當(dāng)前，SiC器件已廣泛應(yīng)用在新能源車的主驅(qū)、OBC等關(guān)鍵部件，有效的降低了提升了開(kāi)關(guān)速度，降低了能量損耗，使得整車的重量得到減少，續(xù)航里程得到提升。車用發(fā)展迅速，市場(chǎng)廣闊，在新能源產(chǎn)業(yè)強(qiáng)勁需求下，全球SiC產(chǎn)業(yè)步入高速成長(zhǎng)期，市場(chǎng)快速增長(zhǎng)。

近日，第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）于廈門召開(kāi)。期間，“碳化硅襯底、外延生長(zhǎng)及其相關(guān)設(shè)備技術(shù)”分會(huì)上，河北普興電子科技股份有限公司產(chǎn)品總監(jiān)張永強(qiáng)分享了200 mm 4H-SiC高質(zhì)量厚層同質(zhì)外延生長(zhǎng)的最新研究進(jìn)展。

普興電子從16年開(kāi)始SiC的研發(fā)，19年實(shí)現(xiàn)了6寸SiC外延片的量產(chǎn)，21年中標(biāo)國(guó)家工信部碳化硅外延產(chǎn)業(yè)化的項(xiàng)目。目前主要為1200V MOS產(chǎn)品，已通過(guò)車規(guī)級(jí)驗(yàn)證，應(yīng)用在新能源車主驅(qū)模塊上。

8寸外延是碳化硅外延技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)。報(bào)告顯示，普興電子近期研發(fā)出的8英寸碳化硅外延片的新產(chǎn)品，解決了8寸襯底應(yīng)力大、易開(kāi)裂、外延均勻性及缺陷難控制等難點(diǎn)。厚度均勻性為0.6%，濃度均勻性為2.3%。8寸產(chǎn)品的均勻性已達(dá)到與6寸量產(chǎn)產(chǎn)品相當(dāng)?shù)乃健?/strong>