一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

英飛凌達(dá)成200mm碳化硅(SiC)新里程碑:開始交付首批產(chǎn)品

章鷹觀察 ? 來源:廠商供稿 ? 作者:英飛凌 ? 2025-02-18 17:45 ? 次閱讀

2月18日,英飛凌科技股份公司在200 mm SiC產(chǎn)品路線圖上取得重大進(jìn)展。公司將于2025年第一季度向客戶提供首批基于先進(jìn)的200 mm SiC技術(shù)的產(chǎn)品。這些產(chǎn)品在位于奧地利菲拉赫的生產(chǎn)基地制造,將為高壓應(yīng)用領(lǐng)域提供先進(jìn)的SiC功率技術(shù),包括可再生能源系統(tǒng)、鐵路運(yùn)輸和電動(dòng)汽車等。此外,英飛凌位于馬來西亞居林的生產(chǎn)基地正在從150 mm晶圓向直徑更大、更高效的200 mm晶圓過渡。新建的第三廠區(qū)將根據(jù)市場需求開始大批量生產(chǎn)。

英飛凌200mm SiC晶圓

英飛凌科技首席運(yùn)營官Rutger Wijburg博士表示:“我們正在按計(jì)劃實(shí)施SiC產(chǎn)品的生產(chǎn),并且十分高興將開始為客戶提供首批產(chǎn)品。通過菲拉赫和居林生產(chǎn)基地的SiC產(chǎn)品分階段進(jìn)入量產(chǎn),我們正在提升成本效益并持續(xù)保證產(chǎn)品質(zhì)量,同時(shí)確保我們的產(chǎn)能滿足客戶對SiC功率半導(dǎo)體的需求?!?/p>

英飛凌200mm SiC晶圓

SiC半導(dǎo)體為大功率應(yīng)用帶來了變革,它進(jìn)一步提高了電源開關(guān)的效率、在極端條件下具有高度的可靠性和穩(wěn)健性,并且能夠?qū)崿F(xiàn)更小尺寸的設(shè)計(jì)。借助英飛凌的SiC產(chǎn)品,客戶能夠?yàn)殡妱?dòng)汽車、快速充電站和鐵路運(yùn)輸,以及可再生能源系統(tǒng)和AI數(shù)據(jù)中心開發(fā)節(jié)能解決方案。向客戶提供首批基于200 mm晶圓技術(shù)的SiC產(chǎn)品標(biāo)志著英飛凌在SiC產(chǎn)品路線圖上邁出了實(shí)質(zhì)性的一步,該路線圖的重點(diǎn)是為客戶提供全面的高性能功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合,推動(dòng)綠色能源的發(fā)展并對二氧化碳的減排做出貢獻(xiàn)。

作為專注于高度創(chuàng)新寬禁帶(WBG)技術(shù)的 “英飛凌虛擬協(xié)同工廠”,英飛凌位于菲拉赫和居林的生產(chǎn)基地通過共享技術(shù)和制程工藝,實(shí)現(xiàn)了SiC和氮化鎵(GaN)產(chǎn)品制造的快速進(jìn)入量產(chǎn)和平穩(wěn)高效的運(yùn)營?,F(xiàn)在,200 mm SiC的生產(chǎn)為英飛凌業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體技術(shù)和功率系統(tǒng)解決方案錦上添花,鞏固了公司在硅以及碳化硅和氮化鎵等整個(gè)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢。

關(guān)于英飛凌

英飛凌科技股份公司是全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者。英飛凌以其產(chǎn)品和解決方案推動(dòng)低碳化和數(shù)字化進(jìn)程。該公司在全球擁有約58,060名員工(截至2024年9月底),在2024財(cái)年(截至9月30日)的營收約為150億歐元。英飛凌在法蘭克福證券交易所上市(股票代碼:IFX),在美國的OTCQX國際場外交易市場上市(股票代碼:IFNNY)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 電動(dòng)汽車
    +關(guān)注

    關(guān)注

    156

    文章

    12330

    瀏覽量

    233786
  • 英飛凌
    +關(guān)注

    關(guān)注

    67

    文章

    2291

    瀏覽量

    139976
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    31

    文章

    3095

    瀏覽量

    64098
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    麥科信光隔離探頭在碳化硅SiC)MOSFET動(dòng)態(tài)測試中的應(yīng)用

    碳化硅SiC)MOSFET 是基于寬禁帶半導(dǎo)體材料碳化硅SiC)制造的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,相較于傳統(tǒng)硅(Si)MOSFET,具有更高的擊穿電壓、更低的導(dǎo)通電阻、更快的開關(guān)
    發(fā)表于 04-08 16:00

    SiC碳化硅二極管公司成為國產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對象

    結(jié)合國產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體市場的競爭格局和技術(shù)發(fā)展趨勢,SiC碳化硅二極管公司已經(jīng)成為國產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對象,比如2024已經(jīng)有
    的頭像 發(fā)表于 02-28 10:34 ?265次閱讀

