BD網(wǎng)盤鏈接：

https://pan.baidu.com/s/1dmtMWcK1TII-vutsS8X0Og?pwd=5wwy
提取碼：5wwy

概述

CW32L052內(nèi)部集成了64KB嵌入式FLASH供用戶使用，可用來存儲應(yīng)用程序和用戶數(shù)據(jù) 。

芯片支持對 FLASH 存儲器的讀、擦除和寫操作，支持 擦寫保護和讀保護 。

芯片內(nèi)置 FLASH 編程所需的高壓 BOOST 電路， 無須額外提供編程電壓 。

FLASH存儲器組織

• 總?cè)萘?4KB，分頁管理
• 每頁 512 字節(jié)
• 共 128 頁

FLASH存儲器保護

FLASH 存儲器具有擦寫保護和讀保護功能。

• 擦寫保護

包括鎖定頁擦寫保護和PC 地址頁擦寫保護，處于保護狀態(tài)的頁面不能被擦寫，可避免 FLASH 內(nèi)容被意外改寫。

• 讀保護

以整片F(xiàn)LASH為保護對象，不支持單頁保護，可避免用戶代碼被非法讀取。

FLASH存儲器操作

FLASH 存儲器操作包括：讀操作、擦除、寫（編程）操作。

頁擦除

FLASH 的頁擦除操作的最小單位為 1 頁，即 512 字節(jié)。頁擦除操作完成后，該頁所有地址空間的數(shù)據(jù)內(nèi)容均為 0xFF 。

如果對未解鎖的 FLASH 頁面進行頁擦除操作，或者對*正在運行的程序[^1]*進行擦除操作，會操作失敗，產(chǎn)生 錯誤中斷標志 。

CW32L052 內(nèi)部 FLASH 存儲器被劃分為 128 頁，每 8 頁對應(yīng)擦寫鎖定寄存器的 1 個鎖定位 。擦寫鎖定寄存器的各位域與 FLASH 鎖定頁面的對應(yīng)關(guān)系如下表所示：

寫操作

基于嵌入式 FLASH 的特性，寫操作只能將 FLASH 存儲器中位數(shù)據(jù) 由'1'改寫為'0' ，不能由'0'改寫為'1'， 因此在寫數(shù)據(jù)之前先要對對應(yīng)地址所在頁進行擦除操作。

基于以上陳述，總結(jié)出以下三個原則：

• 不可對數(shù)據(jù)位內(nèi)容為'0'的地址寫入
• 不可對鎖定區(qū)域內(nèi)的地址寫入
• 不可對 PC（程序指針）所在的頁的地址寫入

讀操作

CW32L052 對 FLASH 的讀操作支持 3 種不同位寬，可采用直接訪問絕對地址方式讀取，讀取的數(shù)據(jù)位寬必 須和對應(yīng)地址邊界對齊。

核心代碼

//單片機頭文件
#include "main.h"
//硬件驅(qū)動
#include "gpio.h"
#include "delay.h"

//子程序
void LCD_Configuration(void);       //段式LCD配置函數(shù)
void LCD_Display(uint16_t dispdata);     //段式LCD顯示函數(shù)
uint8_t FLASH_Erase(void);         //FLASH頁擦除函數(shù)
uint8_t FLASH_Write(uint8_t *ByteData,uint16_t amount); //FLASH寫操作函數(shù)

int main(void)
{
 int i;
 int temp8;
 uint8_t cnt=0;
 uint8_t WriteBuf[256];

    LED_Init();    //初始化程序運行情況指示燈
 LCD_Configuration();    //配置LCD液晶顯示屏

 FLASH_Erase();          //頁擦除操作
 for(i=0;i< 256;i++)      //驗證是否擦除成功
 {
  temp8=*((volatile uint8_t*)(512*127+i));
  if(temp8!=0xff)
  {
   while(1)
   {
    LED2_ON();       //LED2閃爍
    Delay_ms(300);
    LED2_OFF();
    Delay_ms(300);
   }
  }
 }

 for(i=0;i< 256;i++)      //準備寫入FLASH存儲器的數(shù)據(jù)
 {
  WriteBuf[i]=i;
 }
 FLASH_Write(WriteBuf,256); //寫操作
 for(i=0;i< 255;i++)           //驗證是否寫入正確
 {
  temp8=*((volatile uint8_t*)(512*127+i));
  if(temp8!=i)
  {
   while(1)
   {
    LED1_ON();     //LED1、LED2同時閃爍指示寫入失敗
    LED2_ON();
    Delay_ms(300);
    LED1_OFF();
    LED2_OFF();
    Delay_ms(300);
   }
  }
 }

