一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

中國碳化硅襯底價(jià)格下滑,國際供應(yīng)商仍為主要采購源

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2024-03-07 09:36 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

據(jù)業(yè)內(nèi)人士于今年三月披露,我國碳化硅(SiC)襯底的售價(jià)正急速下滑,雖然全球其他地區(qū)價(jià)位平穩(wěn)如故。由于境內(nèi)供應(yīng)商間的競爭趨烈,過去多年巋然不動(dòng)的碳化硅襯價(jià)自2024年起呈逐漸下跌之勢。

據(jù)該知情人士透露,來自中國電動(dòng)車生產(chǎn)商及全球各地芯片制造巨頭的訂單,目前無法滿足國內(nèi)碳化硅供應(yīng)商對(duì)產(chǎn)能的需求。部分中國企業(yè)雖然承諾會(huì)加強(qiáng)本土供應(yīng)鏈采購,然而出于安全考慮,部分電動(dòng)車制造商未必會(huì)增加本土供應(yīng)比重,因此實(shí)際自給水平或許并未如之前所宣稱的那般樂觀。

值得注意的是,國際芯片巨頭諸如意法半導(dǎo)體、英飛凌、安森美以及羅姆電子等提供的碳化硅元器件,仍然在中國市場占據(jù)著舉足輕重的地位。知情者還補(bǔ)充道,國外汽車品牌或與我國合作組建的汽車團(tuán)隊(duì)也傾向于從這些供應(yīng)商那里購買碳化硅部件。

鑒于我國碳化硅產(chǎn)能逐步提升,近期一線供應(yīng)商已經(jīng)下調(diào)了售價(jià)高達(dá)近30%。然而相比之下,全球其他地區(qū)的碳化硅襯底價(jià)格依然保持相當(dāng)穩(wěn)定。其中6吋業(yè)內(nèi)主流產(chǎn)品的國際均價(jià)為750~800美元,與此相對(duì),中國制造商以往定價(jià)普遍低出5%,然而近期這一差距擴(kuò)大到了大約30%。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 電動(dòng)車
    +關(guān)注

    關(guān)注

    73

    文章

    3082

    瀏覽量

    116092
  • 芯片制造
    +關(guān)注

    關(guān)注

    10

    文章

    688

    瀏覽量

    29729
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    3066

    瀏覽量

    50468
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    碳化硅晶圓特性及切割要點(diǎn)

    01襯底碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料中氮化鎵、碳化硅應(yīng)用的基石。碳化硅襯底
    的頭像 發(fā)表于 07-15 15:00 ?99次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>晶圓特性及切割要點(diǎn)

    超薄碳化硅襯底切割自動(dòng)對(duì)刀精度提升策略

    超薄碳化硅襯底
    的頭像 發(fā)表于 07-02 09:49 ?131次閱讀
    超薄<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b>切割自動(dòng)對(duì)刀精度提升策略

    切割進(jìn)給量與碳化硅襯底厚度均勻性的量化關(guān)系及工藝優(yōu)化

    引言 在碳化硅襯底加工過程中,切割進(jìn)給量是影響其厚度均勻性的關(guān)鍵工藝參數(shù)。深入探究二者的量化關(guān)系,并進(jìn)行工藝優(yōu)化,對(duì)提升碳化硅襯底質(zhì)量、滿足半導(dǎo)體器件制造需求具有重要意義。 量化關(guān)系
    的頭像 發(fā)表于 06-12 10:03 ?249次閱讀
    切割進(jìn)給量與<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b>厚度均勻性的量化關(guān)系及工藝優(yōu)化

    CREE(Wolfspeed)的壟斷與衰落及國產(chǎn)碳化硅襯底崛起的發(fā)展啟示

    中國碳化硅襯底材料從受制于人到實(shí)現(xiàn)自主突破的歷程,以及由此對(duì)國產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)的啟示,可以歸納為以下幾個(gè)關(guān)鍵點(diǎn):? 一、從壟斷到突破:中國
    的頭像 發(fā)表于 03-05 07:27 ?581次閱讀
    CREE(Wolfspeed)的壟斷與衰落及國產(chǎn)<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b>崛起的發(fā)展啟示

    環(huán)球晶宣布:6英寸碳化硅襯底價(jià)格趨于穩(wěn)定

    近日,環(huán)球晶董事長徐秀蘭表示,主流6英寸碳化硅(SiC)襯底價(jià)格已經(jīng)穩(wěn)定,但市場反彈仍不確定。中國臺(tái)灣制造正專注于開發(fā)8英寸SiC
    的頭像 發(fā)表于 02-19 11:35 ?539次閱讀

    碳化硅薄膜沉積技術(shù)介紹

    多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應(yīng)性、制造優(yōu)勢和多樣的沉積技術(shù)而著稱;而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫
    的頭像 發(fā)表于 02-05 13:49 ?863次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>薄膜沉積技術(shù)介紹

