三星電子日前公布了其創(chuàng)新的12層HBM3E內(nèi)存芯片計劃，預計將于2024年第二季度正式投入量產(chǎn)，并有意將其融入超微新一代的人工智能半導體產(chǎn)品中，以穩(wěn)固其市場地位。這一戰(zhàn)略動作無疑凸顯了三星在加速追趕HBM市場領(lǐng)頭羊SK海力士方面的決心，也展示了其在高帶寬內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域的雄厚實力。

HBM，即高帶寬內(nèi)存，以其獨特的“樓房設(shè)計”概念，打破了傳統(tǒng)DDR內(nèi)存的設(shè)計局限，憑借出色的性能在市場中贏得了廣泛認可。隨著技術(shù)的日新月異，HBM產(chǎn)品已逐步從第一代演進至第五代HBM3E，其中，美光、SK海力士與三星作為行業(yè)的技術(shù)領(lǐng)軍者，持續(xù)推動著整個HBM市場的創(chuàng)新與發(fā)展。

在HBM3E技術(shù)的研發(fā)道路上，三星無疑展現(xiàn)出了令人矚目的能力。其最新推出的HBM3E 12H產(chǎn)品，不僅支持全天候最高帶寬達1280GB/s，而且產(chǎn)品容量高達36GB，相較于之前的8層堆疊HBM3 8H，帶寬和容量均實現(xiàn)了大幅提升，增幅超過50%。

這一技術(shù)突破的背后，是三星對先進技術(shù)的深度應用。它采用了熱壓非導電薄膜（TC NCF）技術(shù)，使得12層堆疊產(chǎn)品與8層堆疊產(chǎn)品的高度保持一致，滿足了當前HBM封裝的要求。同時，HBM3E 12H的垂直密度相比HBM3 8H提高了20%以上，再次證明了三星在內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域的卓越成就。

此外，三星還通過優(yōu)化芯片之間的凸塊（bump）尺寸，有效提升了HBM的熱性能，進一步增強了產(chǎn)品的穩(wěn)定性和可靠性。

業(yè)界預測，搭載HBM3E 12H的人工智能應用在訓練速度上將實現(xiàn)顯著的提升，相比使用HBM3 8H的應用，速度將提升34%。同時，推理服務用戶數(shù)量也將實現(xiàn)跨越式增長，超過11.5倍。這一性能提升將使得人工智能應用在處理大規(guī)模數(shù)據(jù)和復雜任務時更加得心應手，為用戶帶來更加流暢和高效的體驗。

目前，三星已經(jīng)開始向客戶提供HBM3E 12H的樣品，并計劃在今年下半年啟動大規(guī)模量產(chǎn)。這一戰(zhàn)略舉措將進一步鞏固三星在HBM市場的領(lǐng)導地位，為其在全球半導體市場的競爭中注入新的活力。

審核編輯：黃飛