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外置OTP及主動(dòng)降功率功能的PD快充芯片U8733的主要特點(diǎn)有哪些

開(kāi)關(guān)電源芯片 ? 來(lái)源:開(kāi)關(guān)電源芯片 ? 2024-05-21 15:50 ? 次閱讀
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外置OTP及主動(dòng)降功率功能的PD快充芯片U8733

深圳銀聯(lián)寶科技最新推出的U8733,是一款30W PD GAN帶OTP保護(hù)及主動(dòng)降功率功能的PD快充芯片,與之前推出的集成650V E-GaN快充芯片U8722有所不同,接下來(lái)會(huì)為小伙們?cè)敿?xì)講解下。

PD快充芯片U8733主要特點(diǎn):

1、集成 700V E-GaN

2、集成高壓啟動(dòng)功能

3、超低啟動(dòng)和工作電流,待機(jī)功耗 <30mW

4、谷底鎖定模式 , 最高工作頻率兩檔可調(diào)(220kHz,130kHz)

5、集成 EMI 優(yōu)化技術(shù)

6、驅(qū)動(dòng)電流分檔配置

7、集成恒功率功能

8、外置 OTP 及主動(dòng)降功率功能

9、集成完備的保護(hù)功能:

VDD 過(guò)壓/欠壓保護(hù) (VDD OVP/UVLO)

輸出過(guò)壓/欠壓保護(hù) (OVP/UVP)

輸入欠壓保護(hù) (BOP)

片內(nèi)過(guò)熱保護(hù) (OTP)

外置過(guò)熱保護(hù)

逐周期電流限制 (OCP)

異常過(guò)流保護(hù) (AOCP)

短路保護(hù) (SCP)

前沿消隱 (LEB)

CS 管腳開(kāi)路保護(hù)

10、封裝類型 ESOP-7

PD快充芯片U8733集成高壓E-Mode GaN FET,為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率,芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路,驅(qū)動(dòng)電壓為VDRV (典型值 6.4V)。EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)難點(diǎn),為此U8733通過(guò)DEM管腳集成了驅(qū)動(dòng)電流分檔配置功能。如圖所示,通過(guò)配置 DEM 管腳分壓電阻值,可以選擇不同檔位的驅(qū)動(dòng)電流,進(jìn)而調(diào)節(jié)GaN FET的開(kāi)通速度,系統(tǒng)設(shè)計(jì)者可以獲得最優(yōu)的EMI性能和系統(tǒng)效率的平衡。具體分壓電阻值可參照參數(shù)表。

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PD快充芯片U8733系列還集成輕載SR應(yīng)力優(yōu)化功能,在驅(qū)動(dòng)電流配置為第一、第二、第三檔位時(shí),當(dāng)芯片工作于輕載模式時(shí),將原邊開(kāi)通速度減半,減小空載時(shí)SR的Vds應(yīng)力過(guò)沖。



審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:外置OTP及主動(dòng)降功率功能的PD快充芯片U8733

文章出處:【微信號(hào):gh_3980db2283cd,微信公眾號(hào):開(kāi)關(guān)電源芯片】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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