在美國舊金山舉行的西部光電展（Photonics West 2024）會議上，度亙核芯（DoGain）發(fā)布了915nm高功率高效率半導體激光方面的最新進展，首次實現了單管器件高達110W的功率輸出！

隨著工業(yè)加工市場的蓬勃發(fā)展，半導體激光芯片的功率、效率、亮度面臨著新的挑戰(zhàn)，激光芯片任何方面性能的提升，對激光應用都會起到巨大的推動作用。度亙核芯深耕激光芯片領域多年，研發(fā)量產了眾多的芯片系列，產品在業(yè)內一直處于領先地位。度亙核芯通過對基礎物理、材料科學、芯片設計以及器件制備工藝的深入研究，優(yōu)化了芯片的內量子效率、腔內光學損耗以及腔面的高負載能力，成功實現了輸出功率和電光轉換效率的顯著提高。

新近研發(fā)的915nm 500um條寬單管雙結激光芯片，在具有極高的電光轉換效率的前提下，在室溫和55A連續(xù)工作條件下，突破性的實現了110W的高輸出功率，為業(yè)界領先水平！

圖1. 9xxnm雙結半導體激光芯片特性曲線（CW）

雙結激光芯片的技術突破是建立在已批量生產的單結9xx nm 芯片技術基礎之上，現已在業(yè)界廣受歡迎的915nm 320um條寬單管激光芯片，在室溫連續(xù)工作條件下可靠輸出45W功率，電光轉換效率超過65%；500um條寬單結芯片在連續(xù)工作條件下輸出功率達到74W！

圖2.9xxnm單結半導體激光芯片特性曲線（CW）

此系列高功率、高效率新產品的研發(fā)成功充分展示了度亙堅持技術領先、不懈進取的企業(yè)精神，度亙也將持續(xù)聚焦核心光電領域，提升產品的性能和可靠性，持續(xù)不斷的為客戶提供更優(yōu)質的產品。