外置OTP及主動(dòng)降功率功能的PD快充芯片U8733
深圳銀聯(lián)寶科技最新推出的U8733,是一款30W PD GAN帶OTP保護(hù)及主動(dòng)降功率功能的PD快充芯片,與之前推出的集成650V E-GaN快充芯片U8722有所不同,接下來(lái)會(huì)為小伙們?cè)敿?xì)講解下。
PD快充芯片U8733主要特點(diǎn):
1、集成 700V E-GaN
2、集成高壓啟動(dòng)功能
3、超低啟動(dòng)和工作電流,待機(jī)功耗 <30mW
4、谷底鎖定模式 , 最高工作頻率兩檔可調(diào)(220kHz,130kHz)
5、集成 EMI 優(yōu)化技術(shù)
6、驅(qū)動(dòng)電流分檔配置
7、集成恒功率功能
8、外置 OTP 及主動(dòng)降功率功能
9、集成完備的保護(hù)功能:
VDD 過(guò)壓/欠壓保護(hù) (VDD OVP/UVLO)
輸出過(guò)壓/欠壓保護(hù) (OVP/UVP)
輸入欠壓保護(hù) (BOP)
片內(nèi)過(guò)熱保護(hù) (OTP)
外置過(guò)熱保護(hù)
逐周期電流限制 (OCP)
異常過(guò)流保護(hù) (AOCP)
短路保護(hù) (SCP)
前沿消隱 (LEB)
CS 管腳開(kāi)路保護(hù)
10、封裝類型 ESOP-7
PD快充芯片U8733集成高壓E-Mode GaN FET,為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率,芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路,驅(qū)動(dòng)電壓為VDRV (典型值 6.4V)。EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)難點(diǎn),為此U8733通過(guò)DEM管腳集成了驅(qū)動(dòng)電流分檔配置功能。如圖所示,通過(guò)配置 DEM 管腳分壓電阻值,可以選擇不同檔位的驅(qū)動(dòng)電流,進(jìn)而調(diào)節(jié)GaN FET的開(kāi)通速度,系統(tǒng)設(shè)計(jì)者可以獲得最優(yōu)的EMI性能和系統(tǒng)效率的平衡。具體分壓電阻值可參照參數(shù)表。
PD快充芯片U8733系列還集成輕載SR應(yīng)力優(yōu)化功能,在驅(qū)動(dòng)電流配置為第一、第二、第三檔位時(shí),當(dāng)芯片工作于輕載模式時(shí),將原邊開(kāi)通速度減半,減小空載時(shí)SR的Vds應(yīng)力過(guò)沖。
審核編輯:劉清
-
OTP
+關(guān)注
關(guān)注
4文章
227瀏覽量
48088 -
GaN
+關(guān)注
關(guān)注
19文章
2190瀏覽量
76448 -
VDD
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
316瀏覽量
34962 -
驅(qū)動(dòng)電壓
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
94瀏覽量
13692 -
快充芯片
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
100瀏覽量
8469
原文標(biāo)題:外置OTP及主動(dòng)降功率功能的PD快充芯片U8733
文章出處:【微信號(hào):gh_3980db2283cd,微信公眾號(hào):開(kāi)關(guān)電源芯片】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
E-GaN電源芯片U8733L集成外置溫度檢測(cè)和恒功率功能

PD快充芯片U8766的主要特征
PD快充芯片U8725AHE的主要特性
氮化鎵PD快充芯片U8733產(chǎn)品概述
氮化鎵快充芯片U8766的主要特點(diǎn)
快充電源芯片U8733L的簡(jiǎn)單介紹
PD快充協(xié)議的工作原理及特點(diǎn),支持PD快充協(xié)議的XSP01A芯片又有哪些優(yōu)勢(shì)

電源管理芯片U8733產(chǎn)品概述
PD快充產(chǎn)品是如何進(jìn)行工作的?

評(píng)論