韓國媒體The Elec于5月10日透露，三星電子已經對其HBM內存開發(fā)部門實行了“雙軌制”改革，旨在提升HBM業(yè)務的競爭力。

具體而言，現(xiàn)有的DRAM設計團隊將負責HBM3E內存的進一步研發(fā)，而三月份新成立的HBM產能質量提升團隊則專注于開發(fā)下一代HBM內存——HBM4。

新成立的HBM開發(fā)團隊由DRAM開發(fā)副總裁Hwang Sang-joon領導，直接向存儲器業(yè)務部總裁李禎培匯報工作，并已吸引了部分人才加入。

作為AI算力芯片的重要支持，HBM內存已成為行業(yè)焦點。下一代HBM4內存將在多個方面做出重大改變，包括堆疊層數(shù)增加到12層甚至16層，以及Base Die走向定制化，以滿足用戶需求。

值得注意的是，IT之家最近報道稱，SK海力士已將其HBM4內存的12層堆疊版本的量產時間提前至2025年下半年，而三星電子目前仍預計在2026年實現(xiàn)這一目標。

此次三星組建HBM4獨立團隊，旨在解決內存開發(fā)難題，縮短開發(fā)周期，從而在HBM4節(jié)點重新確立HBM內存的競爭地位，爭奪市場份額。