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氮化鎵電源芯片U8733L與U8733的區(qū)別

開關(guān)電源芯片 ? 來源:開關(guān)電源芯片 ? 2025-04-23 16:18 ? 次閱讀

氮化鎵電源芯片U8733L與U8733同屬U8733X系列,都是外置OTP,自帶降功率(限12V最大輸出),集成高壓啟動電路,可獲得快速啟動功能和超低的工作電流,實現(xiàn)小于30mW的超低待機功耗。但參數(shù)性能略有不同,今天就為各位小伙伴詳細拆解一下兩者不同之處!

U8733L / U8733

01 U8733L Vds 耐壓650V,Rdson內(nèi)阻0.8R,ID電流2.5A,推薦功率33W。

02 U8733 Vds 耐壓700V,Rdson內(nèi)阻0.47--0.6R,ID電流3.3A,推薦功率33W-45W

03 封裝不同:

U8733L采用HSOP-7封裝,具體腳位如下:

1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳

2 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳

3 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅(qū)動能力分檔判定管腳

4 NTC I/O 外置溫度檢測,過溫降功率和過溫保護功能。

5 GND P 芯片參考地

6 VDD P 芯片供電管腳

7 DRAIN P 內(nèi)置高壓 GaN FET 漏極、高壓啟動供電管腳

U8733采用ESOP-7封裝,具體腳位如下:

1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳

2 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳

3 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP /UVP 檢測、驅(qū)動能力分檔判定管腳

4 VDD P 芯片供電管腳

5 NTC I/O 外置溫度檢測,過溫降功率和過溫保護功能。

6、7 GND P 芯片參考地

8 DRAIN P 內(nèi)置高壓 GaN FET 漏極、高壓啟動供電管腳

氮化鎵電源芯片U8733L與U8733集成恒功率控制與主動降功率控制功能,在恒功率區(qū)間,通過控制輸出電流隨輸出電壓變化,實現(xiàn)恒功率功能。外置溫度檢測環(huán)境溫度,當溫度過高主動降功率以降低系統(tǒng)溫度,保證系統(tǒng)穩(wěn)定可靠工作。更多訊息,盡在銀聯(lián)寶,期待您的來電!

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原文標題:銀聯(lián)寶氮化鎵電源芯片U8733L與U8733差異化分析

文章出處:【微信號:gh_3980db2283cd,微信公眾號:開關(guān)電源芯片】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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