相信大家在MCU調試和生產測試階段遇到過這樣的情況，芯片發(fā)燙不工作，甚至芯片冒起一陣青煙，

封裝出現開裂或小孔，

斷電量測發(fā)現MCU的VDD和GND已經短路了。

那么為什么芯片損壞后總是VDD短路，是因為VDD電壓過高導致的嗎？讓我們一起來分析一下。

首先我們看下典型的MCU IO口結構：

基本在芯片內的每一個IO口都會有保護二極管，當IO口的電壓高于VDD或者小于VSS后，保護二極管就可以把電壓/電流泄放到電源和GND上，避免靜電等燒壞內部電路。

同時我們可以看到IO內部還有很多器件也都連接到VDD和VSS上，并且這些只是結構體上所看到的，實際電路內很多CMOS和金屬線都會連接到VDD上。

那么當IO口內部流入電流時，芯片內部的集成電路金屬線和器件因為有阻抗存在就一定會產生溫升，所以當電流足夠大時，芯片內部金屬層或器件會出現熔斷，融化的導電介質會擴散開，和周圍電路粘連在一起

結合前面的圖我們可以大膽相信，這些電路被融化金屬物質連接后會發(fā)生什么？對那就是我們討論的答案，VDD和VSS電路被融化物質連接導致短路。

那么我們再繼續(xù)想象一下，當一個PCB的電源和地被芯片內部連接到一起后會發(fā)生什么？

如果電源能提供的電流足夠大，那么通過芯片內部融化金屬的連接流過幾A（讀“安”）電流產生更大溫升，芯片物理介質會大面積碳化甚至氣化，瞬間的高溫可能讓封裝體燃燒冒煙，同時芯片內部嚴重分層產生的壓力讓封裝體字節(jié)爆裂。

當然如果通過LDO等提供的最大電流較低，芯片不會出現明顯的外觀損壞，會讓我們對芯片什么壞了更加摸不著頭腦；

當然，看完這篇文章你就知道當芯片損壞發(fā)現VDD短路時，可以把每一個IO口也測試一下阻抗和二極管特性，真正的源頭很可能就是從某一個IO口外部的電路引入，VDD可能只是“背鍋俠”。

那么如何分析IO電性是否正常？哪些情況會引入過電壓過電流？對后續(xù)感興趣的話請點贊+收藏，也歡迎評論和轉發(fā)。