PowerPAIR3 x 3FS封裝80 V對稱雙通道MOSFET

RDS(ON)達到業(yè)內(nèi)先進水平，提高功率密度、能效和熱性能

節(jié)省空間型器件所需 PCB 空間，比 PowerPAIR 1212 封裝分立器件減少 50 %

有助于減少元器件數(shù)量并簡化設(shè)計

日前，Vishay 推出新型 80 V 對稱雙通道 N 溝道功率 MOSFET，將高邊和低邊 TrenchFETGen IV MOSFET 組合在 3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR3 x 3FS 單體封裝中。Vishay Siliconix SiZF4800LDT適用于工業(yè)和通信應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換，在提高功率密度和能效的同時，增強熱性能，減少元器件數(shù)量并簡化設(shè)計。

日前發(fā)布的雙通道 MOSFET 可用來取代兩個 PowerPAK 1212 封裝分立器件，節(jié)省 50 % 基板空間。器件為設(shè)計人員提供節(jié)省空間的解決方案，用于同步降壓轉(zhuǎn)換器、負載點（POL）轉(zhuǎn)換器、DC / DC 轉(zhuǎn)換器半橋和全橋功率級，適用領(lǐng)域包括無線電基站、工業(yè)電機驅(qū)動、焊接設(shè)備和電動工具。這些應(yīng)用中，SiZF4800LDT 高低邊 MOSFET 提供 50 % 占空比優(yōu)化組合，同時 4.5 V 下邏輯電平導(dǎo)通簡化電路驅(qū)動。

為提高功率密度，該 MOSFET 在 4.5 V 條件下導(dǎo)通電阻典型值降至 18.5 mΩ，達到業(yè)內(nèi)先進水平。比相同封裝尺寸最接近的競品器件低 16 %。SiZF4800LDT 低導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即 MOSFET 功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）為 131 mΩ*nC，導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積提高了高頻開關(guān)應(yīng)用的效率。

器件采用倒裝芯片技術(shù)增強散熱能力，熱阻比競品 MOSFET 低 54 %。SiZF4800LDT 導(dǎo)通電阻和熱阻低，連續(xù)漏電流達 36 A，比接近的競品器件高 38 %。MOSFET 獨特的引腳配置有助于簡化 PCB 布局，支持縮短開關(guān)回路，從而減小寄生電感。SiZF4800LDT 經(jīng)過 100 % Rg 和 UIS 測試，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，無鹵素。

競品對比表

Vishay新型PowerPAIR3 x 3FS封裝 80 V 對稱雙通道N溝道功率MOSFET

審核編輯：劉清