RF模組使用者在使RF模組進(jìn)入Sleep后測(cè)試電流時(shí)有時(shí)會(huì)發(fā)現(xiàn)模組的功耗和規(guī)格書(shū)的Sleep狀態(tài)電流值對(duì)應(yīng)不上。這種情況都是讓RF模組進(jìn)入Sleep后，MUC和RF模組鏈接的IO的狀態(tài)配置不正確造成的。

那么如何解決呢？本文將對(duì)RF模組在Sleep狀態(tài)下如何做到最低功耗進(jìn)行說(shuō)明。

RF模組sleep時(shí)RF模組的IO狀態(tài)

先要獲知RF模組Sleep時(shí)，RF模組的IO的狀態(tài)。該信息可從模組規(guī)格書(shū)，模組主芯片手冊(cè)或者模組主芯片廠家處獲取。下面以SX126X和LLCC68系列模組為例進(jìn)行說(shuō)明。

SX126X和LLCC68系列模組主芯片在各個(gè)狀態(tài)下的各個(gè)IO的狀態(tài)如下圖所示：

我們主要關(guān)注Sleep狀態(tài)下的各個(gè)IO的狀態(tài)，并進(jìn)行如下分類(lèi)：

1

HIZ PD（高阻態(tài)下拉）：包含IO有 DIO3、DIO2、DIO1

模組的這類(lèi)IO在sleep時(shí)MCU的IO配置為輸入下拉即可。

2

HIZ PU（高阻態(tài)上拉）：包含IO有 BUSY

模組的這類(lèi)IO在sleep時(shí)MCU的IO配置為輸入上拉即可。

3

HIZ（高阻態(tài)無(wú)上拉和下拉）：包含IO有 MISO、MOSI、SCK

這類(lèi)IO當(dāng)模組為Sleep時(shí)建議配置MCU的IO為下拉輸入（對(duì)應(yīng)MISO）或輸出低（對(duì)應(yīng)MOSI、SCK）或 模擬輸入

注意：模組的這類(lèi)IO對(duì)應(yīng)的MCU的IOsleep如果配置為浮空輸入狀態(tài)，可能出現(xiàn)MCU內(nèi)部IO的施密特觸發(fā)器在由外部噪聲引起的邏輯電平之間隨機(jī)切換。這增加了總體消耗。這種現(xiàn)象是隨機(jī)的，可能和溫度、PCB走線等都有關(guān)系。

4

IN（輸入無(wú)上拉和下拉）：包含IO有 NSS

模組的這類(lèi)IO在sleep時(shí)MCU的IO配置為輸出高電平即可。

5

IN PU（輸入上拉）：包含IO有 NRESET

模組的這類(lèi)IO在sleep時(shí)MCU的IO配置為輸出高電平即可。

6

模組上有但是主芯片上沒(méi)有的CTL1和CTL2

這兩個(gè)IO時(shí)模組上的高頻開(kāi)關(guān)上的控制引腳，模組sleep時(shí)，請(qǐng)把MUC對(duì)應(yīng)的這兩個(gè)IO都輸出低電平。

結(jié)論

1、實(shí)際應(yīng)用中如果模組的DIO3、DIO2、DIO1 這類(lèi)IO在sleep時(shí)MCU的IO配置為輸入上拉則有可能增加sleep功耗。

2、實(shí)際應(yīng)用中如果模組的BUSY 這類(lèi)IO在sleep時(shí)MCU的IO配置為輸入下拉則有可能增加sleep功耗。

3、實(shí)際應(yīng)用中如果模組的MISO、MOSI、SCK這類(lèi)IO在sleep時(shí)MCU的IO配置為浮空輸入則有可能增加sleep功耗。

4、實(shí)際應(yīng)用中如果模組的NRESET只在模組復(fù)位時(shí)有電平變化，在模組進(jìn)出sleep過(guò)程中都不要進(jìn)行電平操作。

5、實(shí)際應(yīng)用中如果模組的CTL1和CTL2如果不輸出低，則高頻開(kāi)關(guān)未關(guān)閉，則會(huì)增加sleep功耗。