 LED1_ON();       //指示擦除、讀、寫均成功
 LED2_ON();
    while(1)
    {
  LCD_Display(*((volatile uint8_t*)(512*127+cnt)));  //LCD上依次顯示寫入的數(shù)據(jù)
  Delay_ms(500);
  cnt++;
    }
}

uint8_t FLASH_Erase(void)    //頁擦除
{
 int flag=1;

 FLASH_UnlockPages(512*127,512*127);
 flag=FLASH_ErasePages(512*127,512*127);
 FLASH_LockAllPages();
 if(flag!=0)
 {
  while(1)
  {
   LED1_ON();
   Delay_ms(300);
   LED1_OFF();
   Delay_ms(300);
  }
 }

 return 0;
}

uint8_t FLASH_Write(uint8_t *ByteData,uint16_t amount)  //寫操作
{
 int flag=1;

 FLASH_UnlockPages(512*127,512*127);
 flag=FLASH_WriteBytes(512*127,ByteData,amount);
 FLASH_LockAllPages();
 if(flag!=0)
 {
  while(1)
  {
   LED2_ON();
   Delay_ms(300);
   LED2_OFF();
   Delay_ms(300);
  }
 }

 return 0;
}

void LCD_Configuration(void)      //段式LCD配置
{
    __RCC_LCD_CLK_ENABLE();
 RCC_LSI_Enable();

    LCD_InitTypeDef LCD_InitStruct = {0};

    LCD_InitStruct.LCD_Bias = LCD_Bias_1_3;
    LCD_InitStruct.LCD_ClockSource = LCD_CLOCK_SOURCE_LSI;
    LCD_InitStruct.LCD_Duty = LCD_Duty_1_4;
    LCD_InitStruct.LCD_ScanFreq = LCD_SCAN_FREQ_256HZ;
    LCD_InitStruct.LCD_VoltageSource = LCD_VoltageSource_Internal;

    LCD_Init(&LCD_InitStruct);
 LCD_COMConfig(LCD_COM0 | LCD_COM1 | LCD_COM2 | LCD_COM3, ENABLE);
    LCD_SEG0to23Config(LCD_SEG0|LCD_SEG1|LCD_SEG2|LCD_SEG3|LCD_SEG4|LCD_SEG5|LCD_SEG6|LCD_SEG7, ENABLE);

 LCD_Cmd(ENABLE);
}

void LCD_Display(uint16_t dispdata)   //LCD顯示
{
 uint16_t DisBuf[10]={NUM0,NUM1,NUM2,NUM3,NUM4,NUM5,NUM6,NUM7,NUM8,NUM9};

 LCD_Write(LCD_RAMRegister_0,0x00000000);
 LCD_Write(LCD_RAMRegister_1,0x00000000);

 if(dispdata< 10)
  LCD_Write(LCD_RAMRegister_0,DisBuf[dispdata]);
 else if(dispdata< 100)
  LCD_Write(LCD_RAMRegister_0,DisBuf[dispdata/10]|DisBuf[dispdata%10]< 16);
 else if(dispdata< 1000)
 {
  LCD_Write(LCD_RAMRegister_0,DisBuf[dispdata/100]|DisBuf[dispdata/10%10]< 16);
  LCD_Write(LCD_RAMRegister_1,DisBuf[dispdata%10]);
 }
 else
 {
  LCD_Write(LCD_RAMRegister_0,0xffffffff);
  LCD_Write(LCD_RAMRegister_1,0xffffffff);
 }

}

視頻演示

補充
FLASH存儲器和EEPROM存儲器對比

一般性的總結(jié)：

使用場景側(cè)重：

• EEPROM：頻繁的擦寫操作，如存儲計數(shù)器、傳感器數(shù)據(jù)等
• FLASH：大容量、高速讀寫，如存儲程序代碼和固件等

審核編輯 黃宇