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碳化硅的特性、應(yīng)用及動態(tài)測試

芯長征科技 ? 來源:半導(dǎo)體信息 ? 2024-01-09 09:41 ? 次閱讀
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SiC是碳化硅的縮寫。它是一種由硅原子和碳原子組成的化合物。碳化硅以其優(yōu)異的性能著稱,是一種用途廣泛的材料。

碳化硅的特性:

硬度:碳化硅是已知最硬的材料之一,僅次于金剛石

高導(dǎo)熱性:碳化硅具有優(yōu)異的傳熱性能,因此適合高溫應(yīng)用。

高強度:即使在高溫下,SiC 也具有很高的機械強度。

耐化學(xué)性:耐化學(xué)性:SiC 可耐受多種化學(xué)物質(zhì),包括酸和堿 .

寬帶隙:寬帶隙:SiC 具有寬帶隙,可用于大功率和高溫電子設(shè)備。

碳化硅的應(yīng)用:

電子:由于具有高擊穿電壓和熱傳導(dǎo)性,SiC 可用于電力電子設(shè)備,如高壓設(shè)備、功率轉(zhuǎn)換器逆變器。

汽車工業(yè):碳化硅正越來越多地用于電動汽車(EV)的電力電子設(shè)備和電池管理系統(tǒng),因為它能實現(xiàn)更高的效率和更長的行駛里程。

航空航天和國防:由于具有高強度和熱穩(wěn)定性,SiC 被用于飛機和航天器的部件,如渦輪發(fā)動機部件、熱交換器和雷達罩。

-工業(yè)應(yīng)用:碳化硅因其硬度和耐磨性而被用于研磨材料、切削工具、砂輪和耐火襯里。

-可再生能源:碳化硅可用于太陽能逆變器和風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng),因為它能承受高電壓和高溫,提高能源轉(zhuǎn)換效率。

碳化硅(SiC)的動態(tài)測試:

可以對動態(tài)工作條件下的碳化硅器件進行表征和評估。

1.瞬態(tài)測試:瞬態(tài)測試包括將 SiC 器件置于快速開關(guān)事件中并測量其響應(yīng)。這包括測量開關(guān)速度、開關(guān)損耗以及開通和關(guān)斷事件期間的電壓和電流波形。瞬態(tài)測試可提供有關(guān) SiC 器件動態(tài)行為的寶貴信息。

2.雙脈沖測試:雙脈沖測試是一種特定類型的瞬態(tài)測試,可準確評估 SiC 器件每個周期的開關(guān)性能。它包括對器件施加兩個脈沖,第一個脈沖確定關(guān)斷期間的電流幅度,第二個脈沖評估接通事件。這種測試裝置有助于分析開關(guān)能量和柵極充電特性。

3.高速示波器測量:使用具有快速采樣率的高速示波器來捕捉和分析動態(tài)運行期間的電壓和電流波形。通過這些測量可深入了解開關(guān)行為、瞬態(tài)響應(yīng)以及電壓尖峰或振鈴效應(yīng)等任何潛在問題。

4.動態(tài)電氣特性分析:動態(tài)電氣特性分析包括測量動態(tài)條件下的導(dǎo)通電阻、電容和柵極電荷等參數(shù)。這有助于了解器件在開關(guān)事件中的性能及其對功率損耗和效率的影響

5.熱特性分析:SiC器件在工作過程中會產(chǎn)生熱量,其動態(tài)行為會影響熱性能。熱特性分析技術(shù)(如熱成像或熱阻測量)可用于評估器件在動態(tài)條件下的熱行為

6.電磁干擾 (EMI) 測量:SiC 器件在開關(guān)過程中會產(chǎn)生電磁干擾。EMI 測量包括分析器件產(chǎn)生的噪聲和輻射,并評估其是否符合電磁兼容性法規(guī)。這有助于發(fā)現(xiàn)潛在問題并優(yōu)化器件設(shè)計,以降低 EMI 。

來源:半導(dǎo)體信息

審核編輯:湯梓紅

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原文標題:碳化硅的特性及測試

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