粵芯半導(dǎo)體公布新型電壓檢測(cè)電路與檢測(cè)方法
粵芯半導(dǎo)體技術(shù)股份有限公司“一種電壓檢測(cè)電路、方法及電子設(shè)備”的專(zhuān)利于2024年5月14日正式公示，專(zhuān)利號(hào)CN118033215A。
該專(zhuān)利涉及一種高效的電壓檢測(cè)電路、方法及其應(yīng)用在各類(lèi)電子設(shè)備中的可能性。其主要由第一、第二、第三MOS管模塊以及第一比較器和反相器模塊組成。其中，第一、第二MOS管模塊分別與供電電源相連，并通過(guò)第一、第二MOS管將電流導(dǎo)入地線(xiàn)。而第一比較器則將第一、第二MOS管模塊的輸出與第一MOS管的漏極、第二MOS管的漏極進(jìn)行比較，并將結(jié)果反饋至第三MOS管的漏極。此外，第三MOS管的源極還與反相器模塊相連，其柵極則接收鎖存信號(hào)。此項(xiàng)發(fā)明有助于提升電源電壓識(shí)別過(guò)程的穩(wěn)定性和可靠性。
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