武漢華頂電力設(shè)備有限公司生產(chǎn)的HD6000抗干擾高壓異頻介質(zhì)損耗測(cè)試儀其原理在前面已經(jīng)講過，tgδ是IR / IC的比值，它能反映電介質(zhì)內(nèi)單位體積中能量損耗的大小，只與電介質(zhì)的性質(zhì)有關(guān)，而與其體積大小尺寸均沒有關(guān)系。因此，tgδ的測(cè)試目的，也是能夠有效地發(fā)現(xiàn)設(shè)備絕緣的普遍老化、受潮、臟污等整體缺陷。對(duì)小電容設(shè)備，如套管、互感器（電容式）也能夠發(fā)現(xiàn)內(nèi)部是否存在氣隙及固定絕緣開裂等集中性的局部絕緣缺陷。
但要說明一點(diǎn)的是，針對(duì)大電容的設(shè)備如變壓器、電纜等進(jìn)行tgδ的測(cè)量時(shí)，只能發(fā)現(xiàn)他們的整體分布性缺陷，而其局部集中性的缺陷可能不會(huì)被發(fā)現(xiàn)；而對(duì)于套管、互感器等小電容量的設(shè)備，測(cè)tgδ能有效地發(fā)現(xiàn)其局部集中性和整體分布性的缺陷，詳見如下分析。這也是大型變壓器不僅要單獨(dú)測(cè)試引出線套管的tgδ，也要測(cè)套管連同繞組的介損tgδ，就是因?yàn)樘坠苋粲腥毕輹r(shí)在整體絕緣良好時(shí)不能體現(xiàn)出來。
一般設(shè)備的絕緣結(jié)構(gòu)都由多層絕緣、多種材料構(gòu)成。如局部有缺陷絕緣用C 1 tgδ1表示，其他良好絕緣用C 2tgδ2表示，兩部分并聯(lián)，則有P1 = C 1 tgδ1 P2 = C 2 tgδ2
而總的損耗為P = U2 ωC tgδ ①
U、ω一定時(shí)，P與C、tgδ有關(guān)， → P = C 1 tgδ1 + C 2 tgδ2 又C = C1 + C2
則 C 1 tgδ1 + C 2 tgδ2 = C tgδ
tgδ= （C 1 tgδ1 + C 2 tgδ2）/（C1 + C2） ②
若套管電容C 1= 250PF，tgδ1= 5% （超差）
而變壓器電容C 2= 10000PF，tgδ2= 0.4% （良好）
從②式可以看出總tgδ= 0.5 % （合格），可見明顯形成了誤判斷。
設(shè)備的選取及常規(guī)試驗(yàn)方法：因?yàn)榫群挽`敏度的原因，一般按照試驗(yàn)儀器說明書進(jìn)行.一般接線形式主要有二種：正接法：適用于測(cè)量兩相對(duì)地絕緣的設(shè)備，測(cè)試精度較高，如套管和電容式CT的主絕緣tgδ，耦合電容的的tgδ等；反接法：適用于測(cè)量一級(jí)接地的設(shè)備，儀器的外殼必須接地可靠，如變壓器連同套管和繞組的tgδ，套管和電容式CT的末屏tgδ等。另外還有自激法，對(duì)角接線等，不同的試驗(yàn)設(shè)備均有不同的接線形式，取決于現(xiàn)場(chǎng)環(huán)境及標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備。
需要說明的是現(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn)時(shí)要?jiǎng)?chuàng)造條件，力求測(cè)試精度，如主變高低壓側(cè)套管的tgδ測(cè)試必須要用正接法，應(yīng)要求安裝單位制作測(cè)試平臺(tái)，以達(dá)到兩極絕緣的條件。
對(duì)于CVT中壓電容的tgδ測(cè)試，應(yīng)充分理解儀器的操作程序，按照其說明，操作規(guī)程進(jìn)行試驗(yàn)。
另外，tgδ值都規(guī)定了相應(yīng)的溫度值，是因?yàn)闇囟葘?duì)tgδ值的影響較大，一般隨著溫度上升，tgδ值也增大，因此規(guī)定了溫度換算，一般應(yīng)校正到20℃時(shí)進(jìn)行與廠家試驗(yàn)數(shù)據(jù)的比較，換算公式為：
（1） 環(huán)境溫度高于20℃時(shí)，tgδ20 = tgδt / A
（2） 環(huán)境溫度低于20℃時(shí)，tgδ20 = tgδt * A
A：與20℃溫差***值不同的換算系數(shù)，見相關(guān)規(guī)程。
一般操作步驟和注意事項(xiàng)：按試驗(yàn)儀器的操作規(guī)程與相應(yīng)的作業(yè)指導(dǎo)書相關(guān)條款進(jìn)行操作。試驗(yàn)應(yīng)良好的天氣、環(huán)境溫度不低于5℃和濕度不大于80%的條件下進(jìn)行，測(cè)試前應(yīng)測(cè)量被試品各電極間的絕緣電阻，必要時(shí)對(duì)小套管進(jìn)行清潔和干燥處理。
接地必須牢靠，符合“安規(guī)”中高壓試驗(yàn)的條款規(guī)定，正接法時(shí)低壓側(cè)的引線也應(yīng)有絕緣要求，不得與外殼接觸。
對(duì)于試驗(yàn)電壓的大小，前面提到P = U2 ωC tgδ，P與電壓有關(guān)，良好絕緣的tgδ不會(huì)隨電壓的升高而明顯增加，但若有內(nèi)部缺陷時(shí)則tgδ會(huì)隨電壓的升高而明顯增加。因此對(duì)于試驗(yàn)電壓一般為10KV，但對(duì)于電容式套管或CT的末屏和電容式電壓互感器中壓電容的tgδ測(cè)試時(shí)，則應(yīng)降低電壓標(biāo)準(zhǔn)使用2000V或3000V左右。測(cè)變壓器的tgδ時(shí)應(yīng)將其他側(cè)短接接地。
對(duì)試驗(yàn)結(jié)果的分析：應(yīng)根據(jù)廠家出廠試驗(yàn)數(shù)據(jù)和預(yù)規(guī)進(jìn)行綜合判斷，尤其應(yīng)注意避免套管末屏的臟污情況，還有環(huán)境溫度、濕度的影響，經(jīng)過出廠測(cè)試合格的產(chǎn)品若現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試值差，一般應(yīng)考慮環(huán)境影響和受潮情況。