FeRAM鐵電存儲(chǔ)器是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長(zhǎng)的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器（內(nèi)存）。FeRAM的數(shù)據(jù)保持，不僅不需要備用電池，而且與EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器相比，具有優(yōu)越的高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。

FeRAM的結(jié)構(gòu)

鋯 (Zr) 或鈦(Ti)正離子在晶格中占據(jù)兩個(gè)穩(wěn)定位置，并且可以通過(guò)施加外部電場(chǎng)在兩個(gè)位置之間移動(dòng)。由于兩個(gè)穩(wěn)定位置都偏離電荷中心，因此在鐵電材料中會(huì)出現(xiàn)兩個(gè)相反方向的極化，圖中向上或向下。即使去除了電場(chǎng)，也可以存儲(chǔ)向上或向下極化，如果施加相反的電場(chǎng)，則可以在彼此之間切換。

鐵電膜的上下設(shè)置有電極，構(gòu)成電容器，標(biāo)示出電極電壓及極化量時(shí)，能夠?qū)崿F(xiàn)磁滯 (過(guò)程)，從而能夠記憶“1”或者“0”。鐵電存儲(chǔ)器就是利用了這種非

FeRAM陣容

富士通車規(guī)級(jí)SPI接口鐵電存儲(chǔ)器(用于高可靠性應(yīng)用,符合AEC-Q100可靠性實(shí)驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn))

MB85RS4MTY(AEC-Q100)

MB85RS4MLY(AEC-Q100)

MB85RS2MTY(AEC-Q100)

MB85RS2MLY(AEC-Q100)

MB85RS512TY(AEC-Q100)

MB85RS512LY(AEC-Q100)

MB85RS256TYA(AEC-Q100)

MB85RS256TY(AEC-Q100)

MB85RS256LYA(AEC-Q100)

MB85RS128TY(AEC-Q100)

MB85RS64VY(AEC-Q100)

SPI接口(一般用途)

1) 快速讀取模式時(shí)，可實(shí)現(xiàn)最大40MHz操作。

2) 有二進(jìn)制計(jì)數(shù)器功能

3) 雙SPI模式時(shí)，可實(shí)現(xiàn)最大7.5MHz操作。

MB85RQ8MX

MB85RQ8MLX

MB85RS4MTY

MB85RS4MLY

MB85RS4MT

MB85RQ4ML

MB85RS2MTY

MB85RS2MLY

MB85RS2MTA

MB85RS1MT

MB85RS1MT(1.7V)

MB85RS512T

MB85RS256TY

MB85RS256B

MB85RS128TY

MB85RS128B

MB85RS64VY

MB85RS64TU

MB85RS64T

MB85RS64T(1.7V)

MB85RS64V

MB85RS64

MB85RS16

MB85RS16N

MB85RDP16LX

I2C接口(用于高可靠性應(yīng)用,符合AEC-Q100可靠性實(shí)驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn))

MB85RC512TY(AEC-Q100)

MB85RC512LY(AEC-Q100)

MB85RC256TY(AEC-Q100)

MB85RC256LY(AEC-Q100)

I2C接口(一般用途)

MB85RC1MTPNF-G-JNERE1

MB85RC512TPNF-G-JNERE1

MB85RC256VPNF-G-JNERE1,MB85RC256VPF-G-BCERE1

MB85RC128APNF-G-JNERE1

MB85RC64TAPNF-G-BDE1,MB85RC64TAPNF-G-BDERE1,MB85RC64TAPNF-G-AWE2,MB85RC64TAPNF-G-AWERE2,MB85RC64TAPNF-G-JNE2,MB85RC64TAPNF-G-JNERE2,MB85RC64TAPN-G-AMEWE1

