9月4日，半導體行業(yè)傳來重要動態(tài)，SK 海力士社長金柱善（Kim Ju Seon）在備受矚目的SEMICON 大師論壇上發(fā)表演講，分享了公司在高帶寬內(nèi)存（HBM）領域的最新進展與未來展望。金柱善社長自豪地宣布，SK 海力士當前市場上的旗艦產(chǎn)品——8層HBM3E，已穩(wěn)坐行業(yè)領導地位，而更進一步的是，公司即將在本月底邁入一個新的里程碑，正式啟動12層HBM3E的量產(chǎn)。這一舉措不僅鞏固了SK 海力士在HBM市場全球最高市占率的地位，也標志著HBM3E技術(shù)再次引領行業(yè)潮流，特別是在滿足日益增長的人工智能服務器對高性能內(nèi)存需求的背景下。

除了現(xiàn)有的市場領先地位，SK 海力士還展示了其前瞻性的研發(fā)實力，透露了與臺積電攜手共進的下一代HBM4研發(fā)計劃。據(jù)悉，這款創(chuàng)新的HBM4產(chǎn)品將開創(chuàng)性地在基礎裸晶（Basedie）芯片上采用先進的邏輯制程工藝進行生產(chǎn)，預計能夠根據(jù)客戶的量產(chǎn)時間表靈活調(diào)整供貨節(jié)奏，有望成為業(yè)界首款采用此技術(shù)的高性能內(nèi)存解決方案。

在技術(shù)規(guī)格上，當前SK 海力士的8層和12層HBM3E產(chǎn)品以其36GB的超大容量和每秒超過1.18TB的驚人數(shù)據(jù)處理速度，為高性能計算領域樹立了新的標桿。而即將面世的HBM4則更上一層樓，將提供12層和16層兩種配置選項，最大容量躍升至48GB，數(shù)據(jù)處理速度更是飆升至每秒超過1.65TB，預示著其在處理復雜AI算法和數(shù)據(jù)密集型應用方面的無限潛力。

綜上所述，SK 海力士通過不斷的技術(shù)創(chuàng)新與市場拓展，正引領著HBM技術(shù)的發(fā)展潮流，為全球高性能計算市場注入強勁動力。