    英飛凌200mm SiC技術(shù)取得突破,2025年首供客戶

    英飛凌200mm碳化硅(SiC)產(chǎn)品領(lǐng)域取得了重大進(jìn)展,計(jì)劃在2025年第一季度向客戶推出首批
    的頭像 發(fā)表于 02-19 15:35 ?411次閱讀

    英飛凌首批采用200毫米晶圓工藝制造的SiC器件成功交付

    毫米碳化硅 (SiC) 路線圖上取得了重大進(jìn)展。該公司已于 2025 年第一季度向客戶發(fā)布首批基于先進(jìn) 200 毫米 SiC 技術(shù)的
    的頭像 發(fā)表于 02-19 11:16 ?336次閱讀

    英飛凌達(dá)成200mm碳化硅SiC)新里程碑開始交付首批產(chǎn)品

    英飛凌開始向客戶提供首批采用先進(jìn)的200mm碳化硅SiC)晶圓制造技術(shù)的
    的頭像 發(fā)表于 02-18 17:32 ?509次閱讀
    <b class='flag-5'>英飛凌</b><b class='flag-5'>達(dá)成</b><b class='flag-5'>200mm</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>(<b class='flag-5'>SiC</b>)新<b class='flag-5'>里程碑</b>:<b class='flag-5'>開始</b><b class='flag-5'>交付</b><b class='flag-5'>首批</b><b class='flag-5'>產(chǎn)品</b>

    BASiC基本股份國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)品線概述

    變革潮頭: 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊的必然趨勢! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管的必然趨勢! 傾佳電子楊茜咬住
    的頭像 發(fā)表于 02-12 06:41 ?258次閱讀
    BASiC基本股份國產(chǎn)<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET<b class='flag-5'>產(chǎn)品</b>線概述

    40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!

    BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅M
    發(fā)表于 01-22 10:43

    產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應(yīng)用

    *附件:國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應(yīng)用.pdf
    發(fā)表于 01-20 14:19

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    具有決定性的影響。因此,深入理解柵極氧化層的特性,并掌握其可靠性測試方法,對于推動(dòng)碳化硅 MOSFET的應(yīng)用和發(fā)展具有重要意義。今天的“SiC科普小課堂”將聚焦于“柵極氧化層”這一新話題:“什么是柵極
    發(fā)表于 01-04 12:37

    碳化硅SiC制造工藝詳解 碳化硅SiC與傳統(tǒng)半導(dǎo)體對比

    碳化硅SiC制造工藝詳解 碳化硅SiC)作為一種高性能的半導(dǎo)體材料,其制造工藝涉及多個(gè)復(fù)雜步驟,以下是對SiC制造工藝的詳細(xì)介紹: 原材料
    的頭像 發(fā)表于 11-25 16:32 ?3708次閱讀

    碳化硅SiC材料應(yīng)用 碳化硅SiC的優(yōu)勢與性能

    碳化硅SiC材料應(yīng)用 1. 半導(dǎo)體領(lǐng)域 碳化硅是制造高性能半導(dǎo)體器件的理想材料,尤其是在高頻、高溫、高壓和高功率的應(yīng)用中。SiC基半導(dǎo)體器件包括肖特基二極管、MOSFETs、JFETs
    的頭像 發(fā)表于 11-25 16:28 ?1617次閱讀

    英飛凌居林工廠擴(kuò)建成全球最大碳化硅晶圓廠

    英飛凌在2024財(cái)年第三季度財(cái)報(bào)電話會上,碳化硅與居林工廠成為焦點(diǎn)。會后,英飛凌科技首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck即刻啟程,前往馬來西亞吉打州,參加一個(gè)具有里程碑意義的儀式—
    的頭像 發(fā)表于 08-26 09:50 ?628次閱讀

    安森美200mm碳化硅晶圓認(rèn)證計(jì)劃將在年底前完成

    安森美半導(dǎo)體(Onsemi)正緊鑼密鼓地推進(jìn)其200mm(即8英寸)碳化硅SiC)晶圓認(rèn)證計(jì)劃,預(yù)計(jì)這一關(guān)鍵步驟將在今年年底前順利完成,為2025年的全面量產(chǎn)奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。公司CEO
    的頭像 發(fā)表于 08-06 15:25 ?687次閱讀

    英飛凌馬來西亞居林碳化硅晶圓廠,全球功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新引擎

    在今日科技日新月異,半導(dǎo)體技術(shù)蓬勃發(fā)展的時(shí)代背景下,德國科技巨頭英飛凌近日在半導(dǎo)體行業(yè)再次掀起了波瀾。據(jù)報(bào)道,該公司已完成位于馬來西亞居林的200mm碳化硅SiC)功率晶圓廠的第一階
    的頭像 發(fā)表于 06-15 16:41 ?814次閱讀