HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布,由于市場需求,SK 海力士將提速研發(fā)進(jìn)程,預(yù)計(jì)最快在 2026 年推出 HBM4E 內(nèi)存在內(nèi)存帶寬上比 HBM4 提升 1.4 倍。
IT之家早先發(fā)布消息稱,SK 海力士計(jì)劃在 2025 年下半年推出首款采用 12 層 DRAM 堆疊的 HBM4 產(chǎn)品,而 16 層堆疊 HBM 則會(huì)在 2026 年稍后推出。
這一“加速”的 HBM4/HBM4E 研發(fā)過程反映出 AI 巨頭對(duì)高性能內(nèi)存的強(qiáng)烈需求,因?yàn)槿找鎻?qiáng)大的 AI 處理器需要更大的內(nèi)存帶寬支持。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
相關(guān)推薦
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道,據(jù)韓媒報(bào)道,SK海力士副總裁李圭(音譯)近日在學(xué)術(shù)會(huì)議上表示,SK海力士正在推行混合鍵合在 HBM 上的應(yīng)用。目前正處
發(fā)表于 04-17 00:05
?426次閱讀
近日,SK海力士正全力加速其全球首創(chuàng)的16層堆疊(16Hi)HBM3E內(nèi)存的量產(chǎn)準(zhǔn)備工作。這一創(chuàng)新產(chǎn)品的全面生產(chǎn)測試已經(jīng)正式啟動(dòng),為明年初的
發(fā)表于 12-26 14:46
?538次閱讀
2048位接口,這一技術(shù)革新將大幅提升數(shù)據(jù)傳輸速度和存儲(chǔ)效率。美光計(jì)劃于2026年開始大規(guī)模生產(chǎn)HBM4,以滿足日益增長的高性能計(jì)算需求。 除了HBM4,美光還透露了
發(fā)表于 12-23 14:20
?670次閱讀
在近日舉行的SK AI峰會(huì)上,韓國存儲(chǔ)巨頭SK海力士向全球展示了其創(chuàng)新成果——全球首款48GB 16層HBM3E產(chǎn)品。這一產(chǎn)品的推出,標(biāo)志著SK
發(fā)表于 11-13 14:35
?723次閱讀
和卓越的研發(fā)能力,已經(jīng)提前開發(fā)出48GB 16層HBM3E產(chǎn)品。這一舉措不僅展現(xiàn)了SK海力士的技術(shù)實(shí)力,更凸顯了其對(duì)市場趨
發(fā)表于 11-05 15:01
?652次閱讀
近日,韓國SK集團(tuán)會(huì)長透露了一項(xiàng)重要信息,即英偉達(dá)公司的首席執(zhí)行官黃仁勛已向SK海力士提出了一項(xiàng)特殊的要求。黃仁勛希望SK海力士能夠提前六個(gè)
發(fā)表于 11-05 10:52
?595次閱讀
9月4日,半導(dǎo)體行業(yè)傳來重要?jiǎng)討B(tài),SK海力士社長金柱善(Kim Ju Seon)在備受矚目的SEMICON 大師論壇上發(fā)表演講,分享了公司在高帶寬內(nèi)存(
發(fā)表于 09-05 16:31
?968次閱讀
在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天,SK海力士再次引領(lǐng)行業(yè)潮流,宣布將采用臺(tái)積電先進(jìn)的N5工藝版基礎(chǔ)裸片來構(gòu)建其新一代HBM4內(nèi)存。這一舉措不僅標(biāo)志著SK
發(fā)表于 07-18 09:47
?826次閱讀
在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天,SK海力士再次站在了行業(yè)創(chuàng)新的前沿。據(jù)最新消息,該公司計(jì)劃于2026年在其高性能內(nèi)存(High Bandwidt
發(fā)表于 07-17 09:58
?961次閱讀
瑞銀集團(tuán)最新報(bào)告指出,SK海力士的HBM4芯片預(yù)計(jì)從2026年起,每年將貢獻(xiàn)6至15億美元的營收
發(fā)表于 05-30 10:27
?1005次閱讀
SK海力士正全力開發(fā)HBM4E存儲(chǔ)設(shè)備,意欲打造集計(jì)算、緩存和網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)于一身的新型HBM產(chǎn)品,進(jìn)而提升性能與數(shù)據(jù)傳輸速率。
發(fā)表于 05-29 16:41
?712次閱讀
SK海力士公司近日在首爾舉辦的IEEE 2024國際存儲(chǔ)研討會(huì)上,由先進(jìn)HBM技術(shù)團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人Kim Kwi-wook宣布了一項(xiàng)重要進(jìn)展。SK海力士
發(fā)表于 05-15 11:32
?1019次閱讀
據(jù)業(yè)內(nèi)人士預(yù)計(jì),HBM4E的堆疊層數(shù)將增加到16~20層,而SK海力士原本計(jì)劃在2026年量產(chǎn)1
發(fā)表于 05-15 09:45
?621次閱讀
SK海力士近日宣布,其高帶寬內(nèi)存(HBM)芯片在2025年的產(chǎn)能已經(jīng)基本售罄。這一成績主要?dú)w功于人工智能(AI)技術(shù)的蓬勃發(fā)展,極大地推動(dòng)了
發(fā)表于 05-07 09:48
?629次閱讀
SK海力士宣布,計(jì)劃于2025年下半年推出首款采用12層DRAM堆疊的HBM4產(chǎn)品,而16層堆疊版本的推出將會(huì)稍后。根據(jù)該公司上月與臺(tái)積電簽署的HB
發(fā)表于 05-06 15:10
?749次閱讀
評(píng)論