SK海力士加速HBM4E內(nèi)存研發(fā)，預(yù)計2026年面市
HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布，由于市場需求，SK 海力士將提速研發(fā)進程，預(yù)計最快在 2026 年推出 HBM4E 內(nèi)存在內(nèi)存帶寬上比 HBM4 提升 1.4 倍。
IT之家早先發(fā)布消息稱，SK 海力士計劃在 2025 年下半年推出首款采用 12 層 DRAM 堆疊的 HBM4 產(chǎn)品，而 16 層堆疊 HBM 則會在 2026 年稍后推出。
這一“加速”的 HBM4/HBM4E 研發(fā)過程反映出 AI 巨頭對高性能內(nèi)存的強烈需求，因為日益強大的 AI 處理器需要更大的內(nèi)存帶寬支持。
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