MB85RC64APNF-G-JNERE1

MB85RC64VPNF-G-JNERE1

MB85RC16PNF-G-JNE1,MB85RC16PNF-G-JNERE1,MB85RC16PN-G-AMERE1

MB85RC16VPNF-G-JNN1E1，MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1，MB85RC16VPNF-G-AWE2，MB85RC16VPNF-G-AWERE2

MB85RC04PNF-G-JNERE1

MB85RC04VPNF-G-JNERE1

并行接口鐵電存儲(chǔ)器

MB85R8M1TAFN-G-JAE2，MB85R8M1TABGL-G-JAE1

MB85R8M2TAFN-G-JAE2，MB85R8M2TABGL-G-JAE1

MB85R8M2TPBS-M-JAE1

MB85R4M2TFN-G-JAE2

MB85R4001ANC-GE1

MB85R4002ANC-GE1

MB85R1001ANC-GE1

MB85R1002ANC-GE1

MB85R256FPFCN-G-BNDE1

RFID+RFAM

MB97R8110

MB97R8120

MB97R8050

MB89R118C

MB89R119B

MB89R112

驗(yàn)證用LSI

MB94R330

采用FeRAM代替EEPROM和閃存的優(yōu)勢(shì)

1.性能改進(jìn)

由于快速的寫入速度，即使在突然停電的情況下，F(xiàn)eRAM可以保存寫入數(shù)據(jù)。不僅如此，F(xiàn)eRAM可記錄數(shù)據(jù)比EEPROM和閃存更頻繁。寫入數(shù)據(jù)時(shí)，EEPROM和閃存需要高電壓，從而比FeRAM消耗更多的功率。因此，通過(guò)使用FRAM，在電池供電的小型設(shè)備中的電池壽命可以延長(zhǎng)。

總之，F(xiàn)eRAM可以：

在突然停電時(shí)FeRAM可以保存寫入數(shù)據(jù)

可以進(jìn)行頻繁的數(shù)據(jù)記錄

可以延長(zhǎng)電池供電設(shè)備的電池壽命

2.降低總成本

在工廠中將參數(shù)寫入每個(gè)產(chǎn)品的情況下，由于FeRAM與EEPROM和閃存相比可以縮短寫入時(shí)間，因此FeRAM可以有助于降低制造成本。此外，F(xiàn)eRAM可以為您提供單一芯片解決方案從而代替多芯片解決方案，例如，由EEPROM + Flash組成的兩個(gè)芯片方案，或由EEPROM + SRAM +電池組成的三個(gè)器件方案。

縮短在每個(gè)產(chǎn)品中寫入?yún)?shù)的總時(shí)間

減少最終產(chǎn)品中使用的元器件數(shù)量

并口FeRAM vs. SRAM

具有并行接口的FeRAM與電池備用SRAM兼容，可以替代SRAM。

通過(guò)用FeRAM代替SRAM，客戶可以期望以下優(yōu)勢(shì)。

1.降低總成本

使用SRAM的系統(tǒng)需要持續(xù)檢查電池狀態(tài)。如果用FeRAM替換后，客戶可以從維護(hù)電池檢查的負(fù)擔(dān)中解放出來(lái)。此外，F(xiàn)eRAM不需要電池插座和防回流二極管，同時(shí)省去二者的安裝空間。

FeRAM的單一芯片解決方案可以減少空間和成本。

免維護(hù)：無(wú)需更換電池

設(shè)備小型化：可以減少最終產(chǎn)品的元器件數(shù)量

2.環(huán)保產(chǎn)品

廢舊電池會(huì)成為工業(yè)廢料。通過(guò)用FeRAM替換SRAM +電池，可以減少備用電池。

減少電池處理

FRAM鐵電存儲(chǔ)器應(yīng)用市場(chǎng)

物聯(lián)網(wǎng)(Lot)

汽車

工業(yè) (用于設(shè)施)

工業(yè) (用于基礎(chǔ)設(shè)施)

智能電表

企業(yè)

消費(fèi)類

醫(yī)療類

聯(lián)網(wǎng)