SK海力士12層堆疊HBM3E率先量產(chǎn)
SK海力士近日宣布了一項重大突破，公司已成功在全球范圍內(nèi)率先實現(xiàn)12層堆疊HBM3E的量產(chǎn)，這一里程碑式的成就標(biāo)志著其在高端存儲技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)領(lǐng)先地位。這款新品不僅將HBM產(chǎn)品的容量提升至前所未有的36GB，更是在AI應(yīng)用所需的速度、容量及穩(wěn)定性等方面均達(dá)到了全球頂尖水平。
自今年3月SK海力士率先推出并供應(yīng)8層HBM3E以來，僅短短六個月時間，公司便再次以技術(shù)實力驚艷業(yè)界，將堆疊層數(shù)提升至12層，實現(xiàn)了存儲容量的大幅躍升。這一快速迭代與量產(chǎn)能力，不僅彰顯了SK海力士在HBM技術(shù)研發(fā)上的深厚積累，也預(yù)示著其在滿足未來AI及高性能計算領(lǐng)域日益增長需求方面的強(qiáng)大潛力。
SK海力士預(yù)計，年內(nèi)即可向客戶批量交付這款12層HBM3E新品，為全球AI市場注入新的活力，推動相關(guān)技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展與應(yīng)用。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
AI
+關(guān)注
關(guān)注
88文章
35136瀏覽量
279795 -
SK海力士
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
994瀏覽量
39613 -
HBM3E
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
80瀏覽量
470
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
風(fēng)景獨好？12層HBM3E量產(chǎn)，16層HBM3E在研，產(chǎn)業(yè)鏈涌動
海力士宣布公司已開始量產(chǎn)12H HBM3E芯片，實現(xiàn)了現(xiàn)有HBM產(chǎn)品中最大的36GB容量。該產(chǎn)品堆疊
HBM3E量產(chǎn)后，第六代HBM4要來了！
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）眼下各家存儲芯片廠商的HBM3E陸續(xù)量產(chǎn)，HBM4正在緊鑼密鼓地研發(fā)，從規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)到工藝制程、封裝技術(shù)等都有所進(jìn)展，原本SK
SK海力士HBM技術(shù)的發(fā)展歷史
SK海力士在鞏固其面向AI的存儲器領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)地位方面，HBM1無疑發(fā)揮了決定性作用。無論是率先開發(fā)出全球首款最高性能的HBM，還是確立并保持其
SK海力士加速16Hi HBM3E內(nèi)存量產(chǎn)準(zhǔn)備
近日，SK海力士正全力加速其全球首創(chuàng)的16層堆疊(16Hi)HBM3E內(nèi)存的量產(chǎn)準(zhǔn)備工作。這一創(chuàng)
SK海力士發(fā)布HBM3e 16hi產(chǎn)品
在近日舉辦的SK AI Summit 2024活動中，SK hynix（SK海力士）透露了一項令人矚目的新產(chǎn)品計劃。據(jù)悉，該公司正在積極開發(fā)HBM3
SK海力士展出全球首款16層HBM3E芯片
在近日舉行的SK AI峰會上，韓國存儲巨頭SK海力士向全球展示了其創(chuàng)新成果——全球首款48GB 16層HBM3E產(chǎn)品。這一產(chǎn)品的推出，標(biāo)志著
SK海力士調(diào)整生產(chǎn)策略，聚焦高端存儲技術(shù)
限的產(chǎn)能轉(zhuǎn)向更高端的產(chǎn)品線，如人工智能用存儲器及先進(jìn)DRAM產(chǎn)品。 SK海力士的這一決策可能與其重點發(fā)展高端存儲技術(shù)研發(fā)和生產(chǎn)有關(guān)。近日，該公司對外展示了全球首款48GB 16層HBM3E
SK海力士推出48GB 16層HBM3E產(chǎn)品
近日在一次科技展覽上，SK海力士驚艷亮相，展出了全球首款48GB 16層HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)產(chǎn)品。
SK海力士引領(lǐng)未來:全球首發(fā)12層HBM3E芯片,重塑AI存儲技術(shù)格局
今日，半導(dǎo)體巨頭SK海力士震撼宣布了一項業(yè)界矚目的技術(shù)里程碑，該公司已成功在全球范圍內(nèi)率先實現(xiàn)12層HB
SK海力士開始先進(jìn)人工智能芯片生產(chǎn)
SK海力士宣布，公司已正式踏入人工智能芯片生產(chǎn)的新階段，批量生產(chǎn)業(yè)界領(lǐng)先的12層HBM3E芯片。這款芯片不僅代表了
美光12層堆疊HBM3E 36GB內(nèi)存啟動交付
美光科技近期宣布，其“生產(chǎn)可用”的12層堆疊HBM3E 36GB內(nèi)存已成功啟動交付，標(biāo)志著AI計算領(lǐng)域的一大飛躍。這款先進(jìn)內(nèi)存正陸續(xù)送達(dá)主要行業(yè)合作伙伴手中，以全面融入并驗證其在整個A
SK海力士9月底將量產(chǎn)12層HBM3E高性能內(nèi)存
自豪地宣布，SK 海力士當(dāng)前市場上的旗艦產(chǎn)品——8層HBM3E，已穩(wěn)坐行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)地位，而更進(jìn)一步的是，公司即將在本月底邁入一個新的里程碑，正式啟動12
三星HBM3E內(nèi)存挑戰(zhàn)英偉達(dá)訂單,SK海力士霸主地位受撼動
進(jìn)入八月，市場傳言四起，韓國存儲芯片巨頭三星電子（簡稱“三星”）的8層HBM3E內(nèi)存（新一代高帶寬內(nèi)存產(chǎn)品）已順利通過英偉達(dá)嚴(yán)格測試。然而，三星迅速澄清，表示這一報道與事實相去甚遠(yuǎn)，強(qiáng)調(diào)目前質(zhì)量測試
SK海力士加速NAND研發(fā)，400+層閃存量產(chǎn)在即
韓國半導(dǎo)體巨頭SK海力士正加速推進(jìn)NAND閃存技術(shù)的革新，據(jù)韓媒最新報道，該公司計劃于2025年末全面完成400+層堆疊NAND閃存的量產(chǎn)準(zhǔn)
SK海力士與Amkor攜手推進(jìn)硅中介層合作，強(qiáng)化HBM市場競爭力
在半導(dǎo)體行業(yè)日益激烈的競爭中，SK海力士再次展現(xiàn)其前瞻布局與技術(shù)創(chuàng)新的決心。近日，有消息稱SK海力士正與全球知名的封裝測試外包服務(wù)（OSAT）大廠Amkor就硅中介
工商網(wǎng)監(jiān)
評論