    碳化硅襯底的生產(chǎn)過程

    碳化硅(SiC)作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,因其出色的物理和化學(xué)特性,如高硬度、高熔點(diǎn)、高熱導(dǎo)率和化學(xué)穩(wěn)定性,在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中得到了廣泛的應(yīng)用。SiC襯底是制造高性能SiC器件的關(guān)鍵材料,其生產(chǎn)過程復(fù)雜
    的頭像 發(fā)表于 02-03 14:21 ?1040次閱讀

    碳化硅襯底的特氟龍夾具相比其他吸附方案,對(duì)于測量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

    一、引言 隨著碳化硅在半導(dǎo)體等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,對(duì)其襯底質(zhì)量的檢測愈發(fā)關(guān)鍵。BOW(翹曲度)和 WARP(彎曲度)是衡量碳化硅襯底質(zhì)量的重要參數(shù),準(zhǔn)確測量這些參數(shù)對(duì)于保證器件性能至關(guān)重要
    的頭像 發(fā)表于 01-23 10:30 ?286次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b>的特氟龍夾具相比其他吸附方案,對(duì)于測量<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b> BOW/WARP 的影響

    不同的碳化硅襯底的吸附方案,對(duì)測量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

    在當(dāng)今蓬勃發(fā)展的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中,碳化硅(SiC)襯底作為關(guān)鍵基礎(chǔ)材料,正引領(lǐng)著高性能芯片制造邁向新的臺(tái)階。對(duì)于碳化硅襯底而言,其 BOW(彎曲度)和 WARP(翹曲度)參數(shù)猶如精密天平上
    的頭像 發(fā)表于 01-14 10:23 ?400次閱讀
    不同的<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b>的吸附方案,對(duì)測量<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b> BOW/WARP 的影響

    碳化硅襯底的環(huán)吸方案相比其他吸附方案,對(duì)于測量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

    在半導(dǎo)體領(lǐng)域,隨著碳化硅(SiC)材料因其卓越的電學(xué)性能、高熱導(dǎo)率等優(yōu)勢逐漸嶄露頭角,成為新一代功率器件、射頻器件等制造的熱門襯底選擇,對(duì)碳化硅襯底質(zhì)量的精準(zhǔn)把控愈發(fā)關(guān)鍵。其中,
    的頭像 發(fā)表于 01-13 14:36 ?394次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b>的環(huán)吸方案相比其他吸附方案,對(duì)于測量<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b> BOW/WARP 的影響

    優(yōu)化濕法腐蝕后碳化硅襯底TTV管控

    一、濕法腐蝕在碳化硅襯底加工中的作用與挑戰(zhàn) 濕法腐蝕是碳化硅襯底加工中不可或缺的一步,主要用于去除表面損傷層、調(diào)整表面形貌、提高表面光潔度等
    的頭像 發(fā)表于 12-27 09:54 ?469次閱讀
    優(yōu)化濕法腐蝕后<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b>TTV管控

    用于切割碳化硅襯底TTV控制的硅棒安裝機(jī)構(gòu)

    一、碳化硅襯底TTV控制的重要性 碳化硅襯底的TTV是指襯底表面各點(diǎn)厚度最高點(diǎn)與最低點(diǎn)之間的差值。TTV的大小直接影響后續(xù)研磨、拋光工序的效
    的頭像 發(fā)表于 12-26 09:51 ?465次閱讀
    用于切割<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b>TTV控制的硅棒安裝機(jī)構(gòu)

    降低碳化硅襯底TTV的磨片加工方法

    一、碳化硅襯底的加工流程 碳化硅襯底的加工主要包括切割、粗磨、精磨、粗拋和精拋(CMP)等幾個(gè)關(guān)鍵工序。每一步都對(duì)最終產(chǎn)品的TTV有著重要影
    的頭像 發(fā)表于 12-25 10:31 ?561次閱讀
    降低<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b>TTV的磨片加工方法

    碳化硅襯底修邊處理后,碳化硅襯底TTV變化管控

    一、碳化硅襯底修邊處理的作用與挑戰(zhàn) 修邊處理是碳化硅襯底加工中的一個(gè)關(guān)鍵步驟,主要用于去除襯底
    的頭像 發(fā)表于 12-23 16:56 ?487次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b>修邊處理后,<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b>TTV變化管控

    碳化硅襯底,進(jìn)化到12英寸!

    人沒想到的是,在8英寸碳化硅還遠(yuǎn)未大規(guī)模落地時(shí),12英寸碳化硅襯底就已經(jīng)悄然面世。 ? 天岳先進(jìn)發(fā)布300mm 碳化硅襯底 ? 在上周的德國
    的頭像 發(fā)表于 11-21 00:01 ?4131次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b>,進(jìn)化到12英寸!