCD 中的公共端節(jié)點(diǎn)處理數(shù)據(jù)。這意味著每個(gè)像素都有自己的放大器，處理器消耗的噪聲可以在像素級(jí)調(diào)低，然后放大以獲得更高的清晰度，而不是在端節(jié)點(diǎn)一次性放大每個(gè)像素的原始數(shù)據(jù)。

CMOS 傳感器更節(jié)能且生產(chǎn)成本更低。它們可以通過(guò)重新利用現(xiàn)有的半導(dǎo)體來(lái)構(gòu)建。與CCD中的高壓模擬電路相比，這些也使用更少的功率。

CCD傳感器的圖像質(zhì)量?jī)?yōu)于CMOS傳感器。然而，CMOS傳感器在功耗和價(jià)格等方面優(yōu)于CCD傳感器。