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英特爾2月21日發(fā)布新工藝路線圖,或?qū)⒁隦ibbonFET環(huán)柵晶體管?

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2024-01-05 09:40 ? 次閱讀
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為實(shí)現(xiàn)IDM 2.0戰(zhàn)略,英特爾在2021年宣布啟動(dòng)“四年內(nèi)五個(gè)節(jié)點(diǎn)”(簡稱‘5N4Y’)計(jì)劃。其中,Intel 18A(1.8nm級(jí))技術(shù)將作為該項(xiàng)目的最高峰,計(jì)劃在2025年初投產(chǎn)。然而,對(duì)于未來的規(guī)劃仍未披露詳情,僅確定英特爾將于春節(jié)后揭示新工藝的具體藍(lán)圖。

值得關(guān)注的是,英特爾將在2月21日出席IFS Direct Connect活動(dòng),屆時(shí),英特爾晶圓代工服務(wù)IFS將重點(diǎn)探討5N4Y之后的研發(fā)方向。此次會(huì)議將邀請(qǐng)到英特爾首席執(zhí)行官帕特·基辛格(Pat Gelsinger)、IFS總經(jīng)理斯圖·潘恩、英特爾供應(yīng)鏈及運(yùn)營總經(jīng)理哈利凡·埃斯法賈尼、負(fù)責(zé)工藝技術(shù)開發(fā)的執(zhí)掌安妮·凱萊赫等核心人物發(fā)表主旨演講。

英特爾對(duì)此次活動(dòng)的定位如下: “誠摯邀請(qǐng)您傾聽英特爾高層精英、技術(shù)專才以及各方合作伙伴深度解讀我們的戰(zhàn)略布局、卓越工藝技術(shù)、尖端封裝技巧與生態(tài)建設(shè)。旨在讓您深入理解英特爾的代工廠服務(wù)如何助力貴司充分利用英特爾強(qiáng)大的彈性供應(yīng)實(shí)力構(gòu)筑芯片設(shè)計(jì)?!?/p>

然而,關(guān)于后續(xù)工藝革新的具體信息尚未明確,但是考慮到英特爾擅長的技術(shù)創(chuàng)新習(xí)性,其新工藝將在Intel 18A的基礎(chǔ)上進(jìn)一步升級(jí)。尤其是Intel 20A已經(jīng)引入了業(yè)界領(lǐng)先的RibbonFET環(huán)柵晶體管和PowerVia背面供電網(wǎng)絡(luò)(BSPDN),因此,預(yù)計(jì)這兩個(gè)技術(shù)將會(huì)繼續(xù)深化應(yīng)用。另外,基于半導(dǎo)體技術(shù)的復(fù)雜性,英特爾需要針對(duì)各類應(yīng)用場(chǎng)景適時(shí)調(diào)整工藝策略。以Intel 3為例,它具備豐富的高性能計(jì)算資源庫和卓越的驅(qū)動(dòng)電流,適用于數(shù)據(jù)中心級(jí)別的處理器需求。至于此種模式將來能否推廣至更多類型的節(jié)點(diǎn)服務(wù),以及英特爾是否打算提供更多專屬節(jié)點(diǎn),尚需觀察后續(xù)進(jìn)展。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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