SK海力士致力于成為“全方位面向AI的存儲器供應商(Full Stack AI Memory Provider)”,不僅在DRAM領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新,在NAND閃存(
發(fā)表于 07-10 11:37
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三星電子在 HBM3 時期遭遇了重大挫折,將 70% 的 HBM 內(nèi)存市場份額拱手送給主要競爭對手 SK 海力士,更是近年來首度讓出了第一大 DRAM 原廠的寶座。這迫使
發(fā)表于 04-18 10:52
列入貿(mào)易限制名單,也對SK海力士的決策產(chǎn)生了影響。業(yè)內(nèi)普遍預測,SK海力士將全面停止使用中國的EDA軟件,而三星電子也可能緊隨其后,做出類似
發(fā)表于 02-18 10:51
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據(jù)外媒最新報道,為了應對NAND閃存市場的供應過剩問題,三星電子與SK海力士兩大半導體巨頭已悄然采取措施,通過工藝轉(zhuǎn)換實現(xiàn)“自然減產(chǎn)”。 據(jù)業(yè)內(nèi)消息透露,自去年年底以來,
發(fā)表于 02-12 10:38
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產(chǎn)品價格。 繼美光和三星宣布減產(chǎn)計劃后,全球第二大NAND Flash廠商SK海力士也宣布了減產(chǎn)決定。據(jù)悉,SK
發(fā)表于 01-20 14:43
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價格將出現(xiàn)暴跌。在這樣的市場環(huán)境下,三星電子面臨著巨大的壓力,難以維持過去那種壓倒性的生產(chǎn)力。 據(jù)報道,SK海力士正在積極增加NAND閃存的供應規(guī)模,這無疑加劇了市場競爭。面對如此激烈
發(fā)表于 01-14 14:21
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將從平均20萬片減少至約17萬片。同時,位于韓國華城的生產(chǎn)線也在進行相應調(diào)整,整體產(chǎn)能有所下降。 此次減產(chǎn)舉措體現(xiàn)了三星電子在激烈市場競爭中的盈利能力保護策略。隨著SK海力士等競爭對手不斷擴大
發(fā)表于 01-14 10:08
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據(jù)外媒最新報道,韓國兩大存儲芯片巨頭三星電子與SK海力士已正式結(jié)盟,共同致力于推動LPDDR6的存內(nèi)計算(Processing In Memory,簡稱PIM)產(chǎn)品的標準化進程。此舉旨在加速人工智能
發(fā)表于 12-03 10:42
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韓國交易所近日發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示,三星電子與SK海力士的市值份額差距已經(jīng)縮小至近13年來的最低水平。
發(fā)表于 10-28 15:44
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隨著三星電子定于10月8日發(fā)布第三季度初步財務報告,市場焦點轉(zhuǎn)向了其與SK海力士之間營業(yè)利潤的預期差距如何進一步拉大。
SK
發(fā)表于 10-08 15:58
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近期,科技界傳來重要消息,三星、SK海力士及美光三大半導體巨頭正全力推進高帶寬內(nèi)存(HBM)的產(chǎn)能擴張計劃。據(jù)預測,至2025年,這一領(lǐng)域的新增產(chǎn)量
發(fā)表于 08-29 16:43
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SK 海力士,作為全球知名的半導體巨頭,近期宣布了一項重要的擴產(chǎn)計劃,旨在通過擴大M16晶圓廠的生產(chǎn)規(guī)模,顯著提升其DRAM內(nèi)存產(chǎn)能。據(jù)韓媒報道,SK
發(fā)表于 08-16 17:32
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SK海力士近日宣布了一項重要計劃,即開發(fā)采用4F2結(jié)構(gòu)(垂直柵)的DRAM。這一決策緊跟其競爭對手三星的步伐,標志著SK
發(fā)表于 08-14 17:06
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韓國半導體巨頭SK海力士正加速推進NAND閃存技術(shù)的革新,據(jù)韓媒最新報道,該公司計劃于2025年末全面完成400+層堆疊NAND閃存的量產(chǎn)準備工作,并預計于次年第二季度正式開啟大規(guī)模生
發(fā)表于 08-02 16:56
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據(jù)最新消息,SK海力士正醞釀一項重要財務戰(zhàn)略,考慮推動其NAND與SSD業(yè)務子公司Solidigm在美國進行首次公開募股(IPO)。Solidigm作為SK
發(fā)表于 07-30 17